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CTIMES / 多次燒錄唯讀記憶體
科技
典故
Intel的崛起-4004微處理器與8080處理器

Intel因為受日本Busicom公司的委託設計晶片,促成了4004微處理器的誕生,也開啟了以單一晶片作成計算機核心的時代。1974年,Intel再接再厲研發出8080處理器,和4004微處理器同為CPU的始祖,也造就了Intel日後在中央處理器研發的主導地位。
ST發表32Mbit快閃記憶體晶片-M58LW032A (2002.02.26)
ST日前發表了一款32Mbit快閃記憶體晶片-M58LW032A,它整合了所有數位消費性電子所需的完整功能。M58LW032A的主要功能包括了:56MHz的同步數據資料組、16位元數據匯流排、2.7~3.6V的操作電壓源(Vdd),並加上一個從1.8V~操作電壓的分離式電源微調(Vddq) I/O緩衝區電源供應器
創見推出1GB可攜式USB快閃硬碟 (2001.12.27)
專業記憶卡研發製造商-創見資訊,推出一系列USB介面之可攜式快閃硬碟(USB Flash Drive),此種可攜式儲存記憶體模組,其輕薄短小的體積與強大的功能性,將能帶給生活在數位時代消費者絕佳的便利性
ST的安全智慧卡平台開始採用0.18微米製程技術 (2001.11.28)
ST日前宣佈,該公司旗下所有安全智慧卡IC平台產品均開始採用0.18微米製程技術生產。移轉到0.18微米製程將使ST得以提供具有更高記憶體能力、更小裸晶尺寸以及更先進功能與增加增行能力的智慧卡IC產品
AMD新合資經營快閃記憶體晶片廠大幅提高0.17微米快閃記憶體的產量 (2001.11.15)
美商超微半導體(AMD)宣佈該公司新建的合資經營快閃記憶體廠已開始供應採用0.17微米製程技術製造的先進快閃記憶體產品。新的製程技術一方面可減低產品成本及功率消耗,而另一方面又可提高相關之應用方案的效能
SST進軍大陸市場 (2001.10.29)
快閃記憶體技術廠商超捷微電子科技(SST)日前於上海的Technology Openhouse研討會上,宣佈,該公司計畫透過大陸和全球授權的晶圓代工廠商,提供大陸設計公司嵌入式快閃記憶體的設計和生產;除了嵌入式快閃記憶體的IP矽智財權外
英特爾率先推出0.13微米製程快閃記憶體 (2001.10.24)
英特爾23日發表業界首套採用0.13微米製程生產的快閃記憶體,該款產品軟0.18微米生產的快閃記憶體體積縮小近50%,適用於小尺寸及低耗電的行動電話、視訊轉換器等,英特爾表示可望領先其他供應商兩個商品世代
英特爾推出新款Intel StrataFlash記憶體 (2001.09.27)
英特爾公司昨日推出一款新型快閃記憶體晶片,能提升行動電話、個人數位助理(PDA)、以及其它無線通訊裝置的效能。核心電壓為三伏特的Intel StrataFlash記憶體,它的同步式(Synchronous)資料讀取速度比傳統快閃記憶體快上四倍,使它成為各種掌上型裝置在執行程式碼與儲存資料方面的最佳方案
M-Systems DiskOnChip獲公信電子、意法半導體及台灣福特六和青睞 (2001.09.12)
快閃磁碟的廠商亞洲艾蒙系統(M-Systems)11日宣佈公信電子、意法半導體及台灣福特六和公司(由台灣六和集團與美國福特汽車集團合資)共同發展之車用影音電腦選擇使用M-Systems 的DiskOnChip 快閃磁碟為其作業系統及AP的儲存裝置並預計於第一年銷售達十萬台
東芝組織重整 華邦變動生產措施 (2001.08.29)
日本整合元件製造大廠東芝(Toshiba)昨日宣佈進行組織重整,將記憶體部門併入德國西門子旗下的億恆科技(Infineon)影響,DRAM製造技術來自於東芝的國內DRAM大廠華邦電子公司昨天傍晚透過華邦公司網路表示,將先召回日本的研發團隊,參與該公司零點一三微米動態隨機存取記憶體(DRAM)與快閃記憶體生產
英特爾NB處理器首次採用0.13微米製程 (2001.08.03)
英特爾下半年起增產0.13微米的晶圓,英特爾首次將筆記本型電腦用處理器轉入0.13微米,並將高階桌上型電腦用P4和PIII逐步轉入0.13微米,並且將於近日推出首批0.13微米的快閃記憶體產品
Flash供過於求 日商獲利萎縮 (2001.07.17)
快閃記憶體不久之前,在價格重挫的半導體產品中仍一支獨秀,也是去年促成日本電子製造商獲利強勁的主要動力。現在由於產能擴充太快,而且手機製造商的需求驟減,已出現供過於求
Microchip發表高密度I2C序列式EEPROM (2001.07.10)
Microchip Technology推出採用標準8針腳SOIC(0.208)封裝規格的高密度記憶體晶片。新型512 kbit I2C串列式EEPROM,為目前256 Kbit元件的使用者提供一套可移植的高密度EEPROM升級管道,同時繼續延用現有的封裝規格
宇瞻與SST合推嵌入式快閃記憶體儲存媒體元件 (2001.07.09)
隨著IA資訊家電市場的發展日益快速與多元化,記憶體模組供應商宇瞻科技日前宣布與其重要合作夥伴SST(Silicon Storage Technology),再度攜手推出新一代嵌入式快閃記憶體儲存媒體元件ADC(ATA-Disk Chips)與ADM(ATA-Disk Modules)
矽碟本季獲利不佳暫緩下單 (2001.06.15)
本季快閃記憶體價格下滑壓力大,壓縮半導體公司的獲利,矽碟(SST)美國總部發布獲利警訊,並表示今年第二季營收及盈餘將低於預期。並且預告合作對象可能減少或取消訂單
矽碟未來將主打32Mb快閃記憶體市場 (2001.06.06)
美商矽碟公司(SST)執行長葉炳輝五日表示,目前低迷的景氣是正常的狀況,今年年底預估景氣有機會重振。矽碟未來一、二年的策略重點將主攻32Mb快閃記憶體,搶佔手機的記憶體市場,與英特爾、超微(AMD)正面交鋒
英特爾StrataFlash記憶體計畫支援行動電話製造廠 (2001.06.01)
英特爾StrataFlash記憶體計畫支援行動電話製造廠 英特爾公司近日為其StrataFlash記憶體的ODM客戶建置完成一項新計畫,協助客戶以更快的速度設計與組裝行動電話。 四家臺灣行動電話ODM廠商──明碁電通、華宇通訊、仁寶通訊和致福電子──參與這項計畫,他們將享有優惠價格、優先供貨、軟體泊植和技術設計協助等
Flash價格下跌 國內廠商仍加重產能投入 (2001.05.19)
由於全球市場對手機的需求陸續加大,因此引發快閃記憶體(Flash)產能的急速擴增,影響所及,使得今年的第一季以來在價格上一直處於低檔不振,目前市場上16Mb的Flash降到6美元以下,這幾乎是去年下半年高點的半價,而國內記憶體廠商紛紛轉進生產,但毛利率大幅降低
ST推出512Kbit序列頁面快閃記憶體 (2001.05.09)
ST日前發表一款快速與易於使用的512Kbit快閃記憶體IC,特徵是能夠連續且隨機的進行讀取操作,具有頁面可程式化功能、區塊與全塊抹寫模式,以及一個20MHz的SPI相容序列匯流排
SST與南亞科簽訂快閃記憶體生產合約 (2001.05.08)
美商矽碟科技公司(SST)與台灣南亞科技公司簽約,矽碟科技將授權南亞科技代工該公司的快閃記憶體,預估明年初可以開始量產。南亞目前閒置的0.25微米的產能,將為SST生產core型快閃記憶體,預估最大產出為四千片八吋晶圓
Sandisk發表作為醫學測試的P-Tag快閃記憶卡 (2001.04.25)
Sandisk發表作為醫學測試的P-Tag(Personal Tag)快閃記憶卡,也是該公司第一項以Health Care市場所設計的可穿戴式儲存設備。此項為期3個月的測試在本月於達拉斯地區開始進行,並含括5000名以上的病患,每一位病患均可在小型、耐用的8MB之P-Tag上儲存其完整的病歷

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