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Nordic Semiconductor下一代无线SoC为物联网应用提高性能和灵活性 (2024.11.21)
Nordic Semiconductor发表nRF54L系列无线SoC产品，包括nRF54L15及全新的nRF54L10和nRF54L05。这一产品系列提供增强的效率、卓越的处理能力和多样化设计选项，以满足日益广泛的低功耗蓝牙和物联网应用及客户需求 |
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力旺电子和联电合作22奈米RRAM可靠度验证 对应AIoT和行动通讯市场需求 (2023.03.28)
力旺电子与联华电子今（28）日宣布，力旺的可变电阻式记忆体（RRAM）矽智财已通过联电22奈米超低功耗的可靠度验证，为联电的AIoT与行动通讯应用平台提供更多元的嵌入式记忆体解决方案 |
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打造更美好的人工智慧晶片 (2020.11.13)
由于7奈米及更先进制程愈趋复杂昂贵，正采用不同方法来提高效能，亦即降低工作电压并使用新IP区块来强化12奈米节点，而这些改变对于AI加速器特别有效。 |
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Arm实体IP用於台积电22奈米ULP/ULL 最隹化主流行动与物联网SoC (2018.05.04)
Arm宣布旗下Arm Artisan实体IP将使用在台湾积体电路制造股份有限公司针对基於Arm架构的SoC开发的22奈米超低功耗(ultra-low power ；ULP)与超低漏电(ultra-low leakage； ULL)平台，台积电22奈米ULP/ULL针对主流行动与物联网装置进行最隹化，不仅提升基於Arm架构的SoC效能，与台积电前一代28奈米HPC+平台相比，更显着降低功耗及晶片面积 |
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意法半导体选择GLOBALFOUNDRIES 22FDX 扩展其FD-SOI平台 (2018.01.11)
GLOBALFOUNDRIES （格罗方德半导体，GF）宣布意法半导体（ST）选择GlobalFoundries 22奈米 FD-SOI（22FDX）技术平台，以支援用於工业及消费性应用的新一代处理器解决方案。
意法半导体在业界部署28奈米FD-SOI技术平台後，决定扩大投入及发展蓝图，采用GlobalFoundries生产就绪的22FDX制程及生态系统，提供第二代FD-SOI解决方案，打造未来智慧系统 |
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中国大陆晶圆代工厂冲刺28奈米制程 (2017.04.10)
随着联电厦门子公司联芯的28奈米先进制程计画在今年第二季正式量产，TrendForce旗下拓墣产业研究院指出，中国大陆本土晶圆代工厂今年将冲刺在28奈米先进制程的布局，进度最快的本土晶圆代工厂为中芯国际与华力微电子，然而，随着外资纷纷于中国大陆设立晶圆厂，本土晶圆代工厂面临技术、人才、市场上的直接竞争压力 |
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GLOBALFOUNDRIES推出22奈米FD-SOI技术平台 (2015.07.15)
为满足下一代连网装置超低功耗的需求，GLOBALFOUNDRIES推出研发的最新半导体技术：22FDX平台，能达到如FinFET的性能和能效，成本趋近于28奈米平面式（Planar）技术，适用于不断推陈出新的主流行动、物联网、RF连结及网路市场 |
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艾讯新款15吋IP65宽温触控平板计算机适用于智能工厂 (2015.02.24)
艾讯公司（Axiomtek）全新发表超薄型无风扇全平面触控式平板计算机GOT3156T-834，配备15吋 XGA（1024 x 768）TFT 触摸屏，400 nits 高亮度呈现清晰的视觉效果，并配备符合工业级IP65等级防水强固标准前面板，保护系统免受液体侵害 |
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奈米新世界 (2014.11.13)
随着奈米元件在多项领域里不断被预期能大幅提升效率，
奈米相关研究在学术界里扮演的角色也越趋重要，
然而衍生的理论皆与传统的元件物理大相径庭，
要在奈米科技世代里崭露头角势必要提前布局 |
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英特尔 22奈米详细介绍简报档-英特尔 22奈米详细介绍简报档 (2011.09.15)
英特尔 22奈米详细介绍简报档 |
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英特尔的22奈米晶体管技术革命-英特尔的22奈米晶体管技术革命 (2011.08.30)
英特尔的22奈米晶体管技术革命 |
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我挺摩尔定律！ (2011.05.27)
台积电董事长张忠谋四月底一席「半导体摩尔定律将在6至8年到达极限」的言论，再次引发业界对于摩尔定律是否能够延续的讨论。身为全球最大半导体整合制造商，英特尔五月初正式对外公布可量产的立体三闸晶体管技术（3-D Tri-Gate transistors），这项技术自2002年开始发展，将是半导体产业能否继续按照摩尔定律往下走的重要依据 |
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英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档-英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档 (2011.05.06)
英特尔22奈米的3D三栅极晶体管简报档 |
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2010先进半导体制程材料分析研讨会 (2010.06.09)
为协助半导体产业改善先进制程材料所带来的失效问题，宜特科技特举办此研讨会，与客户分享在材料分析领域上的实战经验，包括对表面分析极为灵敏的Auger、能定点切中奈米级(22nm以上)区域的 Dual Beam FIB以及超高分辨率的TEM(穿透式电子显微镜) |
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后摩尔定律时代 (2009.09.27)
知名物理学大师费曼早在多年前就预测：「其实下面还有许多空间」，英特尔科学家摩尔也据此提出晶圆效能与密度每18个月就会扩增一倍的「摩尔定律」。虽然多年来半导体工业随着摩尔定律而蓬勃发展 |
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ASM研发提升45nm High-k制程1倍产量的ALD技术 (2009.02.09)
ASM日前宣布，其已成功开发出一种高速原子层沈积制程，能够为45nm high-K 闸极制程提升一倍氧化铪(HfO2) 薄膜的产量，进而延伸在关键原子层沉积(ALD)市场的领导地位。
新的高速ALD制程是专门设计在ASM的Pulsar制程模块上运作，并可使用既有的反应炉设备设计透过专利的制程最适化技术达成产能的提升 |
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18吋晶圆有谱 半导体制造联盟2010年推设备样本 (2008.10.29)
外电消息报导，国际半导体制造联盟（International Sematech）日前表示，18吋晶圆的生产设备样本，将有望在2010年推出，而提供试产线(pilot line)使用的设备，也将在2012年问世 |
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联电致力发展22奈米以下制程12吋晶圆 (2008.08.04)
半导体研究开发协会美国Sematech与联电（UMC）在2008年7月28日共同宣布，联电已经决定加盟Sematech。据了解，联电加盟该协会之后，未来将致力于研发包括22nm以后制程技术的12吋晶圆技术 |
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罗门哈斯亚洲科技中心开幕 (2008.07.10)
罗门哈斯电子材料(Rohm and Haas Electronic Materials)CMP Technologies事业部宣布在台湾新竹的亚洲科技中心(ATC)正式开幕。ATC的成立使CMP Technologies事业部更密切地与以亚洲为基地的客户进行合作，并协助客户最有效地使用高阶 CMP制程与耗材，同时提供整个亚太地区的工程与技术支持 |
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瑞萨可实现32 nm及后续世代制程SRAM之技术 (2007.06.14)
瑞萨科技近日宣布开发可有效实现32 nm（奈米）及后续世代制程SRAM之技术，使内建于芯片（on-chip）之SRAM可整合至微处理器或SoC（系统单芯片）。
这项新开发的技术利用SOI（Silicon On Insulator）技术，并个别控制组成SRAM之三种晶体管主体（底层部分）之电位，以大幅扩大SRAM的作业边际（margin） |
