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英飞凌推出新型LDMOS射频功率晶体管 (2008.04.07)
英飞凌科技(Infineon)发表两款新型LDMOS射频功率晶体管，适用于无线通信基础架构应用领域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。这两款新产品提供之输出功率峰值可达170瓦，进一步扩大英飞凌为WiMAX领域所提供射频功率晶体管之产品种类，现有产品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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英飞凌推出新型LDMOS射频功率电晶体 (2008.04.07)
英飞凌科技(Infineon)发表两款新型LDMOS射频功率电晶体，适用於无线通讯基础架构应用领域，例如2.5 GHz至2.7 GHz之WiMAX。这两款新产品提供之输出功率峰值可达170瓦，进一步扩大英飞凌为WiMAX领域所提供射频功率电晶体之产品种类，现有产品功率包括10瓦、45瓦及130瓦 |
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Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型电晶体 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型电晶体(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率 |
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Vishay推出新系列半桥绝缘栅双极型晶体管 (2008.03.17)
Vishay宣布推出采用业界标准Int-A-Pak封装的新系列半桥绝缘栅双极型晶体管(IGBT)。该系列由八个600V及1200V器件组成，这些器件采用多种技术，可在标准及超快速度下实现高开关工作频率 |
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Zetex新型无铅MOSFET成功把电路面积减一半 (2008.03.11)
类比讯号处理及功率管理方案供应商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA元件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的元件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用於各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置 |
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Zetex新型无铅MOSFET成功把电路面积减一半 (2008.03.11)
模拟讯号处理及功率管理方案供货商Zetex Semiconductors(捷特科)公司，推出其首项采用无铅式2 x 2毫米DFN封装的MOSFET产品。这款ZXMN2F34MA组件的PCB面积比业内采用标准SOT23封装的组件小50%，离板高度只有0.85毫米，适用于各类型空间有限的开关和功率管理应用，例如降压/升压负载点转换器中的外部开关装置 |
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IR推出600V绝缘栅双极电晶体(IGBT)系列 (2008.03.07)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极电晶体(IGBT)系列，能够在最高3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器，减少高达30%的功率耗损。
这款新特定应用元件利用IR最新一代的场终止沟道技术降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提升UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率 |
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IR推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列 (2008.03.07)
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)推出600V绝缘栅双极晶体管(IGBT)系列，能够在最高3kW的不断电系统(UPS)及太阳能转换器，减少高达30%的功率耗损。
这款新特定应用组件利用IR最新一代的场终止沟道技术降低传导和开关损耗，并为低短路要求的20kHZ开关作出优化，提升UPS和太阳能转换器应用的功率转换效率 |
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Digi-Key开始库存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key与宽频隙电晶体及射频积体电路(RFIC)厂商Cree宣布 ，Cree的碳化矽(SiC)金属半导体场效电晶体(MESFET)已由Digi-Key库存，并已可开始出货。
Digi-Key Corporation是板级元件之电子元件及配件多元经销商，该公司专注於产品选择与其对目录上产品建立100%库存的承诺，使其能便利地提供各种工业和商业领域等广泛客户所需 |
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Digi-Key开始库存Cree的SiC RF Power MESFET (2008.03.06)
Digi-Key与宽带隙晶体管及射频集成电路(RFIC)厂商Cree宣布 ，Cree的碳化硅(SiC)金属半导体场效晶体管(MESFET)已由Digi-Key库存，并已可开始出货。
Digi-Key Corporation是板级组件之电子组件及配件多元经销商，该公司专注于产品选择与其对目录上产品建立100%库存的承诺，使其能便利地提供各种工业和商业领域等广泛客户所需 |
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新型英飞凌MOSFET家族降低功率损耗达30% (2008.02.27)
英飞凌科技(Infineon)在应用电源电子研讨会（APEC）上宣布在OptiMOS 3 N信道MOSFET(场效应晶体管)产品阵容，新增三个新的功率半导体家族：OptiMOS 3 40V、60V和80V，在关键功率转换规格如通态电组的指针性能，可降低标准晶体管型封装(TO)的功率损失达30％ |
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Linear推出具备两个LDO的25mA/LED输出驱动器 (2007.09.14)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款整合式白光LED驱动器LTC3230，其具备能驱动主及次LED屏幕的双组LDO稳压器，并针对可携式电子组件提供低压系统电源端，所有均包含于精小3mm x 3mm QFN封装中 |
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Linear推出具备两个LDO的25mA/LED输出驱动器 (2007.09.14)
凌力尔特(Linear Technology Corporation)发表一款整合式白光LED驱动器LTC3230，其具备能驱动主及次LED萤幕的双组LDO稳压器，并针对可携式电子元件提供低压系统电源端，所有均包含於精小3mm x 3mm QFN封装中 |
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安森美推出带I2C介面的迷你三路输出LED驱动器 (2007.08.22)
电源半导体解决方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)推出高能效三路输出LED驱动器NCP5623，带有I2C介面，并且内置渐进调光功能。该器件特别设计用於驱动手机和MP3播放器等便携产品中的三色RGB (红、绿、蓝)LED装饰光和增强型LCD背光 |
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安森美推出带I2C接口的迷你三路输出LED驱动器 (2007.08.22)
电源半导体解决方案供货商安森美半导体(ON Semiconductor)推出高能效三路输出LED驱动器—NCP5623，带有I2C接口，并且内置渐进调光功能。该器件特别设计用于驱动手机和MP3播放器等便携产品中的三色RGB (红、绿、蓝)LED装饰光和增强型LCD背光 |
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Zetex高效能晶体管有效提升电源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP晶体管，满足新一代电源设备中的MOSFET闸驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP晶体管是第一批采用SOT23FF封装的双极组件，占位面积为2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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Zetex高效能电晶体有效提升电源功率密度 (2007.08.21)
Zetex Semiconductors（捷特科）公司，近日推出一系列微型NPN及PNP电晶体，满足新一代电源设备中的MOSFET闸驱动需求。全新的ZXTN及ZXTP电晶体是第一批采用SOT23FF封装的双极元件，占位面积为2.5 x 3毫米，板外高度只有1毫米 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
额定电压为1.2V的这些新型Vishay Siliconix TrenchFET器件使MOSFET导通电压与移动电子设备中使用的数字IC的1.2V～1.3V工作电压保持一致，从而可实现更安全、更可靠的设计 |
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Vishay的MOSFET帮助设计人员简化电源管理电路 (2007.08.16)
Vishay宣布推出业界首批在1.2V栅源电压时具有额定导通电阻值的功率MOSFET，这一进步将帮助设计人员简化电源管理电路，同时延长可擕式电子系统中的电池运行时间。
(圖一)Vishay推出1 |
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AnalogicTech多功能LED驱动器简化照明电路设计 (2007.08.09)
Advanced Analogic Technologies Incorporated(简称AnalogicTech)推出两款全新高效能电荷泵产品，协助业者设计更小型、更多功能的手机。AAT2846及AAT2856将背光驱动器、高电流闪光驱动器及2个通用低压差(LDO)线性稳压器整合於单一4x4 mm封装中 |
