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進入High-NA EUV微影時代 (2024.09.19)
比利時微電子研究中心（imec）運算技術及系統／運算系統微縮研究計畫的資深副總裁（SVP）Steven Scheer探討imec與艾司摩爾（ASML）合建的High-NA EUV微影實驗室對半導體業的重要性 |
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跨過半導體極限高牆 奈米片推動摩爾定律發展 (2024.08.21)
奈米片技術在推動摩爾定律的進一步發展中扮演著關鍵角色。
儘管面臨圖案化與蝕刻、熱處理、材料選擇和短通道效應等挑戰，
然而，透過先進的技術和創新，這些挑戰正在逐步被克服 |
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imec採用High-NA EUV技術 展示邏輯與DRAM架構 (2024.08.11)
比利時微電子研究中心（imec），在荷蘭費爾德霍溫與艾司摩爾（ASML）合作建立的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室中，利用數值孔徑0.55的極紫外光曝光機，發表了曝光後的圖形化元件結構 |
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科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Cryo 3.0 為未來先進 3D NAND 的製造提供了至關重要的蝕刻能力 |
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Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位 |
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ASML與imec成立High-NA EUV微影實驗室 (2024.06.05)
比利時微電子研究中心（imec）與艾司摩爾（ASML）共同宣布，雙方於荷蘭費爾德霍溫合作開設的高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影實驗室正式啟用，為尖端的邏輯、記憶體晶片商以及先進的材料、設備商提供第一部高數值孔徑（high-NA）極紫外光（EUV）曝光機原型TWINSCAN EXE:5000以及相關的製程和量測工具 |
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應材Sculpta圖案化解決方案 拓展埃米時代晶片製造能力 (2024.02.29)
隨著台灣晶圓代工大廠持續向外擴充版圖，並將製程推進至2nm以下，正加速驅動晶片製造廠商進入埃米時代，也越來越受惠於新材料工程和量測技術。美商應用材料公司則透過開發出越來越多採用Sculpta圖案成形應用技術，與創新的CVD圖案化薄膜、蝕刻系統和量測解決方案 |
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矽光子發展關鍵：突破封裝與材料障礙 (2023.08.21)
最終的光電融合是3D共封裝光學，即三維整合。可以毫不誇張地說，基於矽光子的光電子融合，將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。 |
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imec觀點：微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。 |
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imec開發虛擬晶圓廠 鞏固微影蝕刻製程的減碳策略 (2023.03.19)
由國際光學工程學會（SPIE）舉辦的2023年先進微影成形技術會議（2023 Advanced Lithography and Patterning Conference）上，比利時微電子研究中心（imec）展示了一套先進IC圖形化製程的環境影響量化評估方案 |
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看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時，人工智慧應用越來越廣泛，未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性，需要經過改良的高性能半導體技術 |
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探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？ (2023.01.19)
大約5年前，imec研究團隊開始探索二元與三元化合物作為未來金屬導線材料的可能性，藉此取代金屬銅。他們設計一套獨特方法，為評估各種潛在的替代材料提供指引。 |
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評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程，並展望其新世代架構，包含叉型片（forksheet）與互補式場效電晶體（CFET）。 |
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冠橙科技光罩基板具有清洗、濺鍍和光阻塗佈技術特色 (2022.01.26)
隨著電子產品趨於輕薄短小，加工尺寸也相應的微小化，各種創新加工技術和各式各樣的微細製造模具也因應而生。由早期的印刷雕刻模具到半導體的微影曝光光罩，以及穿戴裝置產業需要更小的圖案、更大的尺寸及軟性模具等 |
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為台灣嵌入式記憶體技術奠基 國研院發表SOT-MRAM研發平台 (2021.11.09)
國研院半導體中心，今日舉行次世代嵌入式記憶體技術，「自旋軌道力矩式磁性記憶體（SOT-MRAM）」研究成果發表會。該記憶體採用垂直異向性的結構，不僅電耗更低、體積更小，同時讀寫的速度也更快，能夠整合至高性能的邏輯IC之中，進一步實現下世代的處理器晶片 |
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工研院攜手英商牛津儀器 共同研究化合物半導體 (2021.09.27)
在經濟部技術處的見證下，工研院攜手英商牛津儀器，簽署研究計劃共同合作，將鏈結雙方研發能量，建構臺灣化合物半導體產業鏈發展，搶攻全球市場。
經濟部技術處表示 |
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突破行動OLED顯示器量產瓶頸 (2021.06.16)
OLED在顯示器市場炙手可熱，在行動顯示與微顯示方面也浮現了一些技術挑戰。愛美科證實了光刻技術可望克服目前OLED顯示器主要製程的生產瓶頸，作為未來的首選解決方案 |
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用蝕刻改造二維材料物理特性 成大團隊創新研發石墨烯新結構 (2021.03.31)
半導體的開發與材料的物理特性緊密相連，但隨著人工智慧與5G應用對元件高功率、低功耗等性能的要求越來越高，材料的物理特性越來越常成為設計上的限制。用人造方式來調整材料的原子間距與排列 |
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科林研發打造革命性新蝕刻技術 推動下一代3D記憶體製造 (2021.01.29)
晶片製造商為智慧型手機、繪圖卡、和固態硬碟等應用所建構的3D 記憶體元件，促使業界持續透過垂直增加元件尺寸和橫向減小關鍵尺寸（CD）來降低每世代製程節點間的單位位元成本 |
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Manz推進大板級扇出型封裝建設 助力FOPLP產業化 (2020.03.16)
高科技設備製造商亞智科技（Manz），交付大板級扇出型封裝解決方案於廣東佛智芯微電子技術研究有限公司（佛智芯），推進國內首個大板級扇出型封裝示範線建設，是佛智芯成立工藝開發中心至關重要的一個環節，同時也為板級扇出型封裝裝備奠定了驗證基礎，從而推進整個扇出型封裝（FOPLP）行業的產業化發展 |
