美商晶像、英商安谋、韩国海力士半导体、索尼爱立信行动通讯及法商意法半导体在4月30日宣布组织工作小组，为新世代内存接口技术，建立开放式标准。这项首创的内存标准乃针对动态随机存取内存（dynamic random access memory；DRAM），称为「串行埠内存技术」（Serial Port Memory Technology；SPMT），以串行式接口取代现今内存装置所惯用的并列式接口，可让带宽更具弹性、减少接脚数及降低耗能需求，并具有多重的端口。这项技术将可大幅延长电池使用寿命，同时提供下一代手机常备的高效能多媒体应用，最适合行动手机制造商与消费者。

SPMT工作小组的目标是要定义出一项技术，将接脚数降低至少40％、提供从3.2GBps至12.6GBps以上的带宽范围，相较于市面上现有的其他DRAM产品减少50％ 以上的输入/输出功率，并在一片SPMT内存芯片上，提供单一端口或多重端口。除了行动手持装置市场外，这项技术亦符合其他领域的需求。例如可携式媒体播放器、数字固定式相机，以及掌上型游戏机。

SPMT工作小组的成员，希望研发出全新技术以迎合制造商日趋增加的需求。加强手持装置的性能及功能，同时兼具竞争力，甚至降低装置的系统成本。技术研发是为了响应行动服务供货商对于解决方案的需求，让他们能以具竞争力的价钱，提供消费者更密集的数据、更多元化的媒体，例如视讯（包括高画质视讯）、GPS、电动游戏、网络存取、e-mail、多媒体应用及音乐。SPMT的工作小组成员从2007年第三季就开始举行会议，并计划在今年下半年组织正式联盟，成员包括手持装置、内存及系统单芯片的制造商与半导体IP供货商，预计在2008年底为业界带来SPMT规格。

iSuppli内存分析师Nam Hyung Kim指出：「手持装置对于更快速、密度更高的DRAM芯片需求正与日俱增，尤其是对多元化媒体功能的要求也越来越高。 这是一个很好的时机去开发DRAM整合串行式技术的接口标准，以达到更高带宽及减少接脚数，并提供突破目前接口技术的扩充能力。」

英商安谋（ARM）Fabric IP的副总裁暨总经理Keith Clarke指出：「目前系统单芯片的整合等级日增，因此需要通讯网络及内存系统提供更高的带宽及效能，这项串行式内存接口能提供独特的特性，让公司更进一步运用这些关键的系统零件，使其优化。 透过参与此工作小组，我们就能第一时间让本公司广大的伙伴网络都可取得这项技术。」

海力士内存集团的技术营销资深副总裁JB Kim表示：「全功能、多元化的媒体行动应用越来越多，所以对更多内存的需求也有增加。串行埠内存技术正是最合适的解决方案，有效因应这个需求，并能提供全新应用产品所需要的较少接脚数、低耗能、高带宽。」

LG电子行动通讯开发采购总经理说明：「我们期盼加入SPMT工作小组，协助制定新一代的内存接口。若要成功地向客户推出先进而具竞争力的产品，关键是能够大幅减少针脚数和增加带宽，同时符合成本」。

晶像公司的内存技术产品总经理Jim Venable指出：「随着DRAM内容不断在新世代行动装置上增加，目前的技术已经开始跟不上需求的脚步。在不大幅增加成本的前提下，要达到更大的带宽、更低耗能以及弹性的设计，则更加困难。 串行埠内存技术会改变目前的业界标准，带来显著的性能改进，以及更高质量的用户经验，就像行动装置开发者所设计的新产品一样。」

意法半导体（ST）行动芯片平台部门总监Teppo Hemia表示：「在掌上型产品上推出多媒体应用时，实体体积、接脚、温度与功率消耗仍是无法破除的障碍。透过产业共同推动内存接口技术的标准化，我们预见能够扩展市场上可用实用产品的行动芯片技术效能，将会有大幅进展」。