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CTIMES / 閘極驅動
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
東芝五款MOSFET閘極驅動器IC新品採用超小型封裝 (2022.06.09)
東芝電子元件及儲存裝置株式會社(簡稱東芝)為其TCK42xG系列MOSFET閘極驅動器IC 產品系列增加適用於穿戴式裝置等行動裝置的五款新品。該系列的新產品配備過壓鎖定功能,並根據輸入電壓控制外部MOSFET的閘極電壓
英飛凌全新閘極驅動IC 簡化工業環境的MOSFET設計 (2020.12.17)
英飛凌科技推出EiceDRIVER X3 Enhanced類比(1ED34xx)和數位(1ED38xx)閘極驅動IC,提供3、6和9A的典型輸出電流,具有精密的短路偵測以及米勒鉗制和軟關斷等功能。 1ED34xx還可透過加裝外部電阻,提供可調整的去飽和濾波器時間和軟關斷電流
凌力爾特高端、高頻 MOSFET 閘極驅動器具備 -55°C 至150°C 操作接面溫度範圍 (2013.10.02)
凌力爾特(Linear Technology Corporation)日前發表高端、高頻N通道MOSFET閘極驅動器LTC4440A-5 ,可透過高達80V的輸入電壓操作,並可於達100V的瞬變過程連續操作。該驅動器可與功率MOSFET、凌力爾特的眾多DC / DC控制器之一結合,以構成一完整的電源方案

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