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台湾美光台中四厂正式启用 将量产HBM3E及其他产品 (2023.11.06)
今日美光科技宣布台中四厂正式落成启用，这楝具指标性的建筑将进一步推动台湾先进 DRAM 制程技术的开发和量产。美光台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，以量产 HBM3E 及其他产品，从而满足人工智慧、资料中心、边缘运算及云端等各类应用日益成长的需求 |
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台湾美光台中四厂正式落成启用 将量产HBM3E及其他产品 (2023.11.06)
今日美光科技宣布台中四厂正式落成启用，这楝具指标性的建筑将进一步推动台湾先进 DRAM 制程技术的开发和量产。美光台中四厂将整合先进探测与封装测试功能，以量产 HBM3E 及其他产品，从而满足人工智慧、资料中心、边缘运算及云端等各类应用日益成长的需求 |
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Micron采用先进1β技术 推出高速DDR5记忆体 (2023.10.19)
美光科技推出 16Gb DDR5 记忆体，奠基於1β 制程节点技术，美光 1β DDR5 DRAM 的内建系统功能速率可达 7,200 MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 客户。美光 1β DDR5 记忆体采用先进高介电常数 CMOS 制程、四相位时脉及时脉同步，相较於前一代产品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33% |
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Micron采用先进1β技术 推出高速DDR5记忆体 (2023.10.19)
美光科技推出 16Gb DDR5 记忆体，奠基於1β 制程节点技术，美光 1β DDR5 DRAM 的内建系统功能速率可达 7,200 MT/s，目前已出货给所有资料中心及 PC 客户。美光 1β DDR5 记忆体采用先进高介电常数 CMOS 制程、四相位时脉及时脉同步，相较於前一代产品，效能可提升 50%，每瓦效能功耗可降低33% |
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美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用 (2023.08.14)
美光科技推出 CZ120 记忆体扩充模组，并已开始向客户和合作夥伴送样。美光 CZ120 模组提供 128GB 与 256GB 容量，采用 E3.S 2T 外型规格，并支援 PCIe Gen 5X8 介面。此外， CZ120 模组能够提供高达 36GB/s 的记忆体读写频宽，同时在需要增量记忆体容量和频宽时强化标准伺服器系统 |
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美光发布记忆体扩充模组 加速CXL 2.0应用 (2023.08.14)
美光科技推出 CZ120 记忆体扩充模组，并已开始向客户和合作夥伴送样。美光 CZ120 模组提供 128GB 与 256GB 容量，采用 E3.S 2T 外型规格，并支援 PCIe Gen 5X8 介面。此外， CZ120 模组能够提供高达 36GB/s 的记忆体读写频宽，同时在需要增量记忆体容量和频宽时强化标准伺服器系统 |
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美光两款资料中心新硬碟 采用200层以上NAND (2023.05.17)
美光科技发布两款全新固态硬碟（SSD），包括 6500 ION NVMe SSD 及 XTR NVMe SSD，可因应数据的快速增长步伐，透过降低营运成本和改善储存效能，为资料中心带来重大进展。美光 6500 ION 为高容量 SSD，拥有卓越效能，并可赋能永续资料中心，提供较竞争者的 QLC 硬碟更高的性价比 |
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美光两款资料中心新硬碟采用200层以上NAND (2023.05.17)
美光科技发布两款全新固态硬碟（SSD），包括 6500 ION NVMe SSD 及 XTR NVMe SSD，可因应数据的快速增长步伐，透过降低营运成本和改善储存效能，为资料中心带来重大进展。美光 6500 ION 为高容量 SSD，拥有卓越效能，并可赋能永续资料中心，提供较竞争者的 QLC 硬碟更高的性价比 |
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美光伺服器记忆体DDR5通过第四代Intel Xeon验证 (2023.01.17)
美光科技宣布，其专为资料中心打造的 DDR5 伺服器记忆体产品组合已通过第四代 Intel Xeon 可扩充处理器系列产品全面验证。美光 DDR5 可提供较前几代产品高出一倍的记忆体频宽，这对於推动资料中心处理器核心的快速增加而言相当重要，更高的频宽将为处理器释放更多运算能力，并有助於缓解未来几年的潜在瓶颈 |
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美光DDR5为第四代Intel Xeon提供性能与可靠性 (2023.01.17)
美光科技宣布，其专为资料中心打造的 DDR5 伺服器记忆体产品组合已通过第四代 Intel Xeon 可扩充处理器系列产品全面验证。美光 DDR5 可提供较前几代产品高出一倍的记忆体频宽，这对於推动资料中心处理器核心的快速增加而言相当重要，更高的频宽将为处理器释放更多运算能力，并有助於缓解未来几年的潜在瓶颈 |
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美光推出高效能资料中心 SSD为最严苛的工作负载注入动能 (2023.01.10)
美光科技宣布9400 NVMe SSD 正式进入量产，并即时供货全球 OEM 客户及通路合作夥伴，以满足最先进储存效能伺服器的需求。美光 9400 SSD 是以满足最严苛工作负载的资料中心的需求所设计，尤其是人工智慧（AI）训练、机器学习及高效能运算（HPC）相关应用 |
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美光推出高效能资料中心SSD 满足最严苛工作负载 (2023.01.10)
美光科技宣布9400 NVMe SSD 正式进入量产，并即时供货全球 OEM 客户及通路合作夥伴，以满足最先进储存效能伺服器的需求。美光 9400 SSD 是以满足最严苛工作负载的资料中心的需求所设计，尤其是人工智慧（AI）训练、机器学习及高效能运算（HPC）相关应用 |
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美光DDR5记忆体现可支援第4代AMD EPYC处理器 (2022.11.23)
美光科技宣布为资料中心所打造的 DDR5 记忆体现已上市，并可支援已为全新 AMD EPYC 9004 系列处理器进行验证的资料中心。随着现代伺服器将更多处理核心装入 CPU，每个 CPU 核心的记忆体频宽不断减少 |
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美光DDR5记忆体现可支援第4代AMD EPYC处理器 (2022.11.23)
美光科技宣布为资料中心所打造的 DDR5 记忆体现已上市，并可支援已为全新 AMD EPYC 9004 系列处理器进行验证的资料中心。随着现代伺服器将更多处理核心装入 CPU，每个 CPU 核心的记忆体频宽不断减少 |
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美光LPDDR5X正式量产 并获生态系采用 (2022.11.21)
美光科技宣布，LPDDR5X 行动记忆体已获高通 Snapdragon 8 Gen 2 纳入叁考设计。Snapdragon 8 Gen 2 为高通公司针对旗舰级手机所推出的最新行动平台，叁考设计主要用途是供品牌业者展示此晶片组在设计智慧型手机时的各项优点，美光 LPDDR5X 亦整合在高通 Snapdragon 8 Gen 2 叁考设计中，成为主要架构的一环，持续受到市场青睐 |
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美光LPDDR5X正式量产 并获生态系采用 (2022.11.21)
美光科技宣布，LPDDR5X 行动记忆体已获高通 Snapdragon 8 Gen 2 纳入叁考设计。Snapdragon 8 Gen 2 为高通公司针对旗舰级手机所推出的最新行动平台，叁考设计主要用途是供品牌业者展示此晶片组在设计智慧型手机时的各项优点，美光 LPDDR5X 亦整合在高通 Snapdragon 8 Gen 2 叁考设计中，成为主要架构的一环，持续受到市场青睐 |
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美光宣布先进DRAM技术1-Beta节点正式量产出货 (2022.11.02)
美光科技宣布，开始为特定智慧型手机制造商与晶片组合作夥伴提供 1β（1-beta）DRAM 技术的验证样品，全球最先进的 DRAM 制程节点 1β 的量产全面就绪。此新世代制程技术将率先用在美光的 LPDDR5X 行动记忆体上，最高速度来到每秒 8.5 Gb 等级 |
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美光宣布先进DRAM技术1-Beta节点正式量产出货 (2022.11.02)
美光科技宣布，开始为特定智慧型手机制造商与晶片组合作夥伴提供 1β（1-beta）DRAM 技术的验证样品，全球最先进的 DRAM 制程节点 1β 的量产全面就绪。此新世代制程技术将率先用在美光的 LPDDR5X 行动记忆体上，最高速度来到每秒 8.5 Gb 等级 |
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默克和美光合作永续气体解决方案 降低制程中温室气体排放 (2022.08.08)
默克宣布与美光科技联手开发用於半导体制程，能降低全球暖化潜势(global warming potential; GWP）的气体解决方案。经过一年的持续合作，美光科技目前正在测试默克研发部门提供的低GWP替代性蚀刻气体，以验证其制程性能，从而取代传统的高GWP材料 |
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默克和美光合作永续气体解决方案 降低制程中温室气体排放 (2022.08.08)
默克宣布与美光科技联手开发用於半导体制程，能降低全球暖化潜势(global warming potential; GWP）的气体解决方案。经过一年的持续合作，美光科技目前正在测试默克研发部门提供的低GWP替代性蚀刻气体，以验证其制程性能，从而取代传统的高GWP材料 |
