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英飞凌闸极驱动 IC 1EDN提供低功耗和高稳定度
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年11月09日 星期三

浏览人次:【4541】

【德国慕尼黑讯】英飞凌科技(Infineon)推出 1EDN EiceDRIVER 系列产品。该款 1 通道的低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。其脚位输出与封装方式完全相容于业界标准,便于直接在现有设计中作替换。举凡电信和工业用 SMPS、DC-DC 转换器、电动车充电站的 PFC 以及 AC 电动工具、UPS、空调与风扇等工业方面的运用,都能充分发挥这款驱动 IC 的优异效能。新系列同时支援无线充电的应用。

英飞凌 1EDN EiceDRIVER 系列低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。
英飞凌 1EDN EiceDRIVER 系列低侧闸极驱动 IC 适用于驱动 MOSFET、IGBT 以及 GaN 等功率装置。

更低的内部功耗

相较于其他 1 通道的低侧闸极驱动 IC,英飞凌 1EDN EiceDRIVER 系列的内部功耗极低,领先业界。低欧姆的输出阶段让效率提升了 30% 以上,在同样散热预算的条件下,造就了更多设计上的灵活性,并可驱动更多电动装置。

1EDN 系列在输出上具有稳固 5 A 反向电流,在以 TO-220 或 TO-247 封装常见的大量寄生源电感驱动 MOSFET 时,就不必再仰赖保护二极体。全新驱动 IC 可协助客户节省 BoM 以及 PCB 面积。

1EDN 系列产品稳固的 -10 V 输入,在驱动闸极变压器时可维持接地偏移方面的重要安全限度。多一份杂讯上的稳固性,可保护驱动 IC 的输入或闩锁,抵抗电应力的影响。此外,1EDN 系列的部分型号,还具备独立的流出与流入端子。如此更能简化开关速度的优化作业,同时省下一个外接二极体。 1EDN EiceDRIVER系列已开始量产,并将于慕尼黑电子展(electronica 2016)展出。

参展资讯

英飞凌参与 electronica 2016(2016 年 11 月 8 至 11 日,德国慕尼黑)

全球的发展朝向更智慧化与联网化。在 2016 年德国慕尼黑电子展中,英飞凌将发表令人振奋的演示与产品解决方案,帮助未来的车辆、工厂、住家变得更智慧、安全、节能。想了解最新产品与示范说明,请亲临 A5 展览馆 506 摊位。

關鍵字: 低侧闸极驱动 IC  MOSFET  IGBT  GaN  Infineon  Infineon  系統單晶片 
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