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CTIMES / Sot-mram
科技
典故		 電子工業改革與創新者 - IEEE

IEEE的創立，是在於主導電子學的地位、促進電子學的創新，與提供會員實質上的協助。
創新SOT-MRAM架構 提升新一代底層快取密度 (2023.04.17)
要將自旋軌道力矩磁阻式隨機存取記憶體（SOT-MRAM）用來作為底層快取（LLC），目前面臨了三項挑戰；imec在2022年IEEE國際電子會議（IEDM）上提出一套創新的SOT-MRAM架構，能夠一次解決這些挑戰

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