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Transphorm與偉詮電子合作推出新款整合型氮化鎵器件 (2024.04.25)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm與適配器USB PD控制器IC供應商偉詮電子Weltrend Semiconductor）今（25）日推出兩款新型系統級封裝氮化鎵器件（SiP），與去年推出的偉詮電子旗艦氮化鎵 SiP組成首個基於 Transphorm SuperGaN平台的系統級封裝氮化鎵產品系列 |
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Transphorm新型SuperGaN器件採用4引腳TO-247封裝 (2024.01.18)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款採用4引腳TO-247封裝的新型SuperGaN器件—TP65H035G4YS和TP65H050G4YS FET，各別具有35毫歐和50毫歐的導通電阻，並配有一個開爾文源極端子，以更低的能量損耗為客戶實現更全面的開關功能，因應高功率伺服器、可再生能源、工業電力轉換領域的需求 |
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Transphorm全新參考設計應用於兩輪和三輪電動車電池充電器 (2023.12.21)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm推出兩款針對電動車充電應用的全新參考設計。300W和600W恒流/恒壓（CC/CV）電池充電器採用Transphorm的70毫歐和150毫歐SuperGaN元件，以成本實現高效的AC-DC 功率轉換和高功率密度 |
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Transphorm與Allegro合作 提升大功率應用中氮化鎵電源系統性能 (2023.12.08)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm與為運動控制和節能系統提供電源及感測半導體技術的Allegro MicroSystems合作，使用Transphorm的SuperGaN場效應電晶體和Allegro的AHV85110隔離式柵極驅動器，針對大功率應用擴展氮化鎵電源系統設計 |
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Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐，為採用JEDEC標準（MO-332）TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵元件 |
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Transphorm新三款TOLL封裝SuperGaN FET 支援高功率能耗AI應用 (2023.11.07)
全球氮化鎵（GaN）功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET，導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準，可作為任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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Transphorm氮化鎵元件助力DAH Solar微型逆變器光伏系統 (2023.10.12)
世界首個整合型光伏（PV）系統採用Transphorm氮化鎵平台，DAH Solar是安徽大恆新能源技術公司子公司。該整合型光伏系統已應用在大恆能源的最新SolarUnit 產品。DAH Solar認為系統中所使用的Transphorm的GaN FET元件 |
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Transphorm推出新款TOLL FET 可支援高功率AI應用 (2023.10.11)
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管（FET），導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準，意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TOLL解決方案 |
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Transphorm新款SuperGaN FET驅動器方案適合中低功率應用 (2023.06.16)
全球氮化鎵（GaN）功率轉換產品供應商Transphorm 發佈一款高性能、低成本的驅動器解決方案。這款設計方案針對中低功率的應用，適用於LED照明、充電、微型逆變器、UPS和電競電腦，強化公司在此30億美元電力市場客戶的價值主張 |
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Transphorm攜手偉詮推出GaN SiP電源控制晶片 (2023.03.22)
Transphorm, Inc.與偉詮電子（Weltrend Semiconductor Inc.）今天宣佈雙方合作推出首款系統級封裝（SiP）的氮化鎵電源控制晶片。
偉詮電子新推出的WT7162RHUG24A電源轉換器控制晶片，設計用於為智慧手機、平板電腦、筆記型電腦和其它智慧設備充電的45至100瓦USB-C PD電源適配器 |
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飛宏新款65W配接器採用Transphorm氮化鎵技術 (2022.08.02)
全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏（Phihong）新推出65W 2C1A USB PD配接器，其中採用Transphorm公司的氮化鎵（GaN）技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術，這是一種氮化鎵場效應管（FET）平台，具有系統設計簡單，元件數量少，高性能，高可靠等優點 |
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Transphorm推出參考設計 加速氮化鎵電源配接器開發 (2022.06.27)
Transphorm推出七款參考設計，旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項，涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率（45W至140W） |
