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延續矽晶未來　先進研究露曙光 (2013.01.24)
當矽晶微縮達到極限時，若要繼續提升電晶體效能，只能求諸新材料，期望以更佳的遷移率，來延續矽晶的未來發展。

超越矽晶(1) III-V族取代矽晶機會濃 (2012.11.22)
半導體製程微縮已近尾聲，儘管研究人員運用超薄SOI、high-k閘極電介質、雙閘CMOS、三維FinFET等各種技術，一般認為矽晶CMOS將於2020年微縮至10至7奈米，便真正面臨極限。那麼，2020年後的半導體產業將會是甚麼樣貌？除了蓋18吋超大晶圓廠、發展3D IC技術外，還有甚麼樣的可能性？耶魯大學電機工程教授及中央研究院院士馬佐平博士(T

一款三維堆疊：電子設計自動化的機遇與挑戰之研發簡報檔-三維堆疊：電子設計自動化的機遇與挑戰 (2010.05.12)
一款三維堆疊：電子設計自動化的機遇與挑戰之研發簡報檔

3D IC應用市場核心技術TSV的概況與未來 (2009.08.31)
3D IC是否可以成為應用主流，矽通孔（Through Silicon Vias；TSV）技術是一個關鍵。TSV製程的成熟，將會主導3維晶片的應用市場，未來可以用來整合IC、邏輯晶片、RF、CMOS影像感應器與微機電系統

3D IC有其他好處嗎？ (2009.05.05)
3D IC必須要由電子電路的工程師與封裝設計的工程師一起共同工作，藉由垂直與水平整合達到大量提高集積密度的要求。3D IC可進一步減少 ESD 需求、有效提高散熱效果、提高良率，並具備可延展性／可規畫性／可替換性

ST採用明導Eldo模擬器執行32nm資料庫特性分析 (2009.04.16)
意法半導體（STMicroelectronics）宣佈已採用明導國際Eldo電路模擬器，為自家的第一套CMOS 32nm資料庫（cell libraries）進行特性分析。長期以來，兩家公司是數位與類比IP特性分析的先進電路模擬技術領域中的長期合作夥伴；最近

18吋晶圓有譜半導體製造聯盟2010年推設備樣本 (2008.10.29)
外電消息報導，國際半導體製造聯盟（International Sematech）日前表示，18吋晶圓的生產設備樣本，將有望在2010年推出，而提供試產線(pilot line)使用的設備，也將在2012年問世

SEMICON Taiwan 2008共議創新生產力 (2008.08.13)
SEMICON Taiwan 2008(國際半導體設備材料展)展期間，於9月9日的CEO論壇中邀請到多位在半導體製造領域深具影響力的CEO蒞臨演講，包括：Synopsys總裁兼執行長Aart de Geus博士、SEMATECH董事長兼執行長Mr

聯電致力發展22奈米以下製程12吋晶圓 (2008.08.04)
半導體研究開發協會美國Sematech與聯電（UMC）在2008年7月28日共同宣佈，聯電已經決定加盟Sematech。據了解，聯電加盟該協會之後，未來將致力於研發包括22nm以後製程技術的12吋晶圓技術

國際晶圓製造聯盟將展開新18吋晶圓研發計畫 (2007.07.18)
根據外電消息指出，國際晶圓製造聯盟（International Sematech）將展開一項新的18吋晶圓研發計畫；在過去，Sematech曾經支持一項名為300mmPrime的計畫，這個計畫的目標在於改善8吋晶圓的整體效率，在某種程度上，未來這個計畫將作為移轉到18吋晶圓之間的一個過渡橋樑

2007 VLSI Week (2007.04.19)
2007 VLSI Week 即將舉行。 23日開幕的VLSI-TSA將邀請美半導體製造技術產業聯盟SEMATECH執行長 Mike Polcari博士主講「21世紀半導體產能的挑戰 (Semiconductor Productivity Challenges forthe 21st Century)」，另還有3D IC、非揮發性記憶體、Flash Technology等重點技術邀請NEC、Intel、Samsung、IBM、史丹佛大學等單位發表現階段最新技術成果及產品產品進展

紐約州與超微投資數十億美元建12吋晶圓廠 (2006.06.28)
紐約州長George E. Pataki、超微(AMD)公司董事長暨執行長Hector Ruiz、參議院多數黨領袖Joseph L. Bruno、以及眾議院發言人Sheldon Silver宣佈紐約州史上規模最大的私人工業投資計畫：AMD將在Luther Forest科學園區興建與營運全球的半導體製造廠房，其投資總金額達數十億美元

以低功耗實現最佳散熱性能 (2006.04.01)
隨著電腦性能的提升，其功耗也日益增高，這些功耗問題會導致複雜的散熱和電源管理問題。因此，可以設置一個監測ASIC的獨立系統，以便根據溫度來動態地控制風扇轉速，以使系統維持在最佳的作業溫度，同時可使風扇雜訊最小並提高MTBF

Low-k將到達最大極限值 (2005.03.14)
所謂low-k（低介電常數值）就是指介電常數（dielectric constant）比較小的材料，因為這種材料允許晶片內的金屬導線可以互相緊密地貼近，而且在晶片內，不會發生訊號洩漏和干擾的問題

Low-k將到達最大極限值 (2005.03.07)
所謂low-k（低介電常數值）就是指介電常數（dielectric constant）比較小的材料，因為這種材料允許晶片內的金屬導線可以互相緊密地貼近，而且在晶片內，不會發生訊號洩漏和干擾的問題

Low-k將到達最大極限值 (2005.03.05)
所謂low-k（低介電常數值）就是指介電常數（dielectric constant）比較小的材料，因為這種材料允許晶片內的金屬導線可以互相緊密地貼近，而且在晶片內，不會發生訊號洩漏和干擾的問題

多孔性低介電常數材料的非損害性清洗製程 (2004.12.04)
本文所探討的晶圓表面處理技術，將介紹如何在批次型噴霧清洗設備的協助下，利用飽和臭氧含量的去離子水來處理化學氣相沉積的有機矽玻璃低介電常數薄膜，並且分析所得到的光阻去除結果；這項製程不會導致低介電常數性質或微距的改變，此外也證明利用腐蝕抑制劑，就能降低臭氧製程對銅腐蝕效應

全球8吋矽晶圓材料將出現缺貨情況 (2004.11.24)
外電消息，美國矽晶圓材料供應商MEMC市場情報處長Karen Twillmann，在一場由國際半導體產業研發聯盟（Sematech International）舉辦的論壇中表示，雖然業界預期半導體產業在2005年的成長將減緩，但預估8吋矽晶圓材料將出現供應吃緊現象

台灣IC製造產業的下一步... (2004.08.04)
半導體製造是台灣引以為傲的專長之一，無論是製程水準或是市場佔有率，皆在國際之間具備龍頭地位；而半導體製造業的成功要件並非只是龐大的產能或雄厚資本，優秀的人才與堅強的技術實力，更是其中的關鍵所在；本文將由產業界與學術界兩個面向，帶領讀者一窺國內半導體製造的發展趨勢與挑戰