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ASM研發提升45nm High-k製程1倍產量的ALD技術 (2009.02.09)
ASM日前宣佈，其已成功開發出一種高速原子層沈積製程，能夠為45nm high-K 閘極製程提升一倍氧化鉿(HfO2) 薄膜的產量，進而延伸在關鍵原子層沉積(ALD)市場的領導地位。
新的高速ALD製程是專門設計在ASM的Pulsar製程模組上運作，並可使用既有的反應爐設備設計透過專利的製程最適化技術達成產能的提升 |
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ASM和SAFC簽訂認證製造廠商與合作協定 (2009.01.16)
ASM International N.V.和 Sigma-Aldrich子公司SAFC旗下的SAFC Hitech宣布針對進階超介電常數絕緣層(advanced Ultra High-k insulators)之特定原子層沉積(ALD)原料簽訂認證製造廠商與合作協定。 該協定提供化學原料之認證標準、特定ASM ALD 專利之授權許可，以及針對這些化學原料的行銷與進階開發合作關係 |
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半導體料材技術動向及挑戰 (2006.11.23)
半導體製造技術能否持續突破，材料一直扮演著重要的角色，從過去最早初的鍺（Germanium；Ge），到之後普遍運用的矽（Silicon；Si），而近年來又有更多的新樣與衍生，以下本文將針對此方面的新用材、新趨勢發展，以及現有的技術難度等，進行一番討論 |
