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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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英飛凌購入韓國合資製造商LSPS流通股份 鞏固主要家電市場地位 (2015.05.13)
（德國慕尼黑訊）英飛凌科技（Infineon）宣布購入 LS Power Semitech 公司的所有在外流通股份。該公司為英飛凌與 LS Industrial Systems 於 2009 年於韓國合資設立。此項收購策略將提升英飛凌在智慧型電源模組 (IPM) 成長市場上的全球競爭力 |
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ROHM創新SiC驅動用AC/DC轉換控制IC (2015.05.12)
ROHM全新研發能將尖端SiC功率半導體性能發揮至極致的AC/DC轉換器控制IC。研發出在處理大功率（高電壓×大電流）之變頻器與伺服馬達等工具機上被採用之SiC-MOSFET驅動用AC/DC轉換器控制IC─BD7682FJ-LB |
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英飛凌與Panasonic為常關型600V氮化鎵功率半導體建立雙供應源 (2015.03.17)
英飛凌科技（Infineon）與 Panasonic公司宣佈雙方將共同開發以 Panasonic 常關型（強化模式）矽基板氮化鎵電晶體結構為基礎的氮化鎵 (GaN) 產品，並整合至英飛凌的表面黏著裝置（SMD）封裝 |
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英飛凌順利收購美國國際整流器公司 (2015.01.14)
英飛凌科技（Infineon）宣佈完成收購美國國際整流器公司（International Rectifier；IR）。在獲得所有相關主管機關與該公司股東的核准之後，自今日起總部位於美國加州艾爾塞貢多（El Segundo）的國際整流器公司正式成為英飛凌旗下公司 |
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英飛凌收購Schweizer 9.4%股份 晶片嵌入封裝應用多 (2014.12.02)
英飛凌科技 (Infineon) 和印刷電路板 (PCB) 製造商德國Schweizer Electronic AG宣佈，英飛凌將購入Schweizer 9.4% 的股份。英飛凌藉由投資Schweizer強化雙方合作，共同開發可將功率半導體整合進PCB的技術，深化在高功率汽車及工業應用晶片嵌入市場的發展 |
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Littelfuse推出額訂值高達1700V和450A模組 (2014.11.19)
Littelfuse公司從全球電路保護領域擴充到其專為電機控制和反向器應用設計的IGBT模組功率半導體產品。IGBT功率模組提供廣泛的包裝設計，現包括半橋、六隻裝以及S、D、H、W和WB封裝的PIM模組，額定值高達1700V和450A |
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功率半導體市場大地震 英飛凌併購國際整流器 (2014.08.21)
近年來半導體市場的併購案件不斷，像是英特爾併購英飛凌的無線射頻部門、或是德州儀器一次買下美國國家半導體（NS）等，都是全球半導體產業十分關注的焦點，而此次英飛凌以以每股 40 美元、總計約 30 億美元的現金出手買下國際整流器（IR），更是撼動了全球功率半導體市場 |
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挽救半導體聲勢 日本成立PDEA (2013.08.05)
日本近期傳出日本半導體產業成立功率元件促進協會（Power Device Enabling Association，PDEA），主要的原因在於，日本在功率元件的技術發展，約略落後全球的平均水平，故成立該協會希望能迎頭趕上，同時也能在各類重工業或是大功率等相關應用中，發展完整的生態系統以取得領導地位 |
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英飛凌與博世合作 共同生產功率半導體 (2009.04.05)
英飛凌科技（Infineon Technologies AG）與全球汽車及工業技術廠商羅伯特博世（Robert Bosch GmbH）公司宣佈將雙方的合作範圍擴展至功率半導體領域。
此次雙方合作的內容主要包含兩方面： 第一、博世取得英飛凌有關功率半導體之特定製程的授權，特別是低壓MOSFET及必要的製造技術 |
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東芝功率半導體12吋新廠啟用 目標世界第一 (2007.10.18)
東芝旗下的加賀東芝電子正式啟用了首座功率半導體12吋晶圓廠生產線，新產線將用於功率半導體的前段製程。東芝表示，此次生產線的啟用是東芝的功率半導體業務邁向世界第一的第一步 |
