目前有数家晶片制造商，正致力于开发名为STT-MRAM的新一代记忆体技术，然而这项技术仍存在其制造和测试等面向存在着诸多挑战。 STT-MRAM（又称自旋转移转矩MRAM技术）具有在单一元件中，结合数种常规记忆体的特性而获得市场重视。在多年来的发展中发现，STT-MRAM具备了SRAM的速度与快闪记忆体的稳定性与耐久性。 STT-MRAM是透过电子自旋的磁性特性，在晶片中提供非挥发性储存的功能。

STT-MRAM受市场关注

尽管，STT-MRAM这项技术看起来虽然有其优势，却也高度复杂，这就是为什么它的发展历程比预期的时间还更长。包括三星、台积电、英特尔、GlobalFoundries 等，都正在持续开发STT-MRAM技术。尽管如此，晶片制造商在其晶圆设备上面临到一些挑战，例如必须改进现有的生产设备，并将其升级到支援28nm或22nm甚至更新的奈米制程。
...
...