帳號:
密碼:
CTIMES / 社群討論 / 新聞報導論壇

SuperC_Touch
論壇會員(不在線上)
nbsp;
來自: 台北县
文章: 178

發 表 於: 2011.05.24 08:50:13 AM
文章主題: 2011年4月5日 Apple 的第二代的新觸控面板結購取得美國專利
2011年4月5日 Apple 的第二代的新觸控面板結購取得美國專利
   Patent No: 7920129B2    Double-Sided Touch-Sensitive Panel with Shield and Combined Layer 取得美國專利,主要圖示如下。
     
     
                                                                                                                         第二代的觸控面板結構由一條粗的5mm的ITO導線,變成細的1mm的 ITO 導線然後用小方格填滿中間的空隙,猜猜看Apple的用意何在,希望改善第一代觸空面板的什麼缺點,又會增加什麼缺點出來,目前宸鴻做的面板是第一代還是第二代的面板,這個面板結構有可能用在IPad上嗎?
   歡迎大家有興趣一起來討論,我也會陸陸續續的將我的看法向大家報告。
檢視會員個人資料個人資料 回覆文章 回頂端

SuperC_Touch
論壇會員(不在線上)
nbsp;
來自: 台北县
文章: 178

發 表 於: 2011.05.31 10:10:11 AM
文章主題: Re: 2011年4月5日 Apple 的第二代的新觸控面板結購取得美國專利

Apple 第一代的面板結構在專利 US7,663,607 2004年五月申請。

         問題出在ITO的電阻問題與對雜訊的抵抗性差,Sense層在中間,Drive層在上面如上圖,而且Drive 層線比較細,Sense層線比較粗,所以Drive層的ITO電阻大,Sense層的電阻小,Drive 層的電阻會與兩層之間的互電容,Sense 層的自電容行成阻抗分壓,尺寸一變大或ITO渡的更薄時會產生很大影響,中間的方格是為解決視覺上的問題而設的,無法隔絕由LCD的 V Com 訊號所帶來的干擾。

Apple第二代的修正,把Drive 層改道中間,Sense層放到上層,取消改善視覺的方格,讓Drive 線寬度變寬,形成一個遮蔽層來隔絕V Com訊號的干擾,也降低Drive 層的ITO的電阻,解決第一代面板的缺點。

但是Drive 層要隔絕雜訊必需要較高的驅動能力,而且面積變大,離 LCD 的 V com 層更近,Drive 層的訊號不知會不會干擾到LCD的動作。

檢視會員個人資料個人資料 回覆文章 回頂端
  相關討論
[專欄]大陸創新創業人才磁吸效應的挑戰
[專欄]大陸創新創業人才磁吸效應的挑戰
[專欄]大陸創新創業人才磁吸效應的挑戰
NEC發表可不受天候影響的光解析技術
[評析]台灣新定位:與全球創客接軌
  相關新聞
應材於新加坡舉行節能運算高峰會 推廣先進封裝創新合作模式
15隊齊聚郵政大數據黑客松競賽 限36小時奪獎金120萬元
生成式AI海嘯來襲 企業更需要AI雲端服務來實現創新與發展
研究:Android品牌多元化布局高階市場 本地化策略與技術創新將引領潮流
AI走進田間 加拿大團隊開發新技術提升農食產業永續發展
  相關文章
AI高齡照護技術前瞻 以科技力解決社會難題
3D IC 設計入門:探尋半導體先進封裝的未來
SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
CAD/CAM軟體無縫加值協作
刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw