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延续硅晶未来 先进研究露曙光 (2013.01.24)
当硅晶微缩达到极限时，若要继续提升晶体管效能，
只能求诸新材料，期望以更佳的迁移率，来延续硅晶的未来发展。 |
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超越硅晶(1) III-V族取代硅晶机会浓 (2012.11.22)
半导体制程微缩已近尾声，尽管研究人员运用超薄SOI、high-k闸极电介质、双闸CMOS、三维FinFET等各种技术，一般认为硅晶CMOS将于2020年微缩至10至7奈米，便真正面临极限。
那么，2020年后的半导体产业将会是甚么样貌？除了盖18吋超大晶圆厂、发展3D IC技术外，还有甚么样的可能性？
耶鲁大学电机工程教授及中央研究院院士马佐平博士(T |
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一款三维堆栈：电子设计自动化的机遇与挑战之研发简报档-三维堆栈：电子设计自动化的机遇与挑战 (2010.05.12)
一款三维堆栈：电子设计自动化的机遇与挑战之研发简报档 |
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3D IC应用市场核心技术TSV的概况与未来 (2009.08.31)
3D IC是否可以成为应用主流，矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）技术是一个关键。 TSV制程的成熟，将会主导3维晶片的应用市场，未来可以用来整合IC、逻辑晶片、RF、CMOS影像感应器与微机电系统 |
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3D IC有其他好处吗？ (2009.05.05)
3D IC必须要由电子电路的工程师与封装设计的工程师一起共同工作，藉由垂直与水平整合达到大量提高集积密度的要求。3D IC可进一步减少 ESD 需求、有效提高散热效果、提高良率，并具备可延展性／可规画性／可替换性 |
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ST采用明导Eldo仿真器执行32nm数据库特性分析 (2009.04.16)
意法半导体（STMicroelectronics）宣布已采用明导国际Eldo电路仿真器，为自家的第一套CMOS 32nm数据库（cell libraries）进行特性分析。长期以来，两家公司是数字与模拟IP特性分析的先进电路仿真技术领域中的长期合作伙伴；最近 |
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18吋晶圆有谱 半导体制造联盟2010年推设备样本 (2008.10.29)
外电消息报导，国际半导体制造联盟（International Sematech）日前表示，18吋晶圆的生产设备样本，将有望在2010年推出，而提供试产线(pilot line)使用的设备，也将在2012年问世 |
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SEMICON Taiwan 2008共议创新生产力 (2008.08.13)
SEMICON Taiwan 2008(国际半导体设备材料展)展期间，于9月9日的CEO论坛中邀请到多位在半导体制造领域深具影响力的CEO莅临演讲，包括：Synopsys总裁兼执行长Aart de Geus博士、SEMATECH董事长兼执行长Mr |
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联电致力发展22奈米以下制程12吋晶圆 (2008.08.04)
半导体研究开发协会美国Sematech与联电（UMC）在2008年7月28日共同宣布，联电已经决定加盟Sematech。据了解，联电加盟该协会之后，未来将致力于研发包括22nm以后制程技术的12吋晶圆技术 |
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国际晶圆制造联盟将展开新18吋晶圆研发计划 (2007.07.18)
根据外电消息指出，国际晶圆制造联盟（International Sematech）将展开一项新的18吋晶圆研发计划；在过去，Sematech曾经支持一项名为300mmPrime的计划，这个计划的目标在于改善8吋晶圆的整体效率，在某种程度上，未来这个计划将作为移转到18吋晶圆之间的一个过渡桥梁 |
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2007 VLSI Week (2007.04.19)
2007 VLSI Week 即将举行。
23日开幕的VLSI-TSA将邀请美半导体制造技术产业联盟SEMATECH执行长 Mike Polcari博士主讲「21世纪半导体产能的挑战 (Semiconductor Productivity Challenges forthe 21st Century)」，另还有3D IC、非挥发性内存、Flash Technology等重点技术邀请NEC、Intel、Samsung、IBM、史丹佛大学等单位发表现阶段最新技术成果及产品产品进展 |
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纽约州与超威投资数十亿美元建12吋晶圆厂 (2006.06.28)
纽约州长George E. Pataki、超威(AMD)公司董事长暨执行长Hector Ruiz、参议院多数党领袖Joseph L. Bruno、以及众议院发言人Sheldon Silver宣布纽约州史上规模最大的私人工业投资计划：AMD将在Luther Forest科学园区兴建与营运全球的半导体制造厂房，其投资总金额达数十亿美元 |
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以低功耗实现最佳散热性能 (2006.04.01)
随着电脑性能的提升，其功耗也日益增高，这些功耗问题会导致复杂的散热和电源管理问题。因此，可以设置一个监测ASIC的独立系统，以便根据温度来动态地控制风扇转速，以使系统维持在最佳的作业温度，同时可使风扇杂讯最小并提高MTBF |
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Low-k将到达最大极限值 (2005.03.14)
所谓low-k（低介电常数值）就是指介电常数（dielectric constant）比较小的材料，因为这种材料允许芯片内的金属导线可以互相紧密地贴近，而且在芯片内，不会发生讯号泄漏和干扰的问题 |
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Low-k将到达最大极限值 (2005.03.07)
所谓low-k（低介电常数值）就是指介电常数（dielectric constant）比较小的材料，因为这种材料允许芯片内的金属导线可以互相紧密地贴近，而且在芯片内，不会发生讯号泄漏和干扰的问题 |
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Low-k将到达最大极限值 (2005.03.05)
所谓low-k（低介电常数值）就是指介电常数（dielectric constant）比较小的材料，因为这种材料允许芯片内的金属导线可以互相紧密地贴近，而且在芯片内，不会发生讯号泄漏和干扰的问题 |
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多孔性低介电常数材料的非损害性清洗制程 (2004.12.04)
本文所探讨的晶圆表面处理技术，将介绍如何在批次型喷雾清洗设备的协助下，利用饱和臭氧含量的去离子水来处理化学气相沉积的有机矽玻璃低介电常数薄膜，并且分析所得到的光阻去除结果；这项制程不会导致低介电常数性质或微距的改变，此外也证明利用腐蚀抑制剂，就能降低臭氧制程对铜腐蚀效应 |
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全球8吋硅晶圆材料将出现缺货情况 (2004.11.24)
外电消息，美国硅晶圆材料供货商MEMC市场情报处长Karen Twillmann，在一场由国际半导体产业研发联盟（Sematech International）举办的论坛中表示，虽然业界预期半导体产业在2005年的成长将减缓，但预估8吋硅晶圆材料将出现供应吃紧现象 |
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台湾IC制造产业的下一步... (2004.08.04)
半导体制造是台湾引以为傲的专长之一，无论是制程水平或是市场占有率，皆在国际之间具备龙头地位；而半导体制造业的成功要件并非只是庞大的产能或雄厚资本，优秀的人才与坚强的技术实力，更是其中的关键所在；本文将由产业界与学术界两个面向，带领读者一窥国内半导体制造的发展趋势与挑战 |
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台湾IC制造产业的下一步... (2004.08.04)
半导体制造是台湾引以为傲的专长之一，无论是制程水准或是市场占有率，皆在国际之间具备龙头地位；而半导体制造业的成功要件并非只是庞大的产能或雄厚资本，优秀的人才与坚强的技术实力，更是其中的关键所在；本文将由产业界与学术界两个面向，带领读者一窥国内半导体制造的发展趋势与挑战 |
