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高階晶片異常點無所遁形 C-AFM一針見內鬼 (2024.03.21)
從電性量測中發現晶片故障亮點,逐層觀察到底層仍抓不到異常?即使在電子顯微鏡(SEM)影像中偵測到異常電壓對比(VC)時,也無法得知異常點是發生在P接面還是N接面?本文為電性異常四大模式(開路、短路、漏電和高阻值)快速判讀大解析
震旦通業展示航太3D解決方案 助快速、精準製程 (2023.09.19)
隨著全球軍工和航太零部件需求的急劇增加,根據Mordor研究機構預測,2028年航空航天和國防領域的3D列印市場將達到73.7億美元,預計年複合增長率為19.40%。震旦集團旗下通業技研日前參加2023台北航太暨國防工業展覽會時
晶背供電技術的DTCO設計方案 (2023.08.11)
比利時微電子研究中心(imec)於本文攜手矽智財公司Arm,介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化(DTCO)方案,其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線
非銅金屬半鑲嵌製程 實現窄間距雙層結構互連 (2022.08.05)
imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組,強調窄間距自對準通孔的重要性,同時分析並公開該模組的關鍵性能參數,包含通孔與導線的電阻與可靠度
評比奈米片、叉型片與CFET架構 (2022.04.21)
imec將於本文回顧奈米片電晶體的早期發展歷程,並展望其新世代架構,包含叉型片(forksheet)與互補式場效電晶體(CFET)。
延續後段製程微縮 先進導線採用石墨烯與金屬的異質結構 (2021.08.05)
由石墨烯和金屬構成的異質結構有望成為1奈米以下後段製程技術的發展關鍵,本文介紹其中兩種異質整合方法,分別是具備石墨烯覆蓋層的金屬導線,以及摻雜石墨烯和金屬交替層的堆疊元件
加速導入二維材料 突圍先進邏輯元件的開發瓶頸 (2021.05.10)
二維材料是備受全球矚目的新興開發選擇,各界尤其看好這類材料在延續邏輯元件微縮進展方面的潛力。
超越5G時代的射頻前端模組 (2021.01.05)
透過整合深寬比捕捉(ART)技術與奈米脊型工程,愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體,實現5G毫米波頻段的功率放大應用。
邁向1nm世代的前、中、後段製程技術進展 (2020.12.08)
為了實現1nm技術節點與延續摩爾定律,本文介紹前、中、後段製程的新興技術與材料開發,並提供更多在未來發展上的創新可能。
蔡司推出Crossbeam Laser FIB-SEM 量級化速度加快封裝失效分析 (2020.02.13)
蔡司(ZEISS)宣布推出蔡司Crossbeam Laser,專為指定區域使用的聚焦離子束掃描式電子顯微鏡(FIB-SEM)全新系列解決方案,可大幅提升先進半導體封裝失效分析及製程優化的速度
3D FeFET角逐記憶體市場 (2019.11.25)
愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制,以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。
解決7奈米以上CMOS的接觸電阻挑戰 (2019.06.11)
隨著新型鈦矽化技術的發展,來自愛美科(imec)的博士生Hao Yu,介紹了改進源/汲極接觸方案,這將能解決先進CMOS技術接觸電阻帶來的挑戰。
Wind River將在世界行動通訊大會上展示邊緣雲計算的應用 (2019.02.26)
Wind River將在2月26-28日的世界行動通訊大會上攜手Titanium Cloud生態系統合作夥伴,展示邊緣雲計算的應用。Wind River Titanium Cloud虛擬化平臺為眾多合作夥伴提供了多面向的應用實例
英特爾在中國力推5G 將與手機晶片商合作 (2018.09.25)
英特爾今天在中國北京舉行的5G峰會上,公佈了其5G價值鏈的新發展,以及在中國的供應鏈夥伴的新合作項目,包含百度、中國移動、中國電信、聯通、H3C、華為、騰訊、Unisoc和中興通訊
簡化ARM Cortex-M0+物聯網嵌入式設計 (2018.04.24)
本文介紹一種使用來自 Adafruit Industries 的微型開發板較為容易的方法。該開發板結合Python程式設計語言的嵌入式設計變體與基於ARM Cortex-M0+處理器的高階32位MCU。
電接枝技術助益3D TSV製程 (2016.07.28)
金屬沉積是成功的TSV性能的關鍵製程之一。在TSV的常規金屬沉積製程中,阻障和晶種步驟使用的是傳統的自上而下的沉積製程,用來實現高深寬比TSV的金屬化時,可能會給傳統製程帶來一些挑戰
宜特TEM材料分析技術達5奈米 (2016.06.22)
隨半導體產業朝更先進製程發展之際,iST宜特材料分析(Material Analysis, MA)檢測技術再突破!宜特宣佈,TEM材料分析通過國際級客戶肯定,驗證技術達5奈米製程。 宜特近期不僅協助多間客戶在先進製程產品上完成TEM分析與驗證
運動控制軟硬並進 (2016.05.16)
運動控制是工廠自動化系統的核心環節,各自動化大廠在此均有完整產品布局,近年來工業4.0概念興起,運動控制在軟硬兩端都有長足的進展。
iST建高階TEM,聘權威-鮑忠興博士,材料分析能量大躍升 (2014.05.12)
隨著半導體產業不斷尋求朝20/14奈米製程發展之際,電子驗證測試產業-iST宜特科技在材料分析不缺席。iST宜特今(5月12號)宣布除了佈建目前業界EDS元素分析能力最強的TEM設備:JEM-2800外,更和成大微奈米中心進行材料分析技術開發合作,同時聘請該中心副研究員、國內頂尖TEM權威-鮑忠興博士擔任顧問,設備與技術能量一次到位
Design Note 521 - 80V Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller Delivers Hundreds of Watts with...-Design Note 521 - 80V Synchronous 4-Switch Buck-Boost Controller Delivers Hundreds of Watts with... (2013.10.29)
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