CTIMES - Soi

格羅方德與Soitec達成RF-SOI晶圓供應協議滿足5G射頻需求 (2020.11.10)
特殊工藝半導體商格羅方德（GF）近日與梭意科技(Soitec)宣佈一項300mm射頻絕緣上覆矽（RF-SOI）晶圓的供貨為期多年的協議。梭意科技在設計和製造創新半導體材料領域同樣身為全球市場的尖端

Diodes Incorporated 推出訊號切換器、時脈產生器和時脈緩衝器 (2018.06.11)
Diodes Incorporated於加州聖塔克拉拉舉辦的 PCI-SIG開發人員大會上，推出一系列的訊號切換器、時脈產生器和時脈緩衝器產品，適用於PCI Express(PCIe) 4.0 技術應用。在PC、伺服器、嵌入式應用中不同通訊協定之間的訊號傳遞

FDX技術良性迴圈的開端 (2018.03.20)
格芯的22奈米和12奈米 FDX製程適合於低功率、移動和高度結合而成的SoC應用，對於很多客戶來說，這是最佳市場。

中國宣佈成功開發出8吋的SOI晶圓 (2008.11.28)
外電消息報導，中國科學研究院日前表示，已成功開發出第一片使用8吋晶圓的SOI晶片，該晶片的研發成功，意味著中國的晶片生產技術更往前邁進了一個里程碑。據報導，中國科學研究院上海微系統與資訊技術研究所，突破了清洗、鍵合（Bonding）、研磨和拋光等關鍵技術

IBM的45奈米SOI技術將使用Rambus的SerDes IP (2008.05.05)
美國Rambus公司正式宣佈，IBM已經採用了Rambus的SerDes IP內核。據了解，IBM將在其45nm的SOI製程技術中使用此種IP內核。 Rambus的SerDes IP內核採用可延展結構（Scalable Architecture），並支援1.25Gbps～6.4Gbps的資料傳輸速度

半導體料材技術動向及挑戰 (2006.11.23)
半導體製造技術能否持續突破，材料一直扮演著重要的角色，從過去最早初的鍺（Germanium；Ge），到之後普遍運用的矽（Silicon；Si），而近年來又有更多的新樣與衍生，以下本文將針對此方面的新用材、新趨勢發展，以及現有的技術難度等，進行一番討論

以Smart Cut技術站穩全球薄型SOI市場 (2006.09.06)
絕緣層上覆矽（Silicon on Insulator；SOI）是一種基板技術。傳統的矽晶圓正逐漸被含有三層結構的工程基板所取代，採用以SOI為基板的設計，晶片製造商可在半導體製程中，繼續使用傳統的製程與設備

日立宣布成功研發最小IC晶片 (2006.02.08)
根據外電消息報導，日立（Hitachi）對外宣布已成功開發世界最小的IC晶片。這將更加激化與東芝在先進半導體製造工藝的競爭態勢。 Hitachi製作所在6日於舊金山舉辦的國際固體電路會議中宣布，麾下所屬的中央研究所已開發出世界上最小最薄的非接觸型IC晶片，並已成功確認此晶片的實用功能

SOI製程讓摩爾定律不失效 (2003.10.05)
近兩年台灣晶圓雙雄的表現越來越出色，包括台灣的亞太地區也逐漸成為全球般導體製造中心，所以Soitec相當看好台灣半導體市場在SOI製程上的發展潛力，Michael Wolf認為，儘管目前台灣半導體製造業者採用SOI製程的比重仍低

Honeywell/Cypress合作SOI技術 (2002.12.19)
根據外電消息，為因應技術的不斷演進，Honeywell與Cypress將針對絕緣體矽片（SOI）技術，合作開發應用於衛星、導彈以及其它空間運載設備之晶片。該產品將使用Honeywell專利的輻射硬化SOI技術，以使用絕緣層保護晶片不受輻射的損害

SOI製程技術深受各大廠青睞 (2000.10.17)
國際商業機器公司（IBM）22日推出一批伺服器電腦，首次內建以先進「絕緣層晶片」（silicon-on-insulator，簡稱SOI）製程技術生產的微處理器，據稱效能可比現有技術提升20%到30%

IBM推出SOI銅製程新款AS/400e系列伺服器 (2000.08.08)
IBM表示，為因應企業在電子商業時代對伺服器高效能的龐大需求，IBM日前推出運用SOI(silicon-on-insulator, 矽絕緣層)銅製程技術的新款AS/400e系列，效能較既有產品提高至少30%

飛利浦CAN收發器銷售1億只 (2000.07.21)
飛利浦半導體(Philips)日前宣布，到目前為止，該公司已經銷售了1億只CAN收發器。飛利浦表示，隨著車內網絡(IVN)市場的增長，CAN收發器迅速成為汽車控制網絡的世界標準。飛利浦指出，隨著汽車製造商日益重視開發先進的IVN網絡，CAN收發器市場預計在未來數年內呈現巨大增長