账号：
密码：
CTIMES / 溼式蝕刻
科技
典故		 电子工业改革与创新者 - IEEE

IEEE的创立，是在于主导电子学的地位、促进电子学的创新，与提供会员实质上的协助。
湿蚀刻制程降低TSV成本 更易实现3D IC (2015.10.22)
TSV(矽穿孔)技术在3DIC中,可谓扮演相当吃重的角色,由于摩尔定律的关系,半导体制程的不断突破,晶片业者不断提升电晶体密度,同时又面临晶片尺寸极为有限的情况下,水平面积毕竟还是有其极限,所以半导体业者们才从垂直方向下手,以整合更多的电晶体,进一步提升晶片整体效能

  十大热门新闻

AD
刊登廣告 ｜ 新聞信箱 ｜ 读者信箱 ｜ 著作權聲明 ｜ 隱私權聲明 ｜ 本站介紹
︱ Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3
地址:台北市中山北路三段29号11楼 / 电话 (02)2585-5526 / E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw