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CTIMES / 超接面
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制定电子商业标准协会 - OASIS

OASIS是一个非营利的机构,其作用在于发展、整合,以及统一世界各地电子商业所需要的专用标准。OASIS并制定出全球电子商业的安全标准、网络服务、XML的标准、全球商业的流通,以及电子业的出版。
东芝推出新款600V/650V超接面N沟道功率MOSFET (2017.02.06)
东芝公司(Toshiba)旗下储存与电子元件解决方案公司推出EMI性能更佳化的600V/650V超接面N沟道功率MOSFET,该产品适用于工业和办公设备。 该新系列拥有与东芝当前的「DTMOS IV系列」相同水准的低导通电阻、高速开关性能,同时,其最佳化的设计流程使EMI性能提升约3至5dB
意法半导体推出1500V超接面功率MOSFET让电源应用环保又安全 (2015.11.09)
意法半导体(STMicroelectronics,ST)的新系列功率MOSFET让电源设计人员实现产品效能最大化,同时提升工作稳健性及安全系数。 MDmeshTM K5产品是拥有超接面技术优势及1500V漏极-源极(drain-to-source)崩溃电压(breakdown voltage)的电晶体,并已获亚洲及欧美主要客户导入于其重要设计中
意法半导体新650V超接面MOSFET提升安全系数 (2014.12.02)
意法半导体(STMicroelectronics;ST)的最新超接面(super-junction)功率MOSFET可满足家电、低功耗照明以及太阳能微逆变器对电源能效的要求,同时提供更高的可靠性和最新且可满足高功率密度的封装选项

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