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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同
意法半导体庆祝罗塞塔号成功登陆彗星 (2014.12.03)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）庆祝太空卫星罗塞塔号（Rosetta）及其探测器费利号（Philae）成功登陆彗星。罗塞塔号和费利号内建10,000余颗意法半导体研发与制造的高可靠性抗辐射芯片
意法半导体庆祝罗塞塔号成功登陆彗星 (2014.11.28)
意法半导体（STMicroelectronics；ST）庆祝太空卫星罗塞塔号（Rosetta）及其探测器费利号（Philae）成功登陆彗星。罗塞塔号和费利号内建10,000余颗意法半导体研发与制造的高可靠性抗辐射芯片


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