CTIMES - 快閃記憶體

瑞薩與台積電合作開發車用28奈米MCU (2016.09.01)
瑞薩電子與台積公司合作開發28奈米嵌入式快閃記憶體(eFlash)製程技術，以生產支援新世代環保汽車與自動駕駛車的微控制器(MCU)。採用此全新28奈米製程技術生產的車用MCU預計於2017年提供樣品，2020年開始量產

希捷：軟體與SSD無縫接軌協助企業加速營運動能 (2016.08.16)
希捷科技(Seagate)日前於快閃記憶體高峰會 (Flash Memory Summit) 宣布推出兩款創新快閃儲存產品，一舉推升企業資料中心的儲存運算效能。新品包括歷來參展產品中容量最高的固態硬碟(SSD) — 60TB SAS SSD

SST推出已驗證GLOBALFOUNDRIES BCDLite製程嵌入式SuperFlash產品 (2016.07.13)
Microchip公司日前透過其子公司Silicon Storage Technology（SST）推出已通過驗證的、基於GLOBALFOUNDRIES 130 nm BCDLite技術平台的、SST低光罩數嵌入式SuperFlash非揮發性記憶體（NVM）產品

PLD克服高常用系統的設計挑戰 (2016.05.11)
高常用性系統如伺服器、通訊閘道和基站等需要持續作業。一旦安裝後，即需透過軟體升級來增強系統功能和修復錯誤。PLD常用於支援系統內的設計更新。

意法半導體推出新款STM32 Nucleo開發板 (2016.03.03)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出尺寸精巧的STM32 Nucleo-144系列開發板，加強其對STM32系列32位元快閃記憶體微控制器的支援。新款144針腳開發板進一步擴大現有STM32開發生態系統範圍，透過提升板上連接通訊功能，讓客戶能夠使用任何一款STM32微控制器快速開發應用

瑞薩電子開發90奈米單電晶體MONOS快閃記憶體技術 (2016.02.26)
瑞薩電子（Renesas）宣佈開發90奈米（nm）單電晶體MONOS (1T-MONOS)快閃記憶體技術，可結合各種製程如CMOS與雙極CMOS DMOS（BiCDMOS），並提供高程式/抹除(P/E)耐受性及低重寫耗電量

Atmel全新8位tinyAVR擁有1kB快閃記憶體 (2016.02.24)
Atmel公司在2016年德國嵌入式系統展（Embedded World 2016）上宣佈，推出帶有1kB快閃記憶體的低功耗8位MCU。全新ATtiny102/104 MCU的運行速度最高可達12 MIPS（每秒百萬條指令），並整合了此前僅在大型MCU上擁有的特性，使它們成為小型應用的理想之選，這些應用包括邏輯置換以及消費、工業和家庭自動化市場的最新成本優化應用

東芝購地興建半導體生產新工廠 (2016.02.04)
東芝公司(Toshiba)收購一個面積為15萬平方公尺的土地，來為其專有3D快閃記憶體BiCS FLASH未來的擴大生產做準備，該地毗鄰公司位於三重縣四日市的記憶體生產基地。該地與這一記憶體生產基地的東部和北部毗連，將耗資大約30億日圓

東芝推出全新藍牙低功耗晶片搭載內建快閃記憶體 (2015.11.24)
東芝半導體(Toshiba)推出兩款全新藍牙晶片TC35675XBG和TC35676FTG/FSG，均支援低功耗（LE）4.1版通訊。其中，TC35676FTG/FSG搭載快閃記憶體，而TC35675XBG同時支援快閃記憶體和點對點通訊的NFC Forum Type 3 Tag

群聯電子採用Cadence Voltus-Fi客製電源完整性方案加速產品上市時程 (2015.10.22)
益華電腦（Cadence）宣佈，群聯電子（Phison）採用Cadence Voltus-Fi客製電源完整性解決方案（Custom Power Integrity Solution）為其先進的快閃記憶體控制器晶片進行電子遷移與電阻電位降（EMIR）檢查，實現了矽晶驗證（silicon-proven）的準確度

Maxim小型低功率MAX3262x微控制器登陸Mouser (2015.10.20)
Mouser Electronics即日起開始供應Maxim的MAX32620/MAX32621 微控制器。MAX3262x裝置採用支援浮點單元(FPU)的32位元RISC ARM Cortex-M4F微控制器，適合新興的醫療及健身應用市場。這兩款裝置均內含2MB快閃記憶體和256KB的SRAM，其架構整合了高效率的訊號處理功能，成本低且易於使用

快閃記憶體的潮流：快閃儲存的商業案例 (2015.09.08)
對現代企業能否維持的競爭優勢，應用程式的效能扮演關鍵角色。為了能立即存取，即時處理、分析與剖析資料，企業客戶會主動於儲存設備基礎架構加入快閃記憶體。因應客戶的需求及市場需求急遽成長，許多CIO發現快閃記憶體適用於效能密集型的應用，包括資料庫、資料倉儲和大數據分析等

Microchip大中華區技術精英年會開始接受報名 (2015.09.07)
全球整合微處理控制器、混合訊號、類比元件和快閃記憶體矽智財解決方案供應商——Microchip公司舉辦的大中華區技術精英年會（Greater China MASTERs Conference），現已開始接受報名

Xilinx推出LDPC錯誤校正IP基礎 (2015.08.13)
美商賽靈思（Xilinx）推出低密度奇偶校驗（Low-Density Parity-Check；LDPC）錯誤校正IP基礎，為雲端與資料中心儲存市場實現各種新一代快閃型應用。由於各種3D NAND技術讓NAND快閃記憶體不斷精進，LDPC錯誤校正已然成為一項關鍵的核心功能以因應現今儲存解決方案對可靠度和耐用度的嚴格要求

東芝16顆粒堆疊式NAND快閃記憶體搭載TSV技術 (2015.08.07)
東芝公司（Toshiba）宣布研發出運用矽穿孔（TSV）技術的16顆粒（最大）堆疊式NAND快閃記憶體。東芝將於8月11~13日在美國聖克拉拉舉行的2015年快閃記憶體高峰會（Flash Memory Summit 2015）上展示其原型

Atmel | SMART SAM S/E系列MCU目標面向物聯網和工業市場 (2015.07.20)
Atmel公司宣佈，公司已開始批量生產基於ARM Cortex-M的微控制器（MCU）產品—Atmel | SMART SAM S70和E70系列。這些MCU擁有更大的可配置SRAM、更大的嵌入式快閃記憶體和豐富的高頻寬外設，並提供最佳的連接、記憶體和性能組合

東芝為微控制器和無線通訊積體電路開發新製程技術 (2015.07.09)
（日本東京訊）東芝公司（Toshiba）宣布，該公司已根據使用小於當前主流技術功率的65奈米邏輯製程開發了快閃記憶體嵌入式製程，以及採用130奈米邏輯及類比電源製程開發了單層多晶矽非揮發性記憶體（NVM）製程

Altera FPGA架構儲存設計可延長NAND快閃記憶體使用壽命 (2015.07.03)
Altera公司開發採用其Arria 10 SoC架構的儲存參考設計，與目前的NAND快閃記憶體相比，NAND快閃記憶體的使用壽命將加倍，程式擦除週期數增加了7倍。參考設計在經過最佳化的高性能價格比單晶片解決方案中，包括一顆Arria 10 SoC和整合雙核心ARM Cortex A9處理器，同時採用了Mobiveil的固態硬碟（SSD）控制器，以及NVMdurance的NAND最佳化軟體

Computex 2015─宜鼎國際展示完整應用於車聯網儲存解決方案 (2015.05.26)
宜鼎國際（Innodisk）於6月2日展開的Computex 2015展示旗下產品，將結合快閃記憶體（Flash）與動態記憶體（ DRAM ）兩大事業部最新產品，分別以Supermicro 1018R-WC0R搭載SeverDOM-V / SATADOM SH 3ME3,DDR4 32GB RDIMM 2400Mhz展示伺服器應用、主流系統平台搭載CFast 3ME3 / mSATA mini 3ME3,DDR4 8G ECC UDIMM展示網通應用、主流系統平台搭載2

宜鼎國際工控模組全新升級，推出高IOPS全系列產品 (2015.05.19)
工控儲存廠商宜鼎國際（Innodisk）新一代3ME3模組產品系列升級自3ME系列，採用先進控制器，及針對工業電腦應用所設計的韌體，搭配A19奈米製程的原廠高品質同步快閃記憶體，可讓微型模組效能大幅提升