外電消息報導，三星電子與海力士半導體於週三（6/25）共同宣佈，將合作發展下一代的半導體晶片，並推動450mm的18吋晶圓廠標準。

據報導，三星與海力士共同表示，雙方將合作進行旋轉力矩轉移-磁性隨機記憶體(STT-MRAM)晶片的研發工作，並將致力於使其成為下一代450毫米晶圓的行業標準。雙方表示，研發工作將於8月份開始著手實施，而新一代的晶片市場將在2012年左右，會逐漸趨於成熟。

STT-MRAM為MRAM技術中的一種，其對透過穿隧磁阻(TMR)元件的電子旋轉方向進行極化，以改變自由磁層的磁化方向，因而實現數據寫入。由於不使用外部磁場，旋轉力矩型MRAM比傳統的MRAM消耗更少的能量，而且更易微縮，而其他的結構與傳統MRAM相同。