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碳化矽邁入新時代 ST 25年研發突破技術挑戰 (2021.07.30)
本文探討碳化矽在當今半導體產業中所扮演的角色、碳化矽的研發歷程，以及未來發展方向。以及意法半導體研發碳化矽25年如何克服技術挑戰及創新技術的歷程。
東芝研發出能使矽晶片發光的技術 (2009.02.25)
外電消息報導，東芝日前在國際奈米科技展（nano tech 2009）上，展示了一項在矽晶片上形成發光元件的技術。該技術能在4K的超低溫狀態下，發出約1.5μm的光波長。 據報導，這項技術東芝已在2008年的應用物理學會上發表過，日前又再次的進行展示
矽基發光的可能性 (2004.11.04)
若能利用發展成熟的矽半導體製程生產發光元件，將可為光電產業帶來龐大利益，而此一領域技術也成為學界長期以來的研究目標；本文將介紹目前國內在量子點與超晶格上發光元件的研究成果，並分析其發光的機制，進一步提出矽基發光的可能發展
ST發光矽技術　成功整合光學/電子功能 (2002.11.05)
根據外電消息，半導體商ST（意法半導體）近日宣佈其發光矽（Light-emitting silicon）技術已有突破，並且表示此成果可將光學和電子功能整合於一塊矽晶片上，使矽發光器的效率，首次達到砷化鎵（GaAs）等材料的效果，預計今年底前開始提供該技術之工程樣品


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