帳號:
密碼:
CTIMES / 高電壓
科技
典故
第一顆電晶體(Transistor)的由來

第二次世界大戰末期,貝爾實驗室開始一項研究計畫,目標是研發出一種體積更小、功能更強大、更快速且可靠的裝置來取代真空管。1947年12月23日,由貝爾實驗室研發的電晶體取代了真空管,優點是體積更小、更可靠、且成本低廉,不僅孕育了今日遍及全球的電子半導體產業,同時也促成電訊電腦業、醫學、太空探測等領域產生戲劇性的改變。
汽車動力總成的功能與網路安全三大考量 (2021.06.05)
對於汽車設計工程師來說就更為重要。在現代電動車設計、開發與大量生產的過程中,功能安全、網路安全與高電壓安全都扮演著非常重要的角色。
意法半導體新款功率MOSFET實現更小、更環保的汽車電源 (2015.12.23)
意法半導體(STMicroelectronics;ST)針對汽車市場推出新系列高電壓N通道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證,採用意法半導體內建快速恢復二極體的MDmesh DM2超接面製程,崩潰電壓範圍為400V至650V,可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝
科銳新款元件奠定大功率LED性能新標竿 (2015.08.20)
科銳公司(CREE)推出新款XLamp XHP35系列 LED元件,光輸出較科銳之前的最高性能單晶封裝LED元件提升50%,奠定3.5mm封裝元件的性能新標竿。XHP35 LED元件建基於科銳的SC5技術平台,導入科銳的突破性高電壓功率晶片架構,使得廠商能夠沿用現有的驅動來充分發揮超大功率LED元件的完整性能
全新耐突波之高電壓型齊納二極體 (2014.11.03)
概要   半導體製造商ROHM株式會社在各種電路的穩壓及保護用的齊納二極體系列中,全新推出高電壓型「UDZLV系列」。可從51V到150V的12款齊納電壓依用途選擇。本產品特別適合汽車的ECU(引擎控制零件)保護,也可對應AEC-Q101

  十大熱門新聞

AD

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2021 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29號11樓 / 電話 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw