帳號：
密碼：
CTIMES / Iii-v族
科技
典故		 電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
超越矽晶(1) III-V族取代矽晶機會濃 (2012.11.22)
半導體製程微縮已近尾聲，儘管研究人員運用超薄SOI、high-k閘極電介質、雙閘CMOS、三維FinFET等各種技術，一般認為矽晶CMOS將於2020年微縮至10至7奈米，便真正面臨極限。 那麼，2020年後的半導體產業將會是甚麼樣貌？除了蓋18吋超大晶圓廠、發展3D IC技術外，還有甚麼樣的可能性？ 耶魯大學電機工程教授及中央研究院院士馬佐平博士(T

  十大熱門新聞

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 讀者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw