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SEZ發表全新單晶圓FEOL光阻去除解決方案 (2006.07.20)
半導體產業單晶圓溼式清洗解決方案的領導設備供應商SEZ Group，20日宣布其已發展出可簡化前段製程(FEOL)光阻去除程序之全新化學製程。SEZ專利的Enhanced Sulfuric Acid(ESA)去除製程使用一系列以硫酸為主要成分的化學製劑 |
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SEZ接獲晶圓製造商訂購Da Vinci的多機台訂單 (2006.06.26)
半導體產業單晶圓溼式清洗解決方案的設備供應商SEZ Group宣布其已接獲來自晶圓製造商訂購超過12台Da Vinci平台的多機台訂單。這些來自既有與新興的先進晶圓代工廠商客戶之訂單，繼先前韓國的訂購之後，進一步提昇了SEZ在亞太地區發展的潛能 |
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Soitec與SEZ合作加速應變絕緣矽基板的商業化時程 (2005.10.18)
Soitec Group與SEZ Group日前宣佈，雙方已著手計畫推動聯合開發計畫(JDP)，藉以加快新一代應變絕緣矽（sSOI）基板的商業化時程。在聯合開發計畫中，兩家公司將運用Soitec在工程基板的技術，以及SEZ在單晶圓、溼式處理技術之領先優勢，開發新型溼式蝕刻製程，提高在sSOI製程中去除鍺元素的作業效率 |
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SEZ與半導體廠合作開發對應FEOL洗淨解決方案 (2005.07.27)
全球半導體產業單晶圓溼式處理技術SEZ Group宣佈和一家記憶體元件廠達成合作研發計畫(JDP)的協議，針對量產型前段製程(FEOL)洗淨技術開發解決方案。雙方將合作開發先進的單晶圓溼式處理解決方案，大幅縮短65奈米以下製程的週期時間以提高良率、降低成本 |
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AVIZA與SEZ GROUP達成聯合開發協議 (2005.07.13)
提供熱處理製程與原子層沉積(ALD)系統全球供應商Aviza Technology以及全球半導體產業單晶圓溼式處理技術SEZ Group，宣佈雙方將合作解決新一代IC製程中ALD薄膜清除的挑戰。在合作研發的協議下，兩家企業計畫發揮自有的專業技術，針對各種ALD應用中先進薄膜的沉積與清除開發專屬解決方案，並將焦點放在晶圓的背面與晶邊上 |
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SEZ在日本成立矽晶背蝕刻展示據點 (2004.07.27)
SEZ Group宣佈在日本橫濱成立一處先進產品展示據點。新據點緊鄰眾多晶片製造大廠，名為客戶應用實驗室(Customer Application Lab, CAL)。本實驗室將針對該公司的矽晶背蝕刻工具提供展示與製程支援服務，協助客戶將這些工具應用在後段的組裝與封裝製程 |
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SEZ針對高階封裝製程推出新款晶圓蝕刻設備 (2003.12.15)
半導體設備廠商SEZ Group宣佈擴增其基板蝕刻工具的陣容，以滿足客戶對於更薄、更高效能IC封裝的需求所設計。新款Galileo工具命名為GL-210，運用SEZ在單晶圓系統方面成熟的旋轉處理技術，提供優異的晶圓研磨、表面處理、以及減壓（stress relief）處理，支援兩個主要新領域─後端的組裝與封裝以及前端的晶圓製造 |
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SEZ DV-38F系統獲台灣晶圓代工廠商採用 (2003.11.06)
半導體產業單晶圓洗淨技術業者SEZ Group日前宣佈該公司最新發表的DV-38F系統已獲得台灣某晶圓代工廠商的採用。DV-38F單晶圓溼式洗淨旋轉處理工具，是第一套運用SEZ創新Da Vinci平台的產品─一套能滿足90奈米及其以下設計規格的新一代元件之生產需求，提供穩定的處理效能與高產量的模組化多重反應爐架構 |
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CPLD──新一代MCU解決方案 (2003.07.05)
被廣泛運用在包括通訊、消費性電子等各種不同領域產品的MCU，因為同時擁有低成本及處理密集運算作業的能力而廣受歡迎。而可編程邏輯元件（PLD）如CPLD等，因能滿足市場對於低耗電可編程邏輯解決方案的需求，已經成為MCU市場的新解決方案；本文將介紹CPLD軟體核心MCU的內部構造與應用趨勢 |
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SEZ Group發表旋轉型潮濕表面處理創新方案 (2003.06.10)
SEZ Group近期發表旋轉型潮濕表面處理創新方案。新型Da Vinci系列方案具有最高產量與最小空間兩項優勢，為單晶圓製程提供高階的服務及可靠性。此款產品的模組化及多重反應室的設計能提供可靠的製程方案，進而大幅降低持有成本，同時滿足全球客戶對高產量製程的需求 |
