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電動壓縮機設計—ASPM模組 (2024.04.25)
電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。 |
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意法半導體1350V新系列IGBT電晶體符合高功率應用 (2023.11.21)
為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性，意法半導體（STMicroelectronics）推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V，最高作業溫度高達175°C，具有更高的額定值 |
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功率半導體元件的主流爭霸戰 (2022.07.26)
多年來，功率半導體以矽為基礎，但碳化矽（SiC）、氮化鎵（GaN）等第三類半導體材料出現，讓功率半導體元件的應用更為多元。 |
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DENSO和聯電日本子公司USJC合作車用功率半導體製造 (2022.05.03)
DENSO和聯華電子日本子公司USJC共同宣佈，兩家公司已同意在USJC的12吋晶圓廠合作生產車用功率半導體，以滿足車用市場日益增長的需求。
USJC將在晶圓廠裝設一條絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT, insulated gate bipolar transistor)產線，成為日本第一個以12吋晶圓生產IGBT的晶圓廠 |
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英飛凌推出車規級EDT2 IGBT 優化分立式牽引逆變器 (2022.03.29)
英飛凌科技股份有限公司宣佈推出採用TO247PLUS封裝的全新EDT2 IGBT。該元件專門針對分立式汽車牽引逆變器進行優化，進一步豐富英飛凌車規級分立式高壓元件的產品陣容。
得益於其出色的品質，EDT2 IGBT符合並超越車規級半導體分立元件應力測試標準AECQ101，因而能夠大幅提升逆變器系統的性能和可靠性 |
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ROHM推出600V耐壓IGBT IPM 兼具出色降噪和低損耗特性 (2021.04.29)
半導體製造商ROHM推出四款兼具出色降噪性和低損耗性的600V耐壓IGBT IPM（Intelligent Power Module）「BM6437x系列」，該系列產品可內建於生活家電（如空調、洗衣機等）和小型工控裝置（如工控機器人的小容量馬達等）中，非常適用於各種變頻器的功率轉換 |
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盛美半導體推出功率元件立式爐設備 提升IGBT製程合金退火性能 (2020.12.24)
隨著電晶體變薄、變小和速度變快，合金退火功能對滿足絕緣柵雙極型電晶體（IGBT）元件不斷增長的生產要求至關重要。因此，半導體製造與晶圓級封裝設備供應商盛美半導體近日宣佈，其開發的Ultra Fn立式爐設備擴展了合金退火功能，將立式爐平台應用拓展到功率元件製造領域 |
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意法半導體推出STSPIN32 BLDC馬達驅動器 瞄準高電壓應用 (2020.02.25)
半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics；ST）推出STSPIN32F0系列馬達控制系統級封裝的四款新品，可簡化家用電器和工業設備的開發設計，包括有線電動工具、驅動裝置、泵、風扇和壓縮機 |
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東芝基礎設施：接獲臺灣鐵路管理局通勤電聯車520輛訂單 (2019.01.15)
東芝基礎設施系統今日宣布，已接獲臺灣鐵路管理局通勤電聯車520輛（10輛52編成）牽引動力系統設備的訂單。預計於2019年起依序交貨給負責製造車輛的Hyundai Rotem Company，並自2020年底起開始投入營運 |
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鎖定IGBT測試 明導幫客戶找出更多問題 (2016.05.27)
隨著模擬與驗證成為EDA（電子設計自動化）市場的主流後，各家大廠除了在軟體面外，也推出硬體產品來滿足晶片業者們的需求。
然而，除了一般的矽製程的晶片外，像是IGBT（絕緣柵雙極性電晶體）等功率晶片，也引起了EDA業者的注意，明導國際就其中一例 |
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羅姆量產溝槽式SiC 導通電阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半導體市場，SiC（碳化矽）元件的發展，一直是主要業者所十分在意的重點，理由在於它與傳統的MOSFET或是IGBT元件相較，SiC可以同時兼顧高開關頻率或高操作電壓，反觀MOSFET與IGBT只能各自顧及開關頻率與操作電壓，顯然地SiC元件相對地較有技術優勢 |
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意法半導體新推出1200V IGBT低頻電晶體 (2015.06.26)
意法半導體（STMicroelectronics,ST）推出S系列 1200V IGBT絕緣閘極雙極性電晶體。當開關頻率達到8kHz時，新系列的雙極元件擁有低導通及關斷耗損，大幅提升不間斷電源、太陽能發電、電焊機、工業馬達驅動器等相關設備的電源轉換效率 |
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Fairchild降低IGBT能量損失 協助工業及汽車行業增強效 (2015.06.15)
（美國加州訊）全球高效能電源半導體解決方案供應商Fairchild (快捷半導體) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 元件中降低能量損失達30％。Fairchild 採用專為工業及汽車市場高/中速開關應用量身定製的全新設計方法，可提供工業效能以及極強的閂鎖抗雜訊能力，實現卓越的耐用性與可靠性 |
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德國研究計劃讓電磁爐價格更經濟、更節能 (2014.03.31)
電磁爐的價格將更經濟，且更具節能效益，這是為時三年的「InduKOCH」研究計劃的成果。此研究團隊的成員包括 E.G.O. 集團、德國不萊梅大學「電機驅動及電力電子與裝置學會」(IALB)，以及該計劃領導者，半導體製造商英飛凌科技股份有限公司 |
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建構完整產業鏈 工研院設亞洲首座功率實驗室 (2014.01.22)
我們都知道，綠能或是電機產業都很需要大功率的電力來驅動系統運作，像是風力與太陽能發電或是馬達控制等都是相當常見的例子。再加上近年來節能減碳已成為全球勢不可免的浪潮，從政府乃至於產業界都投入了不少資源 |
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要環保 電動車電源效率就要好 (2013.12.09)
電動車發展的關鍵之一，在於功率元件的表現能否達到最佳化，
從最基本的靜態電流到切換損耗，每一個環結都必須審慎看待。 |
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ROHM領先業界正式展開量產 蕭特基二極體碳化矽(SiC) MOSFET模組 (2013.07.10)
主旨
半導體製造商ROHM株式會社(總公司：日本京都市)已正式將適用於工業裝置、太陽能發電功率調節器(Power conditioner)等變流器/轉換器(inverter/converter)的碳化矽(SiC) MOSFET模組(額定規格1200V/ 180A)投入量產 |
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Microsemi擴展NPT IGBT產品系列 (2012.09.19)
美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯達克代號：MSCC) 宣佈其新一代1200V非貫穿型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新產品：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。該產品系列的所有元件均採用美高森美的先進Power MOS 8技術，整體開關和導通損耗比競爭解決方案顯著降低20%或以上 |
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Fairchild第二代點火線圈驅動器降低功耗、提升點火性能 (2012.06.10)
快捷半導體(Fairchild)日前推出占位面積較小，同時具有更低功耗的最新一代點火IGBT元件。EcoSPARK 2、FGD3040G2和FDG3440G2點火線圈驅動器可將VSAT降低多達20%，但不會明顯降低自箝位元電感負載開關(Self Clamping Inductive Switching, SCIS)的能量 |
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Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT (2012.05.29)
美高森美公司(Microsemi) 日前推出新一代1200V非貫穿型IGBT系列中的第一款產品。新的IGBT系列採用美高森美頂尖的Power MOS 8技術，與競爭解決方案相比，整體開關和導通損耗顯著降低20%或以 |
