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Toppan Photomask與IBM簽署EUV光罩研發協議 推進2奈米技術 (2024.02.14)
半導體光罩供應商Toppan Photomask宣布,已與IBM就使用極紫外(EUV)光刻技術的2奈米(nm)節點邏輯半導體光罩的聯合研發達成協議。該協議尚包含開發用於下一世代半導體的高NA EUV光罩
imec觀點:微影圖形化技術的創新與挑戰 (2023.05.15)
此篇訪談中,比利時微電子研究中心(imec)先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點,聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。
NVIDIA:AI加速觸及各產業 龐大生態系將不可能化為可能 (2023.03.22)
隨著如今運算技術出現他所說的「光速」發展速度,NVIDIA 創辦人暨執行長黃仁勳今日宣布與 Google、微軟、Oracle(甲骨文)及多家重量級企業展開更大規模的合作活動,將為各行各業帶來嶄新的人工智慧、模擬及協作能力
看好晶片微縮進展 imec提出五大挑戰 (2023.03.13)
面對當代的重大挑戰時,人工智慧應用越來越廣泛,未來的運算需求預計會每半年翻漲一倍。為了在處理暴增的巨量資料的同時維持永續性,需要經過改良的高性能半導體技術
展望2023:高適應性是新時代的競爭力 (2023.01.04)
在技術演變迅速、複雜性不斷提升的時代,高適應性是企業在新時代的競爭力,幫助客戶提升適應力、贏得未來是益萊儲與客戶的共同目標。
弭平半導體產業差距 生態系策略不可或缺 (2021.10.27)
為了消除半導體廠商間存在的差距,關鍵在於建立完整生態系統。 許多新興半導體廠商都透過生態系統來確立其在市場中的地位。 也能讓不同核心技術共存,徹底改變傳統大型廠商的獨佔市場
為技術找到核心 多元化半導體持續創新 (2021.08.09)
2021年半導體的成功在於創新,創新是全球半導體業共同努力的結果。 有了適當規模的重要參與者投入適量的研發、創新和設計資金, 才能把世界上最好的創新轉化為成本可承受的產品
ST:延續摩爾定律 半導體大廠合作開發3/2奈米技術 (2021.07.20)
觀察2021年主導半導體產業的新技術趨勢,可以從新的半導體技術來著眼。基本上半導體技術可以分為三大類,第一類是獨立電子、電腦和通訊技術,基礎技術是CMOS FinFET。在今天,最先進的是5奈米生產製程,其中有些是FinFET 架構的變體
突破行動OLED顯示器量產瓶頸 (2021.06.16)
OLED在顯示器市場炙手可熱,在行動顯示與微顯示方面也浮現了一些技術挑戰。愛美科證實了光刻技術可望克服目前OLED顯示器主要製程的生產瓶頸,作為未來的首選解決方案
KLA全新電子束缺陷檢測系統 以深度學習提供先進IC缺陷檢測 (2020.07.21)
KLA公司今天宣布推出eSL10電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統。該系統旨在通過檢測來發現光學或其他電子束缺陷檢測系統無法穩定偵測的缺陷,加快高性能邏輯和記憶體晶片,其中包括那些依賴於極紫外線(EUV)光刻技術的晶片的上市時間
我們能否為異質整合而感謝亞里士多德? (2018.05.08)
技術創新使得越來越特殊和複雜的封裝變得可行,因此需要針對如微小的內部裸片裂紋這樣的缺陷類型提供靈敏度,同時也要保持產品靈活性, 以支持封裝技術隨著不斷增加的應用而朝著多個方向的發展
提升40%的性能 格羅方德將推7奈米FinFET製程技術 (2017.06.15)
為滿足高階移動處理器、雲端伺服器網路基礎設備等應用需求,晶圓代工大廠格羅方德半導體(GLOBALFOUNDRIES)宣布,將推出其具有7奈米領先性能(7nm Leading-Performance,7LP)的FinFET製程技術,且提升了40%的跨越式性能
林德將設廠擴大全球氖氣供應能力 (2016.07.07)
在德克薩斯州進行的逾2.5億美元投資,包括建設全新的氖氣生產廠。 為進一步確保向其全球客戶長期且穩定地供應氖氣,林德電子與特種氣體事業部(Linde Electronics and Specialty Gases)開展了另一項投資,旨在為其垂直一體化氖氣供應鏈提供支持
Rolith公司榮獲2013年度印刷電子產業最佳製造技術獎 (2013.11.28)
研發高級納米技術產品的Rolith 公司, 27日自豪地宣佈,基於其為大型觸控式螢幕顯示器、OLED照明和光伏產品中使用的透明金屬網格導體的生產,公司榮獲印刷電子業界最佳製造技術獎
[評析]3D列印自造者應有的智財權佈局思維 (2013.08.08)
在研究3D列印(積層製造)技術智慧財產權保護策略的過程中,我發現目前主流的3D列印技術專利都是在1980年代末期就已經提出申請,例如由S. Scott Crump所開發的熱溶解積壓成形(Fused Deposition Modeling,FDM)技術,我們就發現在1989/10/30有一件US5121329 「Apparatus and method for creating three-dimensional objects」是由S
在為次 20 奈米光刻技術需要多個備選方案-在為次 20 奈米光刻技術需要多個備選方案 (2011.09.15)
在為次 20 奈米光刻技術需要多個備選方案
硫化銻鍺奈米線製備化學氣相沉積和電子束光刻技術-硫化銻鍺奈米線製備化學氣相沉積和電子束光刻技術 (2011.08.22)
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製備衍射編碼的微顆粒採用奈米壓印光刻技術-製備衍射編碼的微顆粒採用奈米壓印光刻技術 (2011.08.22)
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雙曝光灰階度光刻技術-雙曝光灰階度光刻技術 (2011.03.07)
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製造軟性發光顯示器用導電聚合物薄膜光刻技術概略-製造軟性發光顯示器用導電聚合物薄膜光刻技術概略 (2011.01.12)
製造軟性發光顯示器用導電聚合物薄膜光刻技術概略


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