一年一度的CES 2013消費者電子展已完美落幕，各家廠商無不奮力展示自家極具創新的技術與產品。可以預見的是，2013絕對還是行動裝置設備的大時代，連一向統治PC領域多年的Intel，也不得不對臣服於這波『行動裝置勢力』狂潮。如今，黑潮來襲，誰能夠在這行動裝置市場裡捕撈最豐富的漁獲，就必須看各家行動裝置晶片廠商口袋中的法寶為何，才能夠在2013年的開始蓋上第一塊敲門磚。

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以下為各家廠商於CES2013會場上所發佈行動裝置晶片處理器匯集：

1.Nvidia Tegra4：

全新的Tegra4，主要架構與Tegra 3相同，採用的是4+1設計的處理器，並且使用Cortex-A15架構。而4+1的運行原理為當處於高速運算時，就會使用4核心來運算，但如果是在一般模式下時，便只會使用另一顆低功耗核心來進行運算，以便達到效能兼具省電之間的平衡，Tegra 4的四個核心最高頻率可達1.9GHz。而Tegra 4的製程技術是採用台積電28nm HPL，其特點是低功耗加高K金屬柵極，與28nm HPM的不同之處是更注重漏電率與性能之間的平衡。

2.Intel 22nm Atom Bay Trail：

Intel Atom Bay Trail為第一款四核心Atom處理器，基於22nm製程技術，主要使用於平板電腦。Bay Trail是截至目前最強大的Atom處理器，運算效能是Intel上一代平板電腦產品的2倍之多。此款晶片採用三柵極電晶體技術，以及四核心SoC，效能可提昇50%-100%，而在圖形處理效能方面比起Gen7顯示晶片提升3倍。

同時，Bay Trail能夠執行DirectX 11版本，對於解析度支援高達2560*1600。並具有DDR3L 高速記憶體、支援USB 3.0。Intel官方表示：「藉由Bay Trail，將可充分利用Intel的核心運算優勢，能夠在目前系統晶片開發基礎上升級、加速。Intel將充分利用豐富的軟體資產以及專長。」，而Bay Trail將預計在2013年年底上市。

3.三星Exynos 5 Octa：

三星Exynos 5 Octa八核心處理器採用ARM的big.LITTLE處理器技術，Cortex -A15架構部分採用28nm製程。嚴格來說Exynos 5 Octa並非真正的八核心處理器，而是在一個晶片封裝中包含兩個四核心晶片，其分別為1.8GHz的Cortex-A15架構以及1.2GHz的Cortex-A7構架。該處理器不僅能夠在提供高效能的同時兼顧節能，四個A15核心負責處理遊戲與高畫質影片等效能需求較高的工作，另外四個Cortex A7核心則負責用於處理處理文件以及電話等效能需求較低的工作。

Exynos 5 Octa八核處理器效能遠高於採用Cortex-A15架構的Exynos 5 Dual雙核心處理器，加上採用Mali-T600 系列圖形處理核心，其3D圖型處理效能更是當前Exynos 4四核心處理器的兩倍之多。至於令人關心的耗電問題，三星當然不會因為追求高效能而失了裡子，Exynos 5 Octa八核處理器在耗電方面最高可節省70%電力，可說是高效能低耗電。

4.Qualcomm Snapdragon 800、600、400、200系列處理器

Qualcomm在CES 2013消費性電子展覽上發表了新一代Snapdragon處理器，將原有的S1、S2、S3、S4系列代號更改命名為 200、400、600、800系列，以及使用全新核心架構，並且搭配顯示高效能的Adreno 330 GPU，更支援LPDDR3記憶體，以提供強大的運算效能。Snapdragon 800為最高等級，採用的是28nm HPm製程技術，其最高運算時脈可達2.3Ghz，官方表示比起Snapdragon S4 Pro效能高出75%。

而新版本的Krait 400架構不僅提昇多媒體處理能力，亦能保有低功耗。也有效改善電力損耗，主要鎖定中高階手機、平板電腦與智慧型電視等市場，2013年年中將可望看到搭載Snapdragon 800的相關產品上市。另外，Snapdragon 600應用於中高階行動裝置設備，其特色為擁有高效能還能維持低功耗；Snapdragon 400則適用於中低階行動裝置設備；Snapdragon 200則鎖定入門款行動裝置設備。

5.中國瑞芯微四核心RK3188

中國晶片廠商瑞芯微發佈首顆基於28nm製程技術之四核心晶片RK3188，該晶片的市場定位鎖定在平板電腦。採用Cortex-A9核心，比起Cortex-A7效能提升35%，而在GPU效能部分採用ARM Mali-400所以比Tegra 3快上40%。

RK3188除了內建高效能2D加速硬體，並配備High-Speed Inter Chip高速通訊連接埠，支援超高畫質解析度，未來還能支援Android4.2及更高版本。除了大幅提昇效能之外，憑藉著28nm製程技術也獲得更低的功耗。RK3188使用了HKMG（高介電常數金屬閘極）技術，能夠在防漏電方面表現更為出色。