 |
意法半導體推出靈活同步整流控制器 提升矽基或氮化鎵功率轉換器效能 (2024.05.14)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）新款SRK1004同步整流控制器降低採用矽基或GaN電晶體之功率轉換器的設計難度並提升轉換效能，目標應用包括工業電源、攜帶式裝置充電器和AC／DC轉接器 |
|
英飛凌功率半導體為麥田能源提升儲能應用效能 (2024.04.19)
近年來全球光儲系統（PV-ES）市場快速增長。光儲市場競爭加速，提高功率密度成為廠商得勝關鍵；英飛凌科技（Infineon）為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件，共同推動綠色能源發展 |
|
英飛凌全新 CoolSiC MOSFET 2000 V 產品提供高功率密度 (2024.03.14)
英飛凌科技（Infineon）推出全新CoolSiC MOSFET 2000 V裝置，除了能夠滿足設計人員對更高功率密度的需求，即使面對嚴格的高電壓和開關頻率要求，也能夠維持系統的可靠性。CoolSiC MOSFET具有更高的直流母線電壓，可在不增加電流的情況下提高功率 |
|
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度 |
|
TI新型功率轉換器突破電源設計極限 助工程師實現更高功率密度 (2024.03.06)
德州儀器（TI）推出兩款新型功率轉換器產品組合，協助工程師在更小的空間內實現更大的功率，以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化鎵（GaN）功率級採用耐熱增強型雙面冷卻封裝技術，可簡化散熱設計並在中電壓應用裡實現超過1.5kW/in3的最高功率密度 |
|
意法半導體智慧致動器STSPIN參考設計 整合馬達控制、感測器和邊緣AI (2024.02.21)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出搭載STSPIN32G4智慧三相馬達驅動器的EVLSPIN32G4-ACT邊緣AI馬達驅動參考設計，使智慧致動器的開發變得更加簡單。該電路板與意法半導體的無線工業感測器節點STWIN.box（STEVAL-STWINBX1）連接，加速結合馬達控制、環境資料即時分析，以及物聯網連接系統的開發 |
|
英飛凌新款160 V雙通道閘極驅動IC適用於電池供電應用 (2024.01.04)
英飛凌科技（Infineon）宣佈其汽車和工業電機控制應用的MOTIX雙通道閘極驅動IC系列添新品，包括2ED2742S01G、2ED2732S01G、2ED2748S01G和2ED2738S01G。這些160 V的絕緣層上覆矽（SOI）閘極驅動器均為小型閘極驅動器解決方案，具有出色的抗閂鎖能力，適合於電池供電應用，如無線電動工具、多軸飛行器、無人機，以及電池電壓高達120 V的輕型電動車等 |
|
TI：擴大低功率GaN產品組合 實現AC/DC電源供應器體積縮小50% (2023.12.04)
德州儀器（TI）擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合，旨在協助提升功率密度、最大化系統效率，以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合，可解決常見的散熱設計挑戰，讓供應器維持低溫，同時以更小的體積推動更大功率 |
 |
自走式電器上的電池放電保護 (2023.11.26)
使用MOSFET作為理想二極體，能夠為新一代自動化電器提供穩健可靠的安全防護。 |
|
英飛凌首款Qi2 MPP無線充電發射器解決方案具備WLC1可編程設計 (2023.11.23)
為協助提供給消費者更完善的無線充電用戶體驗，英飛凌科技（Infineon）推出首款Qi2磁功率分佈圖（MPP）充電發射器解決方案—REF_WLC_TX15W_M1參考設計套件。Qi2是無線充電聯盟（Wireless Power Consortium）發佈的重新定義感應式無線電力傳輸的新標準 |
|
NXP推出SDV邊緣節點專用馬達控制方案 進一步擴展S32平台 (2023.11.22)
恩智浦半導體（NXP Semiconductors）推出S32M2，進一步擴展S32汽車運算平台，這個最佳化的專用馬達控制解決方案，可有效提高幫浦、風扇、天窗和座椅位置、預緊式安全帶（seat belt pretensioner）、電動後車箱等汽車應用的效率 |
|
意法半導體GaN驅動器整合電流隔離功能 兼具安全性和可靠性 (2023.11.13)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）推出首款具有電流隔離功能的氮化鎵（GaN）電晶體閘極驅動器，新款STGAP2GS縮小了晶片尺寸，同時降低物料清單成本，能夠滿足應用對寬能隙晶片的效能以及安全性和電氣保護的更高需求 |
|
貿澤與NXP合作新版電子書 為汽車電動化設計挑戰提供解方 (2023.11.08)
貿澤電子（Mouser Electronics）與NXP Semiconductors合作出版最新的電子書《7 Experts on Designing Vehicle Electrification Solutions》（7位專家聯手獻策：設計汽車電動化解決方案）。NXP不斷突破汽車、工業和IoT、行動和通訊基礎架構市場的極限，同時提供解決方案，推動更有永續發展性的未來 |
|
CGD、群光電能與劍橋大學共組GaN生態系統 開發先進高功率方案 (2023.11.06)
英商劍橋氮化鎵元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家專注於研發高效能氮化鎵（GaN）功率元件的半導體公司，致力於打造更環保的電子元件。近日與台灣的電力電子系統整合方案供應商群光電能（Chicony Power Technology）、英國劍橋大學技術服務部（CUTS）簽署一項三方協議 |
|
ROHM推出LiDAR用120W高輸出功率雷射二極體 (2023.10.31)
半導體製造商ROHM推出一款高輸出功率半導體雷射二極體「RLD90QZW8」， 非常適用於搭載測距和空間識別用LiDAR的工控設備領域的AGV（Automated Guided Vehicle/無人搬運車） 和服務機器人、消費性電子領域的掃地機器人等應用 |
|
「科技始之於你」首屆ST Taiwan Tech Day聚焦四大趨勢 展示創新成果 (2023.10.31)
意法半導體（STMicroelectronics，ST）將於11月2日在台北文創舉辦首屆ST Taiwan Tech Day。該活動旨在為客戶和合作夥伴提供創新和成功所需之產品和解決方案的相關資訊。
本次活動以「科技始之於你」為主題，針對四大趨勢：智慧出行、電源與能源、物聯網與連接，以及感知世界等方向規劃多場演講，同步展示多達40個精心策劃的解決方案 |
|
羅姆集團馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.25)
半導體製造商ROHM為了加強類比IC的產能，在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（以下稱 RWEM）投建了新廠房，已經於近日竣工並舉行了竣工儀式。
RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品，新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器（類比IC的重點產品之一） |
|
ROHM超高速奈秒級閘極驅動器IC可大幅發揮GaN元件性能 (2023.10.19)
近年來在伺服器系統等應用領域，由於物聯網（IoT）設備的需求漸增，關於電源部分的功率轉換效率提升和設備小型化已成為重要課題，要求功率元件需不斷進行優化。另外，不僅在自動駕駛、工控設備和社會基礎建設監控等應用領域中也非常廣泛的LiDAR，也需要透過高速脈衝雷射光照射來進一步提高辨識精度 |
|
羅姆馬來西亞工廠新廠房竣工 強化類比IC產能 (2023.10.18)
半導體製造商羅姆集團（ROHM）為了加強類比IC產能，在其馬來西亞製造子公司ROHM-Wako Electronics（Malaysia）Sdn. Bhd.（簡稱RWEM）投建新廠房，近日已經竣工並舉行竣工儀式。
RWEM之前主要生產二極體和LED等小訊號產品，新廠房建成後則計畫生產絕緣閘極驅動器（類比IC的重點產品之一） |
|
CGD的GaN單晶片 獲台積電歐洲創新區最佳展示獎 (2023.10.15)
Cambridge GaN Devices (CGD)日前宣布，其 ICeGaN GaN HEMT系統單晶片 (SoC) 在台積電( TSMC) 2023 年歐洲技術研討會創新區榮獲「最佳展示」獎。
CGD是一家無晶圓廠潔淨技術半導體公司，專門開發多種節能GaN型功率裝置，旨在實現更環保的電子元件 |
