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Innergie全新旗舰机型C10 / C10 Duo为全球体积最小百瓦级充电器 (2024.05.16)
台达消费性电源品牌Innergie推出最新旗舰机种Innergie C10，为全球体积最小的百瓦级USB-C充电器，体积仅87cc。同时也推出C10 Duo双孔版本，适合移动性商务旅客、数位游牧民族、家中与办公场域有高瓦充电需求的3C达人 |
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ROHM EcoGaN产品被台达电子45W输出AC适配器采用 (2024.02.27)
半导体制造商ROHM推出的650V GaN元件（EcoGaN），被台湾台达电子（Delta Electronics）的45W输出AC适配器「Innergie C4 Duo」 采用。该产品透过搭载可提高电源系统效率的ROHM EcoGaN「GNP1150TCA-Z」元件，在提高产品性能和可靠性的同时，更实现了小型化 |
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锁定5G先进基地台及行动装置应用 imec展示高效能矽基氮化?? (2023.12.14)
於本周举行的2023年IEEE国际电子会议（IEDM）上，比利时微电子研究中心（imec）发表了在8寸矽晶圆上制造的氮化铝（AlN）／氮化??（GaN）金属绝缘体半导体（MIS）高电子迁移率电晶体（HEMT），该元件能在28GHz的操作频率下展现高输出功率及能源效率 |
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Transphorm新款TOLT封装形式的SuperGaN FET提供更灵活的热管理 (2023.11.29)
Transphorm继近期推出三款新型TOLL FET後，推出一款TOLT封装形式的SuperGaN FET，新品TP65H070G4RS电晶体的导通电阻为72毫欧，为采用JEDEC标准（MO-332）TOLT封装的顶部散热型表面贴装氮化??元件 |
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Transphorm新三款TOLL封装SuperGaN FET 支援高功率能耗AI应用 (2023.11.07)
全球氮化??（GaN）功率半导体供应商Transphorm公司近日推出三款TOLL封装的SuperGaN FET，导通电阻分别为35、50和72毫欧。Transphorm的TOLL封装配置采用行业标准，可作为任何使用e-mode TOLL方案的直接替代元件 |
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CGD、群光电能与剑桥大学技术服务部共组GaN生态系统 (2023.11.06)
英商剑桥氮化??元件有限公司（Cambridge GaN Devices；CGD）是一家专注於研发高效能氮化??（GaN）功率元件的半导体公司，致力於打造更环保的电子元件。近日与台湾的电力电子系统整合方案供应商群光电能（Chicony Power Technology）、英国剑桥大学技术服务部（CUTS）签署一项三方协议 |
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Transphorm最新技术白皮书： 常闭型D-Mode与增强型E-Mode氮化??电晶体平台关键优势 (2023.10.19)
氮化??功率半导体产品的先锋企业Transphorm今（19）日发布《Normally-off D-Mode 氮化??电晶体的根本优势》最新白皮书。该技术白皮书科普了共源共栅 （常闭） d-mode氮化??平台固有的优势 |
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Transphorm氮化??元件助力DAH Solar微型逆变器光伏系统 (2023.10.12)
世界首个整合型光伏（PV）系统采用Transphorm氮化??平台，DAH Solar是安徽大恒新能源技术公司子公司。该整合型光伏系统已应用在大恒能源的最新SolarUnit 产品。DAH Solar认为系统中所使用的Transphorm的GaN FET元件，能够生产出更小、更轻、更可靠的太阳能电池板系统，同时还能以更低的能耗提供更高的总发电量，关键在於使用Transphorm的功率元件 |
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EPC新推EPC9186马达控制逆变器 实现更长续航里程 (2023.05.11)
宜普电源转换公司（EPC）新推EPC9186，这是一款采用EPC2302 eGaN FET的三相BLDC马达控制逆?器。EPC9186支持14 V~ 80 V的输入直流电压。大功率EPC9186支持电动滑板车、小型电动汽车、农业机械、叉车和大功率无人机等应用 |
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电气化趋势不可逆 宽能隙技术助电动车市场跃升 (2023.04.17)
汽车动力系统正从内燃机转向电动机，这是一个不可阻挡的趋势。
宽能隙半导体材料在功率利用和开关频率方面具有独特的优势。
只有宽能隙半导体能够实现电动车的目标，协助汽车向永续出行的发展 |
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净零碳排迫在眉睫 工具机产业发展迈向新格局 (2023.02.20)
工具机业者跨入高起点、大投入、规模化、国际化等四大发展格局。而净零碳排迫在眼前，2023无疑是工具机产业净零碳排关键年。在这一波净零碳排的浪潮下，工具机业者强化碳韧性将刻不容缓 |
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立??科技与宜普电源转换合作推出小型化140W快充解决方案 (2023.01.18)
宜普电源转换公司（EPC）和立??科技（Richtek）?手推出新型快充叁考设计，使用RT6190降压-升压控制器和氮化??场效应电晶体EPC2204，可实现超过98%的效率。
宜普电源转换公司和立??科技宣布推出4开关双向降压-升压控制器叁考设计，可将12 V~24 V的输入电压转换?5 V~20 V的稳压输出电压，并提供高达5 A的连续电流和6.5 A的最大电流 |
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Transphorm按功率段发布氮化??功率管可靠性评估资料 (2022.12.16)
Transphorm发布了针对其氮化??功率管的最新可靠性评估资料。评估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客户现场应用中失效的器件数。迄今为止，基於超过850亿小时的现场应用资料，该公司全系列产品的平均失效率(FIT)小於0.1 |
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Transphorm获得美国能源部合约 提供新型四象限氮化??开关管 (2022.09.05)
Transphorm宣布赢得一份美国能源部先进能源研究计画署(ARPA-E)的合约。该专案是ARPA-E CIRCUITS计画的一部分，透过与伊利诺理工学院的转包合约展开，包括提供采用氮化??的四象限双向开关管(FQS) |
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节能降耗势在必行 宽能隙半导体发展加速 (2022.07.27)
宽能隙半导体拥有许多优势，其节能效果非常出色。
碳化矽和氮化??两种技术各有特点，各自的应用情境也有所不同。
宽能隙技术已经催生出一系列相关应用，协助达成碳中和的企业目标 |
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EPC推出高功率密度100V抗辐射电晶体 满足严格航太应用 (2022.07.05)
EPC推出100V、7mΩ、160 APulsed的抗辐射GaN FET EPC7004。尺寸小至6.56 mm2，其总剂量等级大於1 Mrad，线性能量转移的单一事件效应抗扰度为85 MeV/(mg/cm2)。EPC7004与EPC7014、EPC7007、EPC7019和EPC7018元件都是采用晶片级封装，这与其他商用的氮化??场效应电晶体（eGaN FET）和IC相同 |
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Transphorm推出叁考设计 加速氮化??电源配接器开发 (2022.06.27)
Transphorm推出七款叁考设计，旨在加快采用氮化??的USB-C PD电源配接器的研发。该叁考设计组合包括广泛的开放式框架设计选项，涵盖多种拓扑结构、输出和功率（45W至140W） |
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Nayuta LEMURIA锂离子电池电源采用Transphorm氮化??FET (2022.06.06)
医疗应用必须具有高可靠性、准确性，电源电流的稳定及顺畅对其效能有重要的影响。全球高可靠性、高性能的氮化??（GaN）电源转换产品供应商Transphorm宣布，日本Nayuta Power Energy公司在其LEMURIA交流逆变器ME3000中，采用Transphorm的氮化??场效应管（FET），从而在无风扇系统中达到99%效率 |
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新一代单片式整合氮化??晶片 (2022.05.05)
氮化??或氮化铝??（AlGaN）的复合材料能提供更高的电子迁移率与临界电场，结合HEMT的电晶体结构，就能打造新一代的元件与晶片。 |
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英飞凌投资扩大马来西亚居林前端工厂提升宽能隙半导体产能 (2022.02.22)
为了大幅提升宽能隙（碳化矽和氮化??）半导体的产能，进一步巩固和增强其在功率半导体市场的领导地位。英飞凌科技将斥资逾20亿欧元，在马来西亚居林工厂建造第三个厂区 |
