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德州仪器：AI算力物理限制已到 800V高压直流供电成唯一解方 (2026.05.19)
德州仪器（TI）美国总部算力技术专家 Pradeep S. Shenoy 在受访时直言，AI 晶片对电力的索求正以惊人的几何级数??升。 |
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英飞凌：氮化??将重塑电力电子 2030年市场上看30亿美元 (2026.02.10)
根据英飞凌科技近期发布的《2026年GaN技术展??》，氮化??（GaN）正快速从新兴材料转变为主流功率半导体技术，推动电力电子产业进入高效率、高功率密度与小型化的新阶段 |
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英飞凌：氮化??将重塑电力电子 2030年市场上看30亿美元 (2026.02.10)
根据英飞凌科技近期发布的《2026年GaN技术展??》，氮化??（GaN）正快速从新兴材料转变为主流功率半导体技术，推动电力电子产业进入高效率、高功率密度与小型化的新阶段 |
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丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
丰田合成株式会社近日宣布，其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证，能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。
更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色，对於减少社会碳排放至关重要 |
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丰田合成GaN基板技术获突破 功率元件性能大幅提升 (2025.01.08)
丰田合成株式会社近日宣布，其提升氮化??(GaN)基板性能的技术已获得验证，能有效改善功率元件性能。相关研究成果已发表於国际固态物理学期刊。
更优异的功率元件在电力调节方面扮演关键角色，对於减少社会碳排放至关重要 |
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贸泽电子、ADI和Bourns合作出版全新电子书 探索电力电子装置基於GaN的优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
《10 Experts Discuss Gallium Nitride Technology》（10位专家谈论氮化??技术）探讨GaN技术如何彻底改变电力电子技术，达到比矽更高的效率、更快的开关速度和更大的功率密度 |
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贸泽、ADI和Bourns出版全新电子书 探索电力电子装置GaN优势 (2024.12.03)
贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版最新的电子书，探索氮化??（GaN）技术在追求效率、效能和永续性的过程中所面对的挑战和优势所在。
(圖一)贸泽电子（Mouser Electronics）与ADI和Bourns合作出版电子书，探索以氮化??（GaN）技术为基础在电力电子装置的优势 |
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SiC MOSFET：意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽（SiC）市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 （TI） 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? （GaN） 功率半导体。随着会津厂进入生产，加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业，TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成，同时宣布与国家中山科学研究院（中科院）合作，双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外，格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议，双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求，具备低缺陷率、高制程稳定性，成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本，促进了碳化矽元件的更广泛应用 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）签署了SiC功率元件的长期供货协议。
(圖一)UAES??总经理 郭晓麇（右）、
ROHM执行董事 功率元件事业本部 本部长 野间 亚树（左）
UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来，双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
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ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组，成功导入至浙江吉利控股集团（以下称吉利）的电动车（以下称EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器 |
高度整合的芯片组不过是这几年才发生的事，如果说CPU是计算机的脑部，Chipsets就可算是计算机的心脏了。
