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CTIMES / 450 V
科技
典故		 第一颗晶体管(Transistor)的由来

第二次世界大战末期，贝尔实验室开始一项研究计划，目标是研发出一种体积更小、功能更强大、更快速且可靠的装置来取代真空管。1947年12月23日，由贝尔实验室研发的晶体管取代了真空管，优点是体积更小、更可靠、且成本低廉，不仅孕育了今日遍及全球的电子半导体产业，同时也促成电讯计算机业、医学、太空探测等领域产生戏剧性的改变。
宜普电源推出450 V增强型氮化镓功率晶体管 (2015.01.15)
具备４奈秒上升时间特性的450 V氮化镓场效应功率晶体管(eGaN FET)并适合于高频直流-直流转换器及医疗诊断仪器的应用。 宜普电源（EPC）推出450 V并通常处于关断状态的增?型功率晶体管（EPC2027），可用于需要高频开关的应用，从而实现更高的效率及功率密度

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