CTIMES - 英飛淩

英飛淩全新CoolSiC MOSFET 750 V G1產品系列促進汽車和工業發展 (2024.03.29)
英飛凌科技（Infineon）推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET，以滿足工業和汽車電源應用對更高能效和功率密度日益增長的需求。該產品系列包含工業級和車規級 SiC MOSFET，針對圖騰柱 PFC、T型、LLC/CLLC、雙主動式橋式（DAB）、HERIC、降壓/升壓和相移全橋（PSFB）拓撲結構進行了優化

大聯大品佳推出基於Infineon產品的11kW DC-DC變換器方案 (2022.01.06)
隨著以電池供電的移動電子設備和分布式電源系統應用的飛速發展，人們對DC-DC電源模塊的性能提出更高的要求。除了常規的電性能指標外，人們希望其具備更小的體積、更大的功率密度、更高轉換效率的同時，能夠擁有良好的散熱功能

英飛淩推出分離式CoolSiC MOSFET模組化評估平台助碳化矽成為主流 (2020.05.25)
雙脈衝測試是設計人員要瞭解功率裝置切換特性的標準程序。為方便測試1200V CoolSiC MOSFET採用TO247 3針腳和4針腳封裝的驅動選項，英飛凌科技推出模組化評估平台，其核心包含一個主板與可互換的驅動器卡板，驅動器選項包括米勒鉗制和雙極供電卡；其他版本將於近期內推出

英飛凌加入CharIN 推動電動行動力全球標準 (2017.02.02)
【德國慕尼黑暨柏林訊】英飛淩科技（Infineon）是自動駕駛與電動車市場的重要廠商。適當的充電基礎設施，對於支持全球快速成長的電動車市場極為重要。身為全球自動駕駛和電動行動力半導體供應商，英飛凌支持混合動力與電動車充電基礎設施的全球化標準

客製化電子票證解決方案嘉惠俄羅斯的城市通勤 (2016.12.13)
【德國慕尼黑訊】英飛淩科技（Infineon）及 Udobny Marshrut公司（以下簡稱 UM）目前正在俄羅斯建置採用 CIPURSE 為基礎的可擴充電子收費系統，UM 已在伊熱夫斯克（Izhevsk）與安加爾斯克（Angarsk）展開作業，另外七個都會區也計劃在 2016 年年底前跟進，總計最終將有約 200 萬人可受益於這套客製化、易用且安全的公共運輸票證解決方案

適用於免接觸式開關與動作偵測的表面黏著雷達模組 (2016.11.22)
【德國慕尼黑暨多內杜夫訊】英飛淩科技（Infineon）與 InnoSenT 公司共同推出 24 GHz ISM 頻段運作的表面黏著雷達（SMR）動作偵測器。InnoSenT 的SMR系列產品內建英飛凌最新MMIC BGT24LTR11 24GHz 收發器，提供優異的高度功能性、低功耗及易安裝等優點

宜特獲評為「中國集成電路第三方實驗室最佳影響力企業」 (2016.04.11)
宜特大陸子公司-宜特(上海)檢測技術傳來捷報!宜特宣佈雙獲中國半導體行業協會評選為「2015-2016中國集成電路第三方實驗室年度最具影響力企業」及「2015-2016中國高階元器件ESD測試流程靜電防護年度最佳解決方案」，肯定宜特在大陸半導體市場的檢測驗證實力

Gartner公佈08年全球半導體銷售高通成長最快 (2009.04.12)
市場研究公司Gartner日前公佈了2008年全球半導體銷售報告。報告中顯示，2008年全球半導體銷售收入為2550億美元，較2007年減少了5.4%，而英特爾繼續依然位居龍頭的地位，高通則是成長速度最快的公司

英飛淩推出第三代SiC蕭特基二極體 (2009.02.20)
功率半導體暨碳化矽（SiC）蕭特基二極體供應商英飛凌科技在美國華盛頓特區舉辦之應用電力電子研討會暨展覽會（APEC）上宣佈推出第三代thinQ! SiC蕭特基二極體。全新thinQ!二極體擁有低裝置電容，適用於所有電流額定值，在更高的切換頻率以及輕負載的情況下，更能提升整體系統效率，有助於降低整體電源轉換的系統成本

英飛淩科技媒體春酒餐會 (2009.01.08)
Infineon 為了答謝所有媒體朋友這一年來的支持與愛護，與台灣英飛淩科技總經理汪福波及各部門高階主管們，正式見面及餐敍；活動當天除了美食外，還準備了精美禮品

降低能源損耗「飛」我莫屬 (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

專訪：英飛淩多元市場資深技術總監Leo Lorenz (2008.10.13)
生活中各個角落無不需要使用電力，然而電源的損耗也正在這些電子設備與線路的傳遞處理中一點一滴流逝。也因此半導體廠商所汲汲營營的，正是不斷開發出更新的半導體架構，讓電能的使用效率能夠達到更高，降低損耗，不僅使用者能更節省能源支出，也相對為環境的保護多出一份心力

英飛淩推出DECT 6.0/CAT-iq晶片 (2008.05.28)
英飛淩科技在 2008有線電視展上公布一項具成本效益的DECT方案，表示該方案若與DOCSIS 3.0晶片結合，可為北美有線服務提供者創造一個平台，以利在DECT 6.0無線電話上部署下一代的VoIP(Voice-over-IP)服務

東芝加入IBM聯盟共同研發32奈米製程技術 (2007.12.19)
外電消息報導，東芝（Toshiba）於周二（12/18）宣佈，將加入由IBM領軍的半導體產業聯盟，共同研發32奈米的半導體製程技術，以降低整體的研發成本。這個由IBM所領軍的半導體產業聯盟目前已有多家知名的半導體廠加入，包括美國AMD、韓國三星電子、新加坡特許半導體、德國英飛淩以及美國飛思卡爾半導體等

IBM偕AMD等六大晶片商共同開發32奈米處理器 (2007.12.12)
外電消息報導， IBM偕同AMD、飛思卡爾（Freescale）等六大晶片廠商於日前共同宣佈，已在32奈米製程研發上取得重大突破，首款採用32奈米的處理器預計於2009年上市。相較於目前的45奈米製程，新的32奈米技術可進一步縮小處理器的體積，縮小幅度高達50%，而且還能減少漏電的問題

第二季10大半導體廠排名公佈高通首次擠進 (2007.08.26)
外電消息報導，市場研究機構iSuppli日前公佈了2007年第二季十大半導體廠商名單。其中英特爾(Intel)與三星電子(Samsung)仍高居第一、二名，而沒有建置半導體生產工廠的高通（Qualcomm）則首次擠進前10名，成為第二季中意外的黑馬

IBM將與合作夥伴開發32奈米CMOS製程技術 (2007.06.01)
IBM與數家LSI製造商日前已就共同開發32nm製程技術及生產技術達成了協議。這些廠商未來將合作開發用於邏輯LSI晶片之Bulk CMOS製程。IBM與這五家公司的合作將持續至2010年，而32nm製程LSI晶片也將從2009年第四季開始生產

三星、IBM等四公司合作開發65nm製程技術 (2004.03.09)
韓國三星電子與IBM等公司將合作開發65nm邏輯LSI的半導體製程技術。據日經BP社消息指出，三星電子將參加IBM、新加坡特許半導體(Chartered)、英飛淩科技三公司正在進行的65nm半導體製程技術的聯合開發，上述四公司將來還準備聯合開發45nm製程技術