 |
英飞凌首创12寸氮化??功率半导体制程技术 推动市场快速增长 (2024.09.11)
英飞凌科技（Infineon）宣布成功开发出全球首创12寸氮化??（GaN）功率半导体晶圆技术。英飞凌是全球首家在现有且可扩展的大规模生产环境中掌握此一技术的企业，这项突破将大幅推动GaN功率半导体市场的发展 |
|
联电首推22eHV平台促进下世代智慧型手机显示器应用 (2024.06.21)
联华电子新推出22奈米嵌入式高压（eHV）技术平台，为先进的显示器驱动晶片解决方案，推动未来高阶智慧型手机和移动装置显示器的发展。22eHV平台具有电源高效能，，协助客户开发体积更小、效能更高的显示器驱动晶片，为行动装置制造商提高产品电池寿命，同时提供最隹化的视觉体验 |
 |
雷射辅助切割研磨碳化矽效率 (2023.12.26)
台湾厂商还具备过去多年来於矽基半导体产业累积的基础，且有如工研院等法人单位辅导，正积极投入建立材料开发、雷射辅助加工制程等测试验证平台和服务，将加速产业聚落成型 |
|
英飞凌针对汽车应用推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列 (2023.05.19)
英飞凌推出OptiMOS 7 40V MOSFET系列，作为最新一代适合汽车应用的功率MOSFET，提供多种无引脚、强固的功率封装。该系列产品采用了300毫米薄晶圆技术和创新的封装，相比於其它采用微型封装的元件，具有显着的性能优势 |
|
ST：内部扩产与制造外包并进 全盘掌控半导体供应链 (2023.05.18)
技术研发和制造策略是ST达成营收目标的关键要素之一。透过不断投资具有竞争力的专利技术，扩大内部产能，辅之以外包加工。这是ST在半导体策略上的致胜关键。 |
|
ROHM确立超高速驱动控制IC技术 更大程度发挥GaN性能 (2023.03.22)
ROHM确立了一项超高速驱动控制IC技术，利用该技术可更大程度发挥GaN等高速开关元件的性能。近年来，GaN元件因具有高速开关的特性优势而被广泛采用，然而，如何提高控制IC（负责GaN元件的驱动控制）的速度已成为亟需解决的课题 |
|
英飞凌与 Resonac於碳化矽材料领域展开多年期供应合作协议 (2023.01.30)
英飞凌科技与其碳化矽 (SiC) 供应商扩展合作关系，宣布与 Resonac (前身为昭和电工) 签订多年期供应及合作协议，以补充并扩展双方在 2021年的协议。新合约将深化双方在 SiC 材料的长期合作，根据合约内容，Resonac将供应英飞凌未来10年预估需求量中双位数份额的SiC半导体 |
|
??创透过CES 创新研发能量在国际发光 (2022.12.29)
成立迄今已逾31年之??创科技，立足於台湾竹科，受惠於新竹科学园区持续建立优良产业环境促进厂商不断创新且研发成果具体收效。科管局持续鼓励厂商进驻园区从事研究发展，进而获取专利保护技术开发成果，促进台湾半导体产业与全球链结蓬勃发展 |
|
循环低碳制程技术创新 筑波分享WBG半导体材料测试方案 (2022.09.23)
现今节能减碳理念及落实相关措施已成为众多产业的重要经营方针，由经济部工业局委托工业技术研究院，依行政院循环经济推动方案，建构循环技术暨材料创新研发专区，以延揽国际专家培育研发人才为目的 |
|
意法半导体推出混合双快门影像感测器 提供全方位车舱监控 (2022.09.22)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST）为车商提供驾驶监控系统（Driver-Monitoring Systems，DMS），以评估驾驶注意力的集中度，确保道路行驶安全。
意法半导体现推出之下一代混合双快门影像感测器能监测车辆内部 |
|
英飞凌推出MOSFET OptiMOS 5功率 小尺寸封装提高灵活性 (2022.03.15)
英飞凌科技股份有限公司，推出全新采用PQFN 2 x 2 mm2封装的OptiMOS 5 25 V和30 V功率MOSFET产品系列，旨在为分立式功率MOSFET技术树立全新的业界标准。这些新元件采用薄晶圆技术和创新的封装，尺寸极小，却具有显着的性能优势 |
|
ST推出50万像素ToF感测器 3D深度成像强化智慧型手机 (2022.03.11)
意法半导体（STMicroelectronics，简称ST） 推出新系列高解析度飞行时间测距（ToF）感测器，为智慧型手机等装置带来先进的3D深度成像功能。
新3D系列的首款产品是VD55H1，能感测超过50万个点的距离资讯进行3D成像 |
|
博世晶圆厂迈向新里程碑 投入首批全自动化晶圆产线 (2021.03.14)
面对全球车用晶片抢单潮，博世集团旗下全数位、高度互联的德勒斯登（Dresden）晶圆厂，日前也宣布将投入首批矽晶圆全自动化产线，为交通移动解决方案及改善道路安全提供车用晶片，计画於今年（2021）年底前正式开始生产，为其下半年正式生产营运奠定基础 |
|
安森美推出全新650V碳化矽MOSFET系列 满足车规与工规应用需求 (2021.02.18)
安森美半导体(ON Semiconductor)宣布推出一系列新的碳化矽(SiC)MOSFET装置，适用於对功率密度、能效和可靠性要求极高的应用。设计人员用新的SiC装置取代现有的矽开关技术，将在电动汽车(EV)车载充电器(OBC)、太阳能逆变器、伺服器电源(PSU)、电信和不断电供应系统(UPS)等应用中实现显着的更隹性能 |
|
英飞凌携手GT Advanced Technologies 扩大碳化矽供应 (2020.11.13)
英飞凌科技与GT Advanced Technologies签署碳化矽（SiC）晶棒供货协议，该合约的初始期限为五年。透过这份供货合约，英飞凌进一步确保满足其在该领域不断增长的需求。
英飞凌工业电源控制事业部总裁Peter Wawer表示：「我们看到对碳化矽开关的需求在稳步增长，特别是在工业应用方面 |
|
前端射频大厂财务与专利分析 (2020.09.10)
前端射频模组技术直接决定无线通讯品质，随着5G与高频通讯演进，其重要性将越来越高，作者针对相关大厂财务与专利部分进行深入的探讨分析。 |
|
英飞凌推出全新OptiMOS 6 40 V 系列：具备优异的RDS(on)与切换效能 (2019.03.21)
英飞凌科技推出全新OptiMOS 6系列，为分立式功率MOSFET技术奠定新技术标准。新产品系列采用英飞凌薄晶圆技术，提供显着的效能优势，并涵盖宽广的电压范围。全新40 V MOSFET系列已针对SMPS的同步整流进行最隹化，适用於伺服器、桌上型电脑、无线充电器、快速充电器及ORing电路 |
|
英飞凌收购碳化矽商Siltectra SiC晶片产能将倍增 (2018.11.19)
英飞凌科技宣布收购位於德国德勒斯登的新创公司 Siltectra 。该新创公司开发一种创新的冷切割技术 ( Cold Split )，可有效处理晶体材料，并可大幅减少材料损耗。英飞凌将采用此 Cold Split 技术分割碳化矽 (SiC) 晶圆，使晶圆产出双倍的晶片数量 |
|
英飞凌推出车用CoolSiC肖特基二极体 结合效能与耐用性 (2018.06.19)
英飞凌科技股份有限公司首款车用碳化矽系列CoolSiC肖特基二极体系列於日前PCIM展会上亮相，该款肖特基二极体已准备就绪，可用於目前和未来油电混合车和电动车中的车载充电器 (OBC) 应用 |
|
英飞凌推出表面黏着 D2PAK 封装650V IGBT 提供最高功率密度 (2018.05.30)
英飞凌科技股份有限公司扩展TRENCHSTOP 5薄晶圆技术产品组合，推出IGBT与全额定电流 40 A 二极体共同封装於表面黏着 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ，最高达40 A的 650V IGBT。
全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 采用 D2PAK 封装，可满足自动化表面黏着组装的电源装置对於更高功率密度日益增加的需求 |
