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[專欄]記憶體撞牆效應誰來解? (2014.12.15)
電腦系統的效能精進,在近年來遭遇一些問題,例如處理器的時脈撞牆(Clock Wall)問題,即運作時脈難以超越4GHz,2011年第4季Intel推出第二代的Core i7處理器達3.9GHz,至今Intel所有的處理器均未超過3.9GHz
掌握優勢 前進FB-DIMM市場 (2006.08.09)
奇夢達(Qimonda)於2006年5月由德國英飛凌科技獨立而成新的記憶體公司。在成立初期即強勢進軍完全緩衝記憶體模組(Fully Buffered Dual-In-line Memory Module;FB-DIMM)市場,並宣佈開始量產新的DDR2 FB-DIMM,目前英特爾的Bensley伺服器平台已採用奇夢達512MB至4GB的533MHz與667MHz FB-DIMM
掌握優勢 前進FB-DIMM市場 (2006.08.07)
奇夢達(Qimonda)於2006年5月由德國英飛凌科技獨立而成新的記憶體公司。在成立初期即強勢進軍完全緩衝記憶體模組(Fully Buffered Dual-In-line Memory Module;FB-DIMM)市場,並宣佈開始量產新的DDR2 FB-DIMM,目前英特爾的Bensley伺服器平台已採用奇夢達512MB至4GB的533MHz與667MHz FB-DIMM
解析伺服系統之新記憶體架構──FB-DIMM (2006.07.06)
目前DDR2 SDRAM需要240pin接腳,然而主機板的電路佈局面積有限,難以再用拓寬線路數的方式來提升效能,雖然可以用增加電路板層數的方式來因應,但成本也會大增。因此Lntel提出FB-DIMM的新記憶體架構,用意在於提升伺服器及高階工作站的記憶體效能,同時也擴增記憶體的容量潛能
解析伺服系統之新記憶體架構──FB-DIMM (2006.06.02)
目前DDR2 SDRAM需要240pin接腳,然而主機板的電路佈局面積有限,難以再用拓寬線路數的方式來提升效能,雖然可以用增加電路板層數的方式來因應,但成本也會大增。因此Lntel提出FB-DIMM的新記憶體架構,用意在於提升伺服器及高階工作站的記憶體效能,同時也擴增記憶體的容量潛能
IDT AMB先進記憶體緩衝器晶片導入量產 (2006.03.01)
IDT宣佈其先進記憶體緩衝器晶片(advanced memory buffer;AMB)已通過英特爾(Intel)的驗證程序,成為業界第一家能夠量產供貨AMB的廠商,應用於全緩衝雙線記憶體模組(Fully Buffered Dual In-line DIMM;FB-DIMM)解決方案,AMB晶片能有效增加伺服器和工作站的速度和記憶容量,強化資料處理能力
IDT與Intel先進記憶體緩衝器相互支援 (2005.08.28)
整合通訊IC廠商IDT宣佈,採用IDT與Intel生產之先進記憶體緩衝器(AMB)的全緩衝雙列直插式記憶體模組(FB-DIMM)之間可以互通,技術邁向新的里程碑。有了這項互通之後,記憶體模組、伺服器與工作站的設計工程師可選擇FB-DIMM平台,而系統仍保持彈性,隨頻寬需求增加而升級


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