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ST推出创新的高压电晶体技术 (2009.05.14)
意法半导体推出全新功率MOSFET系列产品，结合更高的击穿电压技术、更强的耐用性，以及更低的电能耗损率，相当适合液晶显示器、电视及节能灯具整流器等需要高效能电源的应用 |
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ST推出创新的高压晶体管技术 (2009.05.14)
意法半导体推出全新功率MOSFET系列产品，结合更高的击穿电压技术、更强的耐用性，以及更低的电能耗损率，相当适合液晶显示器、电视及节能灯具整流器等需要高效能电源的应用 |
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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率电晶体 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 电晶体产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)电晶体，该电晶体在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率 |
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NXP针对L波段雷达应用推出RF功率晶体管 (2008.11.24)
恩智浦半导体（NXP Semiconductors）扩张其RF Power 晶体管产品线，推出最新针对L波段雷达应用的横向扩散金属氧化物半导体（Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor，以下简称LDMOS)晶体管，该晶体管在1.2GHz到1.4GHz的频率之间提供高达500W的突破性的RF输出功率 |
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安森美推出新微型封装的晶体和二极管 (2008.08.13)
安森美半导体(ON)扩充离散组件封装系列，推出新微型封装的晶体管和二极管。新的封装技术能配合今日空间受限的便携设备的严峻设计需求。
安森美半导体标准产品部全球市场营销副总裁麦满权说：「对我们的可携式产品客户来说，小尺寸、低高度且同时具备功率密度都是设计流程中相当关键的参数 |
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安森美推出新微型封装的晶体和二极体 (2008.08.13)
安森美半导体(ON)扩充离散元件封装系列，推出新微型封装的电晶体和二极体。新的封装技术能配合今日空间受限的可携式装置的严峻设计需求。
(圖一)安森美推出新微型封装的晶体和二极体
安森美半导体标准产品部全球市场行销??总裁麦满权说：「对我们的可携式产品客户来说 |
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Sony投3.72亿美元提高锂电池产能 (2008.08.08)
外电消息报导，Sony日前表示，由於手机、数位相机以及其他消费性电子产品对锂电池的需求量大幅成长，因此该公司将投资3.72亿美元的经费，扩增锂电池的生产设备，以提高锂电池的生产能力 |
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Sony投3.72亿美元提高锂电池产能 (2008.08.08)
外电消息报导，Sony日前表示，由于手机、数字相机以及其他消费性电子产品对锂电池的需求量大幅成长，因此该公司将投资3.72亿美元的经费，扩增锂电池的生产设备，以提高锂电池的生产能力 |
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英飞凌推出新款无线基础设施专用射频功率晶体 (2008.06.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）行动电话、行动电视广播与其他行动宽频服务，包括下一代的无线网路标准-LTE（长期演进技术） |
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英飞凌推出新款无线基础设施专用射频功率晶体 (2008.06.30)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术） |
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英飞凌推出700 MHz频段射频功率晶体系列 (2008.06.27)
英飞凌科技(Infineon)宣布推出新款 700 MHz 频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入 4G（第四代）移动电话、行动电视广播与其他行动宽带服务，包括下一代的无线网络标准-LTE（长期演进技术） |
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英飞凌推出700 MHz频段射频功率晶体系列 (2008.06.27)
英飞凌科技 (Infineon)宣布推出新款700 MHz频段无线基础设施专用射频功率晶体系列。 这个频段将在美国用来导入4G（第四代）行动电话、行动电视广播与其他行动宽频服务，包括下一代的无线网路标准-LTE（长期演进技术） |
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Vishay推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp通道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT晶片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
(圖一)Vishay推出采用具1.2mm×1.0mm业界最小占位面积的MICRO FOOT晶片级封装的新型20V P通道TrenchFET功率MOSFET |
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Vishay推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET (2008.06.20)
Vishay Intertechnology, Inc.推出新型20Vp信道TrenchFET功率MOSFET，该器件采用MICRO FOOT芯片级封装，具有业界最小占位面积以及1.2 V时业界最低的导通电阻。
凭借1.2mm×1.0mm的超小占位面积，Si8445DB比业界大小仅次于它的器件小20%，同时具有0.59mm的相同超薄浓度 |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
(圖一)Vishay新型Siliconix功率MOSFET为内业首款采用此封装类型的12V器件，及就额定电压及封装尺寸而言，是具有业内最低导通电阻的MOSFET |
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Vishay推出新型Siliconix功率MOSFET (2008.06.05)
Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出15款采用2 mm×2 mm的PowerPAK SC-70封装、浓度为0.8 mm的新型功率MOSFET。
新产品包括用于不同应用的各种配置及额定电压，除了n信道及p信道的互补对外，还包括n信道及p信道的单路、单路带肖特基二极管的及双路的器件 |
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安森美扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器集成电路(IC)系列，推出四款新组件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用于终端产品包括白家电、照明电子整流器和马达控制等工业应用 |
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安森美扩展MOSFET驱动器积体电路(IC)系列 (2008.04.15)
安森美半导体(ON Semiconductor)扩展MOSFET驱动器积体电路(IC)系列，推出四款新元件：NCP5106、NCP5104、NCP5111和NCP5304。这些新的功率门驱动器针对中低功率应用，适用於终端产品包括白家电、照明电子整流器和马达控制等工业应用 |
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Vishay推出新型VEMT系列硅NPN光电晶体管 (2008.04.13)
Vishay推出采用可与无铅(Pb)焊接兼容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电晶体管。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电晶体管的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅(Pb)焊接要求 |
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Vishay推出新型VEMT系列矽NPN光电电晶体 (2008.04.13)
Vishay推出采用可与无铅(Pb)焊接相容的PLCC-2表面贴装封装的新系列宽角光电电晶体。VEMT系列中的器件可作为当前TEMT系列光电电晶体的针脚对针脚及功能等同的器件，从而可实现快速轻松的替代，以满足无铅(Pb)焊接要求 |
USB2.0是一种目前在PC及接口设备被广为应用的通用串行总线标准，摆脱了过去局限于PC的相关应用领域，而更深入地应用在数字电子消费产品当中。
