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英飛凌首創12吋氮化鎵功率半導體製程技術 推動市場快速增長 (2024.09.11)
英飛凌科技（Infineon）宣佈成功開發出全球首創12吋氮化鎵（GaN）功率半導體晶圓技術。英飛凌是全球首家在現有且可擴展的大規模生產環境中掌握此一技術的企業，這項突破將大幅推動GaN功率半導體市場的發展 |
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聯電首推22eHV平台促進下世代智慧型手機顯示器應用 (2024.06.21)
聯華電子新推出22奈米嵌入式高壓（eHV）技術平台，為先進的顯示器驅動晶片解決方案，推動未來高階智慧型手機和移動裝置顯示器的發展。22eHV平台具有電源高效能，，協助客戶開發體積更小、效能更高的顯示器驅動晶片，為行動裝置製造商提高產品電池壽命，同時提供最佳化的視覺體驗 |
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雷射輔助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台灣廠商還具備過去多年來於矽基半導體產業累積的基礎，且有如工研院等法人單位輔導，正積極投入建立材料開發、雷射輔助加工製程等測試驗證平台和服務，將加速產業聚落成型 |
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英飛凌針對汽車應用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飛凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作為最新一代適合汽車應用的功率MOSFET，提供多種無引腳、強固的功率封裝。該系列產品採用了300毫米薄晶圓技術和創新的封裝，相比於其它採用微型封裝的元件，具有顯著的性能優勢 |
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ST：內部擴產與製造外包並進 全盤掌控半導體供應鏈 (2023.05.18)
技術研發和製造策略是ST達成營收目標的關鍵要素之一。透過不斷投資具有競爭力的專利技術，擴大內部產能，輔之以外包加工。這是ST在半導體策略上的致勝關鍵。 |
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ROHM確立超高速驅動控制IC技術 更大程度發揮GaN性能 (2023.03.22)
ROHM確立了一項超高速驅動控制IC技術，利用該技術可更大程度發揮GaN等高速開關元件的性能。近年來，GaN元件因具有高速開關的特性優勢而被廣泛採用，然而，如何提高控制IC（負責GaN元件的驅動控制）的速度已成為亟需解決的課題 |
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英飛凌與Resonac於碳化矽材料領域展開多年期供應及合作協議 (2023.01.30)
英飛凌科技與其碳化矽 (SiC) 供應商擴展合作關係，宣布與 Resonac (前身為昭和電工) 簽訂多年期供應及合作協議，以補充並擴展雙方在 2021年的協議。新合約將深化雙方在 SiC 材料的長期合作，根據合約內容，Resonac將供應英飛凌未來10年預估需求量中雙位數份額的SiC半導體 |
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鈺創研發能量國際發光 去識別化AI身分驗證獲CES 2023創新獎 (2022.12.29)
成立迄今已逾31年之鈺創科技，立足於台灣竹科，受惠於新竹科學園區持續建立優良產業環境促進廠商不斷創新且研發成果具體收效。科管局持續鼓勵廠商進駐園區從事研究發展，進而獲取專利保護技術開發成果，促進台灣半導體產業與全球鏈結蓬勃發展 |
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筑波分享WBG半導體材料測試方案 助力低碳SiC晶圓技術創新 (2022.09.23)
工研院「循環低碳碳化矽晶圓製程技術創新講座」，邀請碳化矽晶圓材料與製程廠商代表與會，期望藉由此課程交流機會，提升產業低碳碳化矽長晶技術能量。筑波集團董事長許深福分享「WBG半導體材料測試挑戰與方案」，如何提升測試技術、確保製程品質、降低成本及加速產品上市時間為需克服的挑戰 |
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意法半導體推出混合雙快門影像感測器 提供全方位車艙監控 (2022.09.22)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）為車商提供駕駛監控系統（Driver-Monitoring Systems，DMS），以評估駕駛注意力的集中度，確保道路行駛安全。
意法半導體現推出之下一代混合雙快門影像感測器能監測車輛內部 |
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英飛凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封裝提高靈活性 (2022.03.15)
英飛凌科技股份有限公司，推出全新採用PQFN 2 x 2 mm2封裝的OptiMOS 5 25V和30V功率MOSFET產品系列，旨在為分立式功率MOSFET技術樹立全新的業界標準。這些新元件採用薄晶圓技術和創新的封裝，尺寸極小，卻具有顯著的性能優勢 |
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ST推出50萬像素ToF感測器 強化智慧型手機3D深度成像 (2022.03.11)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST） 推出新系列高解析度飛行時間測距（ToF）感測器，為智慧型手機等裝置帶來先進的3D深度成像功能。
新3D系列的首款產品是VD55H1，能感測超過50萬個點的距離資訊進行3D成像 |
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博世晶圓廠邁向新里程碑 投入首批全自動化晶圓產線 (2021.03.14)
面對全球車用晶片搶單潮，博世集團旗下全數位、高度互聯的德勒斯登（Dresden）晶圓廠，日前也宣佈將投入首批矽晶圓全自動化產線，為交通移動解決方案及改善道路安全提供車用晶片，計畫於今年（2021）年底前正式開始生產，為其下半年正式生產營運奠定基礎 |
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安森美全新650V碳化矽MOSFET系列 滿足車規與工規應用需求 (2021.02.18)
安森美半導體(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET裝置，適用於對功率密度、能效和可靠性要求極高的應用。設計人員用新的SiC裝置取代現有的矽開關技術，將在電動汽車(EV)車載充電器(OBC)、太陽能逆變器、伺服器電源(PSU)、電信和不斷電供應系統(UPS)等應用中實現顯著的更佳性能 |
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英飛凌攜手GT Advanced Technologies 擴大碳化矽供應 (2020.11.13)
英飛凌科技與GT Advanced Technologies簽署碳化矽（SiC）晶棒供貨協議，該合約的初始期限為五年。透過這份供貨合約，英飛凌進一步確保滿足其在該領域不斷增長的需求。
英飛凌工業電源控制事業部總裁Peter Wawer表示：「我們看到對碳化矽開關的需求在穩步增長，特別是在工業應用方面 |
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前端射頻大廠財務與專利分析 (2020.09.10)
前端射頻模組技術直接決定無線通訊品質，隨著5G與高頻通訊演進，其重要性將越來越高，作者針對相關大廠財務與專利部分進行深入的探討分析。 |
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英飛凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具備優異的RDS(on)與切換效能 (2019.03.21)
英飛凌科技推出全新OptiMOS 6系列，為分立式功率MOSFET技術奠定新技術標準。新產品系列採用英飛凌薄晶圓技術，提供顯著的效能優勢，並涵蓋寬廣的電壓範圍。全新40 V MOSFET系列已針對SMPS的同步整流進行最佳化，適用於伺服器、桌上型電腦、無線充電器、快速充電器及ORing電路 |
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英飛凌收購Siltectra 碳化矽晶片產能將倍增 (2018.11.19)
英飛凌科技宣布收購位於德國德勒斯登的新創公司 Siltectra 。該新創公司開發一種創新的冷切割技術 ( Cold Split )，可有效處理晶體材料，並可大幅減少材料損耗。英飛凌將採用此 Cold Split 技術分割碳化矽 (SiC) 晶圓，使晶圓產出雙倍的晶片數量 |
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英飛凌推出車用CoolSiC肖特基二極體 結合效能與耐用性 (2018.06.19)
英飛凌科技股份有限公司首款車用碳化矽系列CoolSiC肖特基二極體系列於日前PCIM展會上亮相，該款肖特基二極體已準備就緒，可用於目前和未來油電混合車和電動車中的車載充電器 (OBC) 應用 |
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英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合，推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高達40 A的 650V IGBT。
全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝，可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求 |
