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英飞凌CoolSiC MOSFET 400 V重新定义 AI 伺服器电源功效 (2024.06.26) 随着人工智慧(AI)处理器对功率的要求日益提高,伺服器电源(PSU)必须在不超出伺服器机架规定尺寸的情况下提供更高的功率,因为高阶 GPU 的能源需求激增。至2030 年,每颗高阶 GPU 晶片的能耗可能达到 2千瓦或以上 |
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英飞凌功率半导体为麦田能源提升储能应用效能 (2024.04.19) 近年来全球光储系统(PV-ES)市场快速增长。光储市场竞争加速,提高功率密度成为厂商得胜关键;英飞凌科技(Infineon)为逆变器及储能系统制造商麦田能源提供功率半导体元件,共同推动绿色能源发展 |
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英飞??全新CoolSiC MOSFET 750 V G1产品系列促进汽车和工业发展 (2024.03.29) 英飞凌科技(Infineon)推出 750V G1 分立式 CoolSiC MOSFET,以满足工业和汽车电源应用对更高能效和功率密度日益增长的需求。该产品系列包含工业级和车规级 SiC MOSFET,针对图腾柱 PFC、T型、LLC/CLLC、双主动式桥式(DAB)、HERIC、降压/升压和相移全桥(PSFB)拓扑结构进行了优化 |
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英飞凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 产品提供高功率密度 (2024.03.14) 英飞凌科技(Infineon)推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V装置,除了能够满足设计人员对更高功率密度的需求,即使面对严格的高电压和开关频率要求,也能够维持系统的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率 |
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英飞凌与英飞源合作 拓展新能源汽车充电市场 (2023.09.25) 基於碳化矽(SiC)的功率半导体具有高效率、高功率密度、高耐压和高可靠性等诸多优势,为实现新应用和推进充电站技术创新创造了机会。近日,英飞凌科技宣布与中国的新能源汽车充电市场相关企业英飞源 (INFY) 达成合作 |
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英飞凌新一代1200V CoolSiC沟槽式MOSFET 推动电动出行的发展 (2023.07.05) 英飞凌推出采用TO263-7封装的新一代车规级1200 V CoolSiC MOSFET。这款新一代车规级碳化矽(SiC)MOSFET具有高功率密度和效率,能够实现双向充电功能,并显着降低了车载充电(OBC)和DC-DC应用的系统成本 |
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英飞凌CoolSiC功率模组 推动节能电气化列车迈向低碳化 (2023.06.05) 为了实现全球气候目标,交通运输必须转用更加环保的车辆,比如节能的电气化列车。然而,列车运行有严苛的运行条件,需要频繁加速和制动,且要在相当长的使用寿命内可靠运行 |
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英飞凌推出 HybridPACK Drive G2 适用於新型汽车功率模组 (2023.05.11) 英飞凌科技股份有限公司近日推出一款新型汽车功率模组HybridPACK Drive G2。该模组承袭了成熟的HybridPACK Drive G1整合B6封装概念,在相同尺寸下提供可扩展性,并扩展至更高的功率和易用性 |
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Bloom Energy选用英飞凌CoolSiC功率元件 助力电源供应 (2022.10.28) 当前的能源危机充分表明全球迫切需要寻找替代能源以建构气候友善型的能源供应能力。总部位於美国加州的 Bloom Energy 公司近期选用了英飞凌科技股份有限公司的CoolSiC MOSFET和CoolSiC二极体产品,用於该公司燃料电池产品 Bloom’s Energy Server 以及 Bloom Electrolyzer 电解系统中的功率转换 |
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英飞凌CoolSiC助力台达双向逆变器 化EV为家庭紧急备用电源 (2022.08.03) 英飞凌科技股份有限公司宣布旗下CoolSiC产品获得全球领先的电力与能源管理解决方案供应商台达电子(Delta Electronics)选用,助力台达朝向利用绿色电力实现能源转型与碳中和的目标迈出了一大步 |
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英飞凌携手台达 以宽能隙元件抢攻伺服器及电竞市场 (2022.07.08) 数位化、低碳等全球大趋势推升了采用宽能隙(WBG)元件碳化矽/氮化??(SiC/GaN)的需求。这类元件具备独特的技术特性,能够助力电源产品优化性能和能源效率。
英飞凌科技股份有限公司与台达电子工业股份有限公司两家全球电子大厂 |
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英飞凌扩展CoolSiC系列高电压产品 符合1500 VDC应用需求 (2022.06.08) 高功率密度的需求日益成长,因此推动了开发人员在其应用中采用1500 VDC系统规格,以提高每台逆变器的额定功率和降低系统成本。不过,1500 VDC型系统在系统设计上带来更多挑战,例如在高DC电压下快速切换,这通常需要多层次拓扑,因此需要复杂的设计和相对较多的元件数量 |
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英飞凌推出全新CoolSiC技术产品组合 大幅提高灵活性 (2022.04.22) 英飞凌科技股份有限公司推出全新CoolSiC技术:CoolSiC MOSFET 1200 V M1H。这款先进的碳化矽(SiC)晶片将透过常见的Easy模组系列以及.XT互连技术的独立封装,建置於广泛扩充的产品组合 |
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英飞凌推出650 V CoolSiC MOSFET 展现极高系统可靠性 (2022.04.01) 英飞凌科技股份有限公司推出650 V CoolSiC MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点,能够提供卓越的性能。
这些SiC元件采用英飞凌先进的SiC沟槽式工艺、精简的D2PAK表面贴装 7 引脚封装和 |
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英飞凌推出XHP 2功率模组 降低有轨电车能耗与引擎噪音 (2022.03.08) 英飞凌科技股份有限公司将推出采用XHP 2封装,采用CoolSiC MOSFET和.XT技术的功率半导体,特别适用於轨道交通的定制需求。
英飞凌XHP 2功率模组的价值,已在西门子铁路系统(Siemens Mobility)和Stadtwerke Munchen(SWM)公司联合展开的实际道路测试中得到证明 |
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英飞凌模组和晶片技术为阳光电源352千瓦光伏解决方案添动力 (2021.10.12) 随着最新1500伏光伏串列式逆变器SG350HX的推出,阳光电源公司 (Sungrow) 提供新的解决方案,其最大输出功率为352千瓦。因此,与其上一代逆变器相比,新的逆变器的输出功率大幅增加了约40% |
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英飞凌22千瓦工业通用马达驱动参考设计置入最新技术 (2021.09.07) 现今系统方案在电力电子和半导体市场上渐受重视,英飞凌科技推出一个经过测试的工业参考设计该参考设计是一个通用的马达驱动器,额定功率为22千瓦,可直接在380至480伏的三相电网上运行 |
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儒卓力提供英飞凌CIPOS Maxi SiC IPM IM828系列1200 V电源模组 (2021.08.30) 英飞凌的CIPOS Maxi 碳化矽(SiC)整合式电源模组(IPM)是一款采用CoolSiC MOFSET技术、55 mΩ三相的智慧电源模组,具有开路发射极,采用36x23D DIP封装,是可提供优良导热性和宽广切换速度选择(高达80 Hz)的全功能精简型变频器解决方案 |
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英飞凌改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组 采用新型AIN陶瓷基板 (2021.05.12) 英飞凌科技利用新型氮化铝(AIN)陶瓷基板,成功改良EasyDUAL CoolSiC MOSFET模组。此半桥式装置有EasyDUAL 1B及EasyDUAL 2B两种封装型式,导通电阻(RDS(on) )各是11mΩ及6mΩ。新款1200V装置采用高性能陶瓷,因此适合高功率密度应用,如太阳能系统、不断电系统、辅助变频器、储能系统及电动车充电器等 |
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马达变频器内的关键元件: 功率半导体 (2021.04.20) 全球工业产业消耗的能源量预期到 2040 年将成长一倍。随着对能源成本和资源有限的意识不断提高,未来提升驱动马达用电效率的需求将会越来越显著。 |