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联电推14奈米eHV FinFET平台 助力新一代智慧手机显示技术创新 (2026.05.14)
联华电子推出用於显示驱动IC的14奈米嵌入式高压(eHV) FinFET技术平台，并可提供制程设计套件供客户进行设计导入。 |
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台积电发表A13新制程 预计2029年正式量产 (2026.04.23)
台积电（TSMC）於「2026年北美技术论坛」首度揭晓其最新的A13制程技术。作为A14制程的直接微缩版，A13透过奈米片（Nanosheet）电晶体技术提供更高的设计空间与能效，满足AI、HPC及次世代行动通讯对运算效能的需求 |
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台积电发表A13新制程 预计2029年正式量产 (2026.04.23)
台积电（TSMC）於「2026年北美技术论坛」首度揭晓其最新的A13制程技术。作为A14制程的直接微缩版，A13透过奈米片（Nanosheet）电晶体技术提供更高的设计空间与能效，满足AI、HPC及次世代行动通讯对运算效能的需求 |
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台积电2奈米良率提前破70% (2026.01.01)
根据产业调查显示，台积电位於新竹宝山厂区的2奈米（N2）制程，试产良率已正式突破70%的大关。这一数据不仅远超市场原先预期，更象徵着台积电在与三星、Intel 的次世代制程竞赛中，已取得决定性的领先优势 |
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台积电2奈米良率提前破70% (2026.01.01)
根据产业调查显示，台积电位於新竹宝山厂区的2奈米（N2）制程，试产良率已正式突破70%的大关。这一数据不仅远超市场原先预期，更象徵着台积电在与三星、Intel 的次世代制程竞赛中，已取得决定性的领先优势 |
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2 奈米世代良率决胜负 台积电拉开与三星的关键差距 (2025.12.24)
随着 2026年智慧型手机与AI晶片迈入2 奈米（nm）元年，先进制程竞赛全面升温。供应链最新动向显示，台积电位於新竹宝山与高雄的2奈米产线，在量产前夕即被核心客户全面预订，2026年产能几近售罄 |
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2 奈米世代良率决胜负 台积电拉开与三星的关键差距 (2025.12.24)
随着 2026年智慧型手机与AI晶片迈入2 奈米（nm）元年，先进制程竞赛全面升温。供应链最新动向显示，台积电位於新竹宝山与高雄的2奈米产线，在量产前夕即被核心客户全面预订，2026年产能几近售罄 |
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全球晶圆代工竞争激烈 联电以成熟制程与封装策略突围 (2025.09.16)
联华电子於今（2025）年8月份内部自行结算之合并营收约新台币 191.6 亿元，比去年同期减少约 7.20%。这显示在全球半导体供需、价格与成本压力加剧的情况下，联电也受到影响 |
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全球晶圆代工竞争激烈 联电以成熟制程与封装策略突围 (2025.09.16)
联华电子於今（2025）年8月份内部自行结算之合并营收约新台币 191.6 亿元，比去年同期减少约 7.20%。这显示在全球半导体供需、价格与成本压力加剧的情况下，联电也受到影响 |
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台积电2奈米制程进入量产倒数阶段 AI与HPC驱动需求暴增 (2025.07.31)
台积电已证实其 2 奈米（N2）制程已进入试产後期阶段，并预定於 2025 年下半年正式量产（high?volume production, HVM）。董事长魏哲家强调，N2 制程量产与 3 奈米节点曲线类似，加上单价较高，预期此节点将为公司带来更显着的获利提升 |
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台积电2奈米制程进入量产倒数阶段 AI与HPC驱动需求暴增 (2025.07.31)
台积电已证实其 2 奈米（N2）制程已进入试产後期阶段，并预定於 2025 年下半年正式量产（high?volume production, HVM）。董事长魏哲家强调，N2 制程量产与 3 奈米节点曲线类似，加上单价较高，预期此节点将为公司带来更显着的获利提升 |
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xPU能效进化论 每瓦特算力成为AI时代新价值 (2025.05.07)
半导体产业必须重新定义「效能」：不再仅以每秒浮点运算次数（FLOPS）比较，而以每瓦特浮点运算（FLOPS/W）为核心指标。本文将从制程微缩、先进封装、架构革新三个维度，深入剖析xPU的节能技术路线 |
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2奈米制程竞争 台积电稳步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半导体制程技术的竞赛中，2奈米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。台积电（TSMC）正在积极研发2奈米制程，於2024年开始试产，并计画於2025年实现量产。台积电将在2奈米节点引入GAA（环绕栅极）奈米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变 |
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2奈米制程竞争 台积电稳步向前或芒刺在背? (2025.03.03)
在半导体制程技术的竞赛中，2奈米制程成为各大厂商争夺的下一个重要里程碑。台积电（TSMC）正在积极研发2奈米制程，於2024年开始试产，并计画於2025年实现量产。台积电将在2奈米节点引入GAA（环绕栅极）奈米片晶体管技术，这是从传统的FinFET转向新一代晶体管架构的重大转变 |
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原子层沉积技术有助推动半导体制程微缩 (2025.02.08)
随着半导体制程技术的持续进步，晶片微缩已达到物理极限，传统的光刻技术面临挑战。在此背景下，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术因其薄膜沉积精度，成为推动半导体微缩的关键技术之一 |
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原子层沉积技术有助推动半导体制程微缩 (2025.02.08)
随着半导体制程技术的持续进步，晶片微缩已达到物理极限，传统的光刻技术面临挑战。在此背景下，原子层沉积（Atomic Layer Deposition，ALD）技术因其薄膜沉积精度，成为推动半导体微缩的关键技术之一 |
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台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级 (2024.12.16)
台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产 |
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台积电发表N2制程技术 2奈米晶片效能再升级 (2024.12.16)
台积电本周於旧金山举行的IEEE国际电子元件会议(IEDM)上，发表了其下一代名为N2的2奈米电晶体技术，也是台积电全新的电晶体架构━环绕闸极(GAA)或奈米片（NanoSheet）。目前包含三星也拥有生产类似电晶体的制程，英特尔和台积电，以及日本的Rapidus都预计在2025年开始量产 |
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跨过半导体极限高墙 奈米片推动摩尔定律发展 (2024.08.21)
奈米片技术在推动摩尔定律的进一步发展中扮演着关键角色。
尽管面临图案化与蚀刻、热处理、材料选择和短通道效应等挑战，
然而，透过先进的技术和创新，这些挑战正在逐步被克服 |
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高速运算平台记忆体争霸 (2024.07.02)
各类AI应用的市场需求庞大，各种记忆体的竞争也异常的激烈，不断地开发更新产品，降低成本，企图向上向下扩大应用，只有随时保持容量、速度与可靠度的优势才是王道 |
