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CTIMES / Gan
科技
典故
第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期,贝尔实验室开始一项研究计划,目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日,由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管,优点是体积更小、更可靠、且成本低廉,不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业,同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
SiC MOSFET:意法半导体克服产业挑战的颠覆性技术 (2024.11.11)
意法半导体中国及APeC车用SiC产品部门经理Gaetano Pignataro分享了他对碳化矽(SiC)市场的观点、行业面临的挑战以及ST应对不断增长需求的策略。
Power Integrations推1700V氮化??切换开关IC (2024.11.05)
Power Integrations推出其 InnoMux-2 系列的单级、独立稳压多路输出离线式电源供应器 IC 的新成员。新装置采用了业界首款透过该公司专有 PowiGaN 技术制造的 1700 V 氮化??切换开关
德州仪器扩大氮化??半导体内部制造作业 将自有产能提升至四倍 (2024.10.25)
德州仪器 (TI) 已开始在日本会津的工厂生产氮化?? (GaN) 功率半导体。随着会津厂进入生产,加上位於德州达拉斯的现有GaN制造作业,TI 现针对GaN功率半导体的自有产能可增加至四倍之多
格棋化合物半导体中坜新厂落成 携手中科院强化高频通讯技术 (2024.10.23)
格棋化合物半导体中坜新厂落成,同时宣布与国家中山科学研究院(中科院)合作,双方将共同强化在高频通讯技术领域的应用。此外,格棋也和日本三菱综合材料商贸株式会社签署合作协议,双方将致力於扩大日本民生用品和车用市场的布局
ASM双腔体碳化矽磊晶平台 满足先进碳化矽功率元件领域需求 (2024.10.07)
ASM 发布了全新PE2O8碳化矽磊晶系统。这款双腔体碳化矽(SiC)磊晶 (Epi)平台旨在满足先进碳化矽功率元件领域的需求,具备低缺陷率、高制程稳定性,成为业界标竿。PE2O8具备更高的产量和较低的拥有成本,促进了碳化矽元件的更广泛应用
ROHM与UAES签署SiC功率元件长期供货协议 (2024.09.05)
半导体制造商ROHM与中国车界Tier1供应商联合汽车电子有限公司(United Automotive Electronic Systems,UAES)签署了SiC功率元件的长期供货协议。 UAES和ROHM自2015年开始技术交流以来,双方在SiC功率元件的车载应用产品开发方面也建立了合作夥伴关系
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片导入吉利电动车三款主力车型 (2024.08.29)
半导体制造商ROHM内建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模组,成功导入至浙江吉利控股集团(以下称吉利)的电动车(以下称EV)品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款车型的主机逆变器
德州仪器与台达电子合作 推动电动车车载充电技术再进化 (2024.07.03)
德州仪器(TI)与台达电子展开长期合作,共同开发次世代电动车车载充电与电源解决方案。这项合作将於双方在台湾平镇的创新联合实验室进行,结合双方在电源管理与电力传输方面的研发量能,共同推动功率密度、效能与尺寸最隹化,加速实现更安全、充电快速和实惠的电动车
TI首款GaN IPM问世 实现更小更具能源效率的高电压马达设计 (2024.06.26)
德州仪器 (TI) 推出适用於 250W 马达驱动器应用的 650V 三相 GaN IPM(Intelligent Power Module)。这款全新 GaN IPM 能协助工程师克服在设计大型家用电器以及暖通空调(HVAC)系统时常面临的多数设计与性能的问题
意法半导体於义大利打造世界首座一站式碳化矽产业园区 (2024.06.24)
意法半导体(STMicroelectronics,ST),将於义大利卡塔尼亚打造一座结合8寸碳化矽(SiC)功率元件和模组制造、封装、测试於一体的综合性大型制造基地。透过整合同一地点现有之碳化矽基板制造厂,意法半导体将打造一个碳化矽产业园区,达成在同一个园区内全面垂直整合制造及量产碳化矽之愿景
安森美於捷克打造端到端碳化矽工厂 完备先进功率半导体供应链 (2024.06.20)
电气化、再生能源和人工智慧是全球大势所趋,激发了市场对可最隹化能源转换和管理的先进功率半导体的空前需求。为满足这些需求,安森美采取了战略举措,宣布将在捷克建造先进的垂直整合碳化矽 (SiC) 制造工厂
意法半导体推出灵活同步整流控制器 提升矽基或氮化??功率转换器效能 (2024.05.14)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)新款SRK1004同步整流控制器降低采用矽基或GaN电晶体之功率转换器的设计难度并提升转换效能,目标应用包括工业电源、携带式装置充电器和AC/DC转接器
Power Integrations收购Odyssey 为GaN技术的持续发展提供支援 (2024.05.08)
Power Integrations这家节能型电源转换领域的高压积体电路领导厂商,宣布收购垂直氮化?? (GaN) 电晶体技术开发者 Odyssey Semiconductor 的资产。这项交易预计将於 2024 年 7 月完成,之後 Odyssey 的所有重要员工预期会加入 Power Integrations 的技术组织
罗姆集团旗下SiCrystal与意法半导体合作扩大SiC晶圆供货协议 (2024.04.22)
半导体制造商ROHM和意法半导体(ST)宣布,罗姆集团旗下的SiCrystal GmbH(SiCrystal)将扩大目前已持续多年的150mm SiC晶圆长期供货协议。 扩大後的协议约定未来数年将向ST供应在德国纽伦堡生产的SiC晶圆,预计协议期间的交易额将超过2.3亿美元
TI创新车用解决方案 加速实现智慧行车的安全未来 (2024.04.18)
伴随汽车电气化程度提高与电动车的普及,车内配电与布线复杂度也随之攀升,TI透过牵引逆变器、车载充电器等系统与元件的创新解决方案,掌握配电监控、升降压管理等安全性核心技术,协助汽车工程师简化设计并打造更安全的车辆
ST碳化矽数位电源解决方案被肯微科技采用於高效伺服器电源供应器设计 (2024.03.22)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)与高效能电源供应领导厂商肯微科技合作,设计及研发使用ST领先业界的碳化矽(SiC)、电气隔离和微控制器的伺服器电源叁考设计技术
英飞凌携手Worksport 以氮化??降低可携式发电站重量和成本 (2024.03.13)
英飞凌科技宣布与 Worksport合作,共同利用氮化??(GaN)降低可携式发电站的重量和成本。Worksport 将在其可携式发电站转换器中使用英飞凌的 GaN 功率半导体 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度
TI新型功率转换器突破电源设计极限 协助工程师实现更高功率密度 (2024.03.06)
德州仪器(TI)推出两款新型功率转换器产品组合,协助工程师在更小的空间内实现更大的功率,以更低的成本提供最高的功率密度。TI的新型100V整合式氮化??(GaN)功率级采用耐热增强型双面冷却封装技术,可简化散热设计并在中电压应用里实现超过1.5kW/in3的最高功率密度
ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件(EcoGaN),被台湾台达电子(Delta Electronics)的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件,在提高产品性能和可靠性的同时,更实现了小型化
英飞凌2024年第一季度业绩表现强劲 营收达37亿欧元 (2024.02.17)
英飞凌 2024 会计年度第一季营收 37.02 亿欧元,部门利润达 8.31 亿欧元,利润率为 22.4%。2024会计年度第二季展??:基於1欧元兑换1.10 美元的假设汇率,预期营收约为 36 亿欧元

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6 TI新型功率转换器突破电源设计极限 协助工程师实现更高功率密度
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10 英飞凌氮化??解决方案协助欧姆龙实现轻小车联网充电系统

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