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快捷半导体在PCIM China 发表功率电子技术演讲 (2010.05.21)
快捷将在6-1~3日,于上海举办的PCIM China 2010展会上发表论文及演讲,阐述功率电子技术的最新发展现况和未来的发展趋势。 快捷专家Robert Krause将发表一篇题为《优化功率MOSFET和IGBT的共模和差模噪声抑制》的论文


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