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宜特完成28奈米IC電路修改除錯技術
 

【CTIMES/SmartAuto 黃弘毅報導】   2012年02月16日 星期四

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隨摩爾定律的腳步,半導體市場在2012年將會正式跨入28奈米製程世代。宜特日前宣佈,該公司從2010年開始佈局,2011年與知名IC設計大廠合作,歷經研究測試,2012年正式突破技術門檻,不僅替客戶完成難度極高的28奈米最小線寬修改,且電路除錯能力更深入至IC最底層(Metal 1)。

宜特表示,28奈米是現今市場上各大廠欲跨入的製程,此製程可為IC產品帶來更高的效能,更低的能耗,與更輕薄短小的尺寸,相當符合現今行動裝置的需求,因此許多大廠紛紛導入。

不過,28奈米製程亦有技術上的挑戰。宜特科技可靠度與FIB工程處副總經理崔革文表示,28奈米在設計與佈局上的複雜度大幅升高,並且很難有一套通用的可製造性設計(Design for manufacture,DFM)模型來確保設計與佈局的正確性,將導致IC設計業者須進行更為頻繁的光罩改版,增加時間成本與金錢成本的負擔,一套28奈米光罩要價近2億台幣,是40奈米的好幾倍,往來重新下光罩亦需一個多月。

因此,許多業者採FIB(Focused ion beam,聚焦離子束)線路修改技術,藉此省去光罩改版的時間與金錢成本。崔革文說:「FIB在28奈米產品的除錯與驗證上勢必將扮演更為重要的角色。」

FIB工程處經理 許如宏表示,早在2010年,宜特即展開28奈米IC線路修改的研究與佈局,針對最底層(Metal 1)的極小線路作修改測試,並從極小間距中,研究如何設定正確參數將訊號引出,還可利用獨有的低阻值連線技術(宜特已有中華民國專利),克服過大阻值易造成高頻訊號的延遲與失真,目前在各個環節上均已完成驗證,技術能量已可滿足現今所有先進製程產品的除錯與驗證需求。

許如宏進一步指出,工欲善其事,必先利其器,宜特除了擁有技術外,亦在這兩年,建造完成國內唯一同時擁有可勝任40奈米與28奈米線路修改的實驗室,除了一般的Front-side FIB技術外,亦可支援Back-side FIB線路修改技術。

Back-side FIB其原理是從IC晶片的背面(即矽基材端)來進行線路修改,該相關技術近年來受到高度矚目,其需求亦日益趨多。特別在連線密度與I/O數都特別高的28奈米製程上,由於需要更多層的金屬連線與更高比例的覆晶封裝(Flip Chip)形式,也因此,使用Back-side FIB線路修改將成為未來主流。

關鍵字: 宜特科技  崔革文  許如宏  測試系統與研發工具 
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