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东芝首款2200V双碳化矽MOSFET模组协助工业设备高效和小型化 (2023.08.30)
东芝电子开发业界首款用於工业设备的2200V双碳化矽（SiC）MOSFET模组MG250YD2YMS3 。新模组的漏极电流（DC）额定值为250A，并采用该公司的第三代SiC MOSFET晶片。适用於使用DC1500V的应用，如光伏发电系统、储能系统等


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