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EPC推出高功率密度100V抗輻射電晶體 滿足嚴格航太應用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗輻射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其總劑量等級大於1 Mrad，線性能量轉移的單一事件效應抗擾度為85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004與EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是採用晶片級封裝，這與其他商用的氮化鎵場效應電晶體（eGaN FET）和IC相同
意法半導體慶祝羅塞塔號成功登陸彗星 (2014.12.03)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）慶祝太空衛星羅塞塔號（Rosetta）及其探測器費利號（Philae）成功登陸彗星。羅塞塔號和費利號內建10,000餘顆意法半導體研發與製造的高可靠性抗輻射晶片
意法半導體慶祝羅塞塔號成功登陸彗星 (2014.11.28)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）慶祝太空衛星羅塞塔號（Rosetta）及其探測器費利號（Philae）成功登陸彗星。羅塞塔號和費利號內建10,000餘顆意法半導體研發與製造的高可靠性抗輻射晶片


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