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电动压缩机设计ASPM模组 (2024.04.25)
电动压缩机是电动汽车热管理的核心部件，对电驱动系统的温度控制发挥着重要作用，本文重点探讨逆变电路ASPM模组方案。 |
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意法半导体1350V新系列IGBT电晶体符合高功率应用 (2023.11.21)
为了在所有运作条件下确保电晶体产生更大的设计馀量、耐受性能和高可靠性，意法半导体（STMicroelectronics）推出新系列IGBT电晶体将击穿电压提升至1350V，最高作业温度高达175 |
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功率半导体元件的主流争霸战 (2022.07.26)
多年来，功率半导体以矽为基础，但碳化矽（SiC）、氮化??（GaN）等第三类半导体材料出现，让功率半导体元件的应用更为多元。 |
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DENSO和联电日本子公司USJC合作车用功率半导体制造 (2022.05.03)
DENSO和联华电子日本子公司USJC共同宣布，两家公司已同意在USJC的12寸晶圆厂合作生产车用功率半导体，以满足车用市场日益增长的需求。
USJC将在晶圆厂装设一条绝缘闸极双极性电晶体(IGBT, insulated gate bipolar transistor)产线，成为日本第一个以12寸晶圆生产IGBT的晶圆厂 |
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英飞凌推出车规级EDT2 IGBT 优化分立式牵引逆变器 (2022.03.29)
英飞凌科技股份有限公司宣布推出采用TO247PLUS封装的全新EDT2 IGBT。该元件专门针对分立式汽车牵引逆变器进行优化，进一步丰富英飞凌车规级分立式高压元件的产品阵容。
得益於其出色的品质，EDT2 IGBT符合并超越车规级半导体分立元件应力测试标准AECQ101，因而能够大幅提升逆变器系统的性能和可靠性 |
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ROHM推出600V耐压IGBT IPM 兼具出色降噪和低损耗特性 (2021.04.29)
半导体制造商ROHM推出四款兼具出色降噪性和低损耗性的600V耐压IGBT IPM（Intelligent Power Module）「BM6437x系列」，该系列产品可内建於生活家电（如空调、洗衣机等）和小型工控装置（如工控机器人的小容量马达等）中，非常适用於各种变频器的功率转换 |
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盛美半导体推出功率元件的立式炉设备 提升IGBT制程合金退火性能 (2020.12.24)
随着电晶体变薄、变小和速度变快，合金退火功能对满足绝缘栅双极型电晶体（IGBT）元件不断增长的生产要求至关重要。因此，半导体制造与晶圆级封装设备供应商盛美半导体近日宣布，其开发的Ultra Fn立式炉设备扩展了合金退火功能，将立式炉平台应用拓展到功率元件制造领域 |
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意法半导体推出STSPIN32 BLDC马达驱动器 瞄准高电压应用 (2020.02.25)
半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics；ST）推出STSPIN32F0系列马达控制系统级封装的四款新品，可简化家用电器和工业设备的开发设计，包括有线电动工具、驱动装置、泵、风扇和压缩机 |
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东芝基础设施：接获台湾铁路管理局通勤电联车520辆订单 (2019.01.15)
东芝基础设施系统今日宣布，已接获台湾铁路管理局通勤电联车520辆（10辆52编成）牵引动力系统设备的订单。预计於2019年起依序交货给负责制造车辆的Hyundai Rotem Company，并自2020年底起开始投入营运 |
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锁定IGBT测试 明导帮客户找出更多问题 (2016.05.27)
随着模拟与验证成为EDA（电子设计自动化）市场的主流后，各家大厂除了在软体面外，也推出硬体产品来满足晶片业者们的需求。
然而，除了一般的矽制程的晶片外，像是IGBT（绝缘栅双极性电晶体）等功率晶片，也引起了EDA业者的注意，明导国际就其中一例 |
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罗姆量产沟槽式SiC 导通电阻降低再下一城 (2015.08.14)
在全球功率半导体市场，SiC（碳化矽）元件的发展，一直是主要业者所十分在意的重点，理由在于它与传统的MOSFET或是IGBT元件相较，SiC可以同时兼顾高开关频率或高操作电压，反观MOSFET与IGBT只能各自顾及开关频率与操作电压，显然地SiC元件相对地较有技术优势 |
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意法半导体新推出1200V IGBT低频电晶体 (2015.06.26)
意法半导体（STMicroelectronics,ST）推出S系列1200V IGBT绝缘闸极双极性电晶体。当开关频率达到8kHz时，新系列的双极元件拥有低导通及关断耗损，大幅提升不间断电源、太阳能发电、电焊机、工业马达驱动器等相关设备的电源转换效率 |
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Fairchild降低IGBT能量损失 协助工业及汽车行业增强效 (2015.06.15)
（美国加州讯）全球高效能电源半导体解决方案供货商Fairchild (快捷半导体) 在其第四代 650V 及 1200V IGBT 组件中降低能量损失达30％。 Fairchild 采用专为工业及汽车市场高/中速开关应用量身定制的全新设计方法，可提供工业效能以及极强的闩锁抗噪声能力，实现卓越的耐用性与可靠性 |
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德国研究计划让电磁炉价格更经济、更节能 (2014.03.31)
电磁炉的价格将更经济，且更具节能效益，这是为时三年的「InduKOCH」研究计划的成果。此研究团队的成员包括 E.G.O. 集团、德国不莱梅大学「电机驱动及电力电子与装置学会」(IALB)，以及该计划领导者，半导体制造商英飞凌科技股份有限公司 |
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建构完整产业链 工研院设亚洲首座功率实验室 (2014.01.22)
我们都知道，绿能或是电机产业都很需要大功率的电力来驱动系统运作，像是风力与太阳能发电或是马达控制等都是相当常见的例子。再加上近年来节能减碳已成为全球势不可免的浪潮，从政府乃至于产业界都投入了不少资源 |
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要环保 电动车电源效率就要好 (2013.12.09)
电动车发展的关键之一，在于功率元件的表现能否达到最佳化，
从最基本的静态电流到切换损耗，每一个环结都必须审慎看待。 |
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ROHM领先业界正式展开量产 萧特基二极管碳化硅(SiC) MOSFET模块 (2013.07.10)
主旨
半导体制造商ROHM株式会社(总公司：日本京都市)已正式将适用于工业装置、太阳能发电功率调节器(Power conditioner)等变流器/转换器(inverter/converter)的碳化硅(SiC) MOSFET模块(额定规格1200V/ 180A)投入量产 |
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Microsemi扩展NPT IGBT产品系列 (2012.09.19)
美高森美公司(Microsemi Corporation，那斯达克代号：MSCC) 宣布其新一代1200V非贯穿型(non-punch through，NPT)系列的三款IGBT新产品：APT85GR120B2、APT85GR120L和APT85GR120J。该产品系列的所有组件均采用美高森美的先进Power MOS 8技术，整体开关和导通损耗比竞争解决方案显著降低20%或以上 |
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Fairchild第二代点火线圈驱动器降低功耗、提升点火性能 (2012.06.10)
快捷半导体(Fairchild)日前推出占位面积较小，同时具有更低功耗的最新一代点火IGBT组件。EcoSPARK 2、FGD3040G2和FDG3440G2点火线圈驱动器可将VSAT降低多达20%，但不会明显降低自箝位电感负载开关(Self Clamping Inductive Switching, SCIS)的能量 |
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Microsemi推新一代超高效率NPT IGBT (2012.05.29)
美高森美公司(Microsemi) 日前推出新一代1200V非贯穿型IGBT系列中的第一款产品。新的IGBT系列采用美高森美顶尖的Power MOS 8技术，与竞争解决方案相比，整体开关和导通损耗显著降低20%或以 |
