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安森美扩充工业电机驱动产品阵容 推出转移模制功率整合模组 (2020.04.28)
推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor），继续扩充用於工业电机驱动应用的产品阵容，以进一步帮助客户解决他们的具体设计挑战。
电机驱动系统正随着工业自动化及机器人急速增长 |
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Diodes新款沟槽型超级势垒整流器提供高效率 (2016.01.26)
Diodes公司新推出的两款40A整流器SBRTF40U100CT及SBRTF40U100CTFP采用专利的沟槽型超级势垒整流(Trench SBR) 技术，能够大幅降低功耗以及操作温度。新产品可作为输出整流器，适用于智慧型手机、平板电脑及平板电视的电源适配器和快速充电器，有效提升高达2%的效率，并同时降低多达摄氏10度的操作温度 |
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Diodes沟槽型超级势垒整流器提高新一代充电器效率 (2014.12.12)
Diodes公司全新推出两款采用旗下专利沟槽型超级势垒整流（Trench SBR）技术的组件SBRT15U50SP5及SBRT20U50SLP，能够实现下一代电池充电器对效率和温度的严格需求。
两款全新沟槽型超级势垒整流器具有极低的正向电压、低漏电流 |
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意法节能功率芯片系列可提升能效、安全性和可靠性 (2014.04.15)
意法半导体的新HB系列绝缘闸极双极性晶体管（IGBT，Insulated-Gate Bipolar Transistors）拥有比竞争对手的高频产品低40%的关机能源（turn-off energy），同时可降低达30%导通损耗。
HB系列利用意法半导体的沟槽型绝缘闸极双极性晶体管制程，集极关断无曳尾（collector-current turn-off tail-less）电流极低，饱和电压（Vce（sat））为1 |
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IR推出坚固可靠1400V 超高速IGBT (2014.03.11)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出坚固可靠的超高速1400V沟槽型绝缘闸双极晶体管 (IGBT) IRG7PK35UD1PbF，新组件为电磁炉及微波炉等软开关产品作出了优化。
IRG7PK35UD1PbF与超低正向电压二极管共同封装 |
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IR为家电马达驱动器扩充IGBT阵营 (2012.10.24)
国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出IRGR4045DPbF及IRGS4045DPbF，藉以扩充绝缘闸双极晶体管 (IGBT) 阵营。全新600V沟槽型超高速IGBT能够为洗衣机和冰箱等家电与轻工业马达驱动应用提升效能及效率 |
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安森美半导体推出突破性电源产品 (2012.03.07)
应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN) 持续开发创新技术及产品，使公司能够为市场提供丰富的电源半导体方案 |
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安森美推出沟槽型低正向压降肖特基整流器 (2012.01.03)
安森美半导体（ON Semiconductor）近日推出新系列的100伏特沟槽型低正向压降肖特基整流器（LVFR），用于笔记本电脑适配器或平板显示器的开关电源、反向电池保护电路及高频直流-直流（DC-DC）转换器等应用 |
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英飞凌推出OptiMOS稳压MOSFET及DrMOS系列产品 (2010.03.08)
英飞凌科技近日于美国加州举办的「2010 应用电力电子研讨会暨展览会」上，宣布推出新款OptiMOS功率MOSFET系列产品。英飞凌所推出的OptiMOS 25V系列装置经过优化，适合应用于计算机服务器电源之稳压及电信/数据通讯之开关 |
