意法半導體（ST）推出新款SCT20N120碳化矽功率MOSFET，其先進的能效與卓越的可靠性將為更多節能應用帶來技術優勢，包括純電動汽車和混合動力汽車的逆變器、太陽能或風力發電、高能效驅動器、電源以及智慧電網設備。

意法半導體擴大碳化矽MOSFET系列為應用帶來寬能隙技術

意法半導體推出1200V SCT20N120進一步擴大了碳化矽MOSFET產品系列，具有小於290m?的導通電組（RDS(ON)）及高達200°C的最大工作接面溫度等諸多特性優勢；其高度穩定的關機能源（Eoff）與閘極電荷（Qg）可使開關性能在整個工作溫度範圍內表現始終如一。最終的低導通和切換損耗結合超低漏電流將有助於簡化熱管理設計，並最大幅度地提高可靠性。

除更低的電能耗損外，意法半導體的碳化矽MOSFET的開關頻率也同樣出色，較同等級的矽絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）高出三倍，這讓設計人員能夠使用更小的外部元件，進而縮減產品尺寸、重量以及材料成本。SCT20N120的耐高溫特性可大幅簡化電源模組、電動汽車等應用的冷卻／散熱系統（cooling-system）設計。

SCT20N120採用意法半導體獨有的HiP247封裝，其更高的熱效率可使管線在最大工作溫度高達攝氏200度時，依然能夠維持與TO-247工業標準功率封裝外型相容。SCT20N120目前已開始量產。