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科技
典故 |
第一顆電晶體(Transistor)的由來
第二次世界大戰末期，貝爾實驗室開始一項研究計畫，目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日，由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管，優點是體積更小、更可靠、且成本低廉，不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業，同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
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意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化，在功率效率、功率密度及穩定性上樹立全新的標竿 |
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Littelfuse宣佈投資碳化矽技術 (2015.12.22)
Littelfuse公司日前宣佈作為公司強力進軍工業和汽車用功率半導體元件市場戰略的一項舉措，Littelfuse對碳化矽技術研發領域的新創公司Monolith Semiconductor進行了投資。 碳化矽是一種發展迅速的新興半導體材料，與傳統矽相比，能使功率元件在較高的切換頻率和溫度下工作 |
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