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四大技術爭奪EV充電樁主流標準 (2023.09.23)
各國正重點推廣電動車，車廠也紛紛公佈了應對的策略。隨著電動車的普及，意味著汽車的動力來源已從補充汽油的形式，傳換補充電力的形式，這也使得充電站的普及變得非常重要 |
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東芝首款2200V雙碳化矽MOSFET模組協助工業設備高效和小型化 (2023.08.30)
東芝電子開發業界首款用於工業設備的2200V雙碳化矽（SiC）MOSFET模組MG250YD2YMS3 。新模組的漏極電流（DC）額定值為250A，並採用該公司的第三代SiC MOSFET晶片。適用於使用DC1500V的應用，如光伏發電系統、儲能系統等 |
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經濟部發表新研發成果 領先三星推出最快磁性記憶體 (2022.09.14)
經濟部技術處SEMICON Taiwan科技專案成果主題館於今（14）日在「2022 SEMICON Taiwan」台北南港展覽館一館四樓N0662攤位正式登場！共展出33項創新技術！首先最吸睛的技術，是由工研院攜手多家台灣大廠，完成世界最快的SOT-MRAM陣列晶片，達成0.4奈秒高速寫入、7兆次讀寫的高耐受度，效能領先南韓大廠20% |
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瑞薩推出新一代用於電動汽車逆變器的矽IGBT (2022.08.30)
瑞薩電子（Renesas Electronics）宣布開發新一代矽絕緣柵雙極電晶體（Si-IGBT），以提供低功率損耗且小型的封裝。針對新一代電動汽車（EV）逆變器的AE5 IGBT將於2023年上半年開始在瑞薩位於日本那珂市工廠的200和300毫米產線上生產 |
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下半年8吋基板將量產 第三類功率半導體2025年CAGR達48% (2022.03.10)
據TrendForce研究推估，第三類功率半導體產值將從2021年的9.8億美元，至2025年將成長至47.1億美元，年複合成長率達48%。
SiC適合高功率應用，如儲能、風電、太陽能、電動車、新能源車等對電池系統具高度要求的產業 |
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東芝新款碳化矽MOSFET雙模組適用於工業設備 (2022.01.27)
東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組：額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3；額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品，與之前發布的MG800FXF2YMS3共同組成1200V、1700V和3300V元件的陣容 |
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800V架構漸近 2025年電動車對6吋SiC晶圓需求將達169萬片 (2021.12.01)
電動車市場對於延長續航里程及縮短充電時間有著極大需求，整車平臺高壓化趨勢愈演愈烈，對此各大車企已陸續推出800V高壓車型，例如Porsche Taycan、Audi Q6 e-tron、Hyundai Ioniq 5等 |
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【東西講座】活動報導：功率模組就是電子驅動系統的心臟 (2021.11.14)
由CTIMES主辦的【東西講座】，上週五（11/12）舉行了「讓電動機車跑得更快、更遠」講題，由工研院電光系統所組長張道智博士擔任講師。他以電動載具應用的電子電力技術作為主軸，剖析功率元件對於電動載具的驅動和電控性統的重要性 |
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馬達變頻器內的關鍵元件: 功率半導體 (2021.04.20)
全球工業產業消耗的能源量預期到 2040 年將成長一倍。隨著對能源成本和資源有限的意識不斷提高，未來提升驅動馬達用電效率的需求將會越來越顯著。 |
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ROHM SiC功率元件獲車電廠UAES採用 助EV充電系統提升效率 (2020.03.17)
半導體製造商ROHM宣布，其SiC功率元件（SiC MOSFET）獲得中國車界Tier1供應商-聯合汽車電子有限公司（United Automot]ive Electronic Systems Co., Ltd.；UAES）採用，將應用於電動車充電器（On Board Charger；OBC）上 |
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英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SMD) 產品組合及 650 V CoolSiC MOSFET 產品系列 |
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Littelfuse推出1700V、10hm碳化矽MOSFET (2018.10.23)
Littelfuse公司推出其首款1700V碳化矽MOSFET LSIC1MO170E1000，擴充碳化矽MOSFET器件組合。LSIC1MO170E1000既是Littelfuse碳化矽MOSFET產品的重要補充，也是Littelfuse公司已發佈的1200V碳化矽MOSFET和蕭特基二極體的強有力補充 |
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英飛凌發表CoolSiC MOSFET產品 兼具高性能與可靠度 (2018.07.24)
德國半導體元件商英飛凌（Infineon）今日在台北宣布推出新一代搭載CoolSiC技術的MOSFET系列產品，透過其獨特的碳化矽 (SiC) 溝槽式 (Trench) 技術，提供高性能、高可靠度、高功率密度，且具成本效益的電源解決方案 |
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美高森美下一代1200 V SiC MOSFET樣品和700 V SBD (2018.05.29)
美高森美公司 (Microsemi Corporation) 宣佈在下季初擴大其碳化矽(SiC) MOSFET和SiC二極體產品組合，包括提供下一代1200 V、25 mOhm和80 mOhm SiC MOSFET器件的樣品，及下一代700 V、50 A 蕭特基勢壘二極體(SBD)和相應的裸晶片 |
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大聯大品佳集團推出英飛凌1200 V碳化矽MOSFET技術 (2018.04.17)
致力於亞太區市場的領先零組件通路商大聯大控股今日宣佈，旗下品佳集團將推出英飛凌（Infineon）1200 V碳化矽MOSFET技術。
此次推出的新技術可提升產品設計的功率密度和效能表現，並有助電源轉換方案的開發人員節省空間、減輕重量、降低散熱需求，進一步提升可靠性和降低系統成本 |
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英飛凌SiC MOSFET新技術 讓功率轉換設計效能再創高峰 (2016.05.11)
【德國慕尼黑訊】英飛凌科技（Infineon）推出革命性的 SiC (碳化矽) MOSFET 技術，讓產品設計達到前所未有的功率密度和效能水平。英飛凌的 CoolSiC MOSFET在提升效率與頻率上，提供更高的靈活度，協助功率轉換配置的開發人員達到節省空間和重量、減少冷卻需求、提升可靠性並縮減系統成本 |
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ROHM將SiC-SBD和SiC-MOSFET包在1顆封裝中，降低變流器的功率損耗 (2012.07.03)
ROHM日前推出適合工業裝置及太陽能發電系統功率調節器等裝置的變流器、轉換器使用，耐壓可達1200V第二代SiC MOSFET「SCH2080KE」。由於其低損耗與高可靠性等特性，因此可適用於各種應用領域，有效協助各種裝置實現低耗電．小體積目標 |
